5.3.8. Контроль качества травления

Проконтролировать качество стравливания металла под микроскопом МПИ-4. При наличии остатков металла в окнах дотравить. пластину в течение 1-2 минут.

5.3.9. Снятие фоторезистивной маски

Снятие фоторезистивной маски осуществляют следующим образом:

• налить в чашку Петри 50 мл диметилформамида (ацетона);

• выдержать пластину в диметнлформамиде или ацетоне до полного снятия фоторезиста (при необходимости протереть ватным тампоном или батистовой салфеткой);

• тщательно промыть пластину в дистиллированной воде в течение 40-60с;

• высушить пластину на центрифуге в течение 1-2 мин.

5.3.10. Контроль качества фотолитографии

Проконтролировать качество фотолитографии под микроскопом МИИ-4 и выявить основные виды дефектов:

• остатки фоторезиста на поверхности;

• наличие проколов в металлическом слое;

• остатки металла на поверхности пластины;

Проконтролировать пластину под микроскопом МИИ-4:

• определить неровность края элементов;

• определить величину бокового подтравливания по формуле:

К=(d2-d1)/2 ,

где d1- размер выбранного элемента рисунка на рабочей пластине, мкм;

d2 - размер этого же элемента рисунка на фотошаблоне, мкм;

• замерить геометрические размеры элемента рисунка с минимальными размерами.

6. Моделирование процесса фл

С помощью ЭВМ ознакомиться с набором учебных программ по фотолитографии и произвести моделирование различных параметров фотолитографических процессов.

Использовать программы по темам "Фотолитография" и "Травление".

• Проекционная фотолитография – fotonew.exe;

• Оптическая литография - eхро.ехe;

• ФХО литография - gwbasic, photolit;

• Совмещение – sowmecht.exe;

• Травление с использованием низкотемпературной плазмы fxot.exe

Посмотрите видеофрагменты по технологии фотолитографии, жидкостному и плазмо-химическому травлению.

7. Содержание отчета

Полученные результаты оформляются в виде отчета, который должен содержать:

• цель работы;

• описание реального технологического процесса фотолитографии с указанием режимов основных операций;

• описание качества проведенной фотолитографии с указанием измеренных размеров, основных видов обнаруженных дефектов, возможных причин их возникновения и устранения;

• выводы.

8. Контрольные вопросы

1. Что такое фотолитография, виды литографии.

2. Сущность процесса контактной ФЛ.

3. Фоторезисты, их виды, процессы, протекающие в фоторезистах под действием излучения.

4. Основные параметры фоторезистов.

5. Способы нанесения фоторезистов.

6. Фотошаблоны, их особенности, требования к фотошаблонам.

7. Особенности проекционной фотолитографии.

8. Параметры, влияющие на качество изображения при проекционной фотолитографии.

9. Технологический процесс проекционной ФЛ.

10. По каким критериям оценивается качество процесса фотолитографии.

Литература

1. Введение в фотолитографию. Под ред. В.П. Лаврищева- М..: Энергия,1977.

2. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводнико­вых приборов и интегральных схем.- М.: Сов.радио,1978.

3. Достанко А.П. Технология интегральных схем. - Мн.: Выш. шк.,1982.

4. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник -М.: Радио и связь, 1991 .-528 с .: ил.