- •Прохождение электронов и ионов через вещество
- •Ионизационные потери и потери на излучение при прохождении электронов через вещество
- •Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
- •Влияние облучения на дефектную структуру кристалла
- •1.2 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при электронном облучении
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии точечных дефектов
- •Сегрегация примеси в условиях облучения пучком электронов
- •Сегрегация примеси на дефектах кристаллической решетки Экспериментальное изучение сегрегации примеси на дефектах кристаллической решетки
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на дефектах кристаллической решетки
- •Сегрегация примеси на поверхности образца Экспериментальное изучение сегрегации примеси на поверхности образца
- •Модели радиационно-стимулированной сегрегации на поверхности образца
- •Коэффициенты радиационно-стимулированной диффузии
- •Массоперенос в гомогенных системах при облучении пучком электронов [Error: Reference source not found]
- •Массоперенос в гетерогенных системах при электронном облучении [Error: Reference source not found]
- •Экспериментальное изучение перераспределения компонентов на границах зерен [37].
- •Экспериментальное изучение массопереноса в многофазных системах [Error: Reference source not found].
- •1.2. Пространственное распределение температуры при облучении пучком электронов Профиль температурного поля в условиях облучения пучком электронов
- •Метод расчета пространственного распределения температуры в условиях облучения пучком электронов
- •Распределение температуры в материалах при облучении пучками электронов
- •Концентрационные профили точечных дефектов в условиях облучения пучком электронов
- •Концентрация точечных дефектов в условиях облучения
- •Распределение вакансий по глубине образца
- •Массоперенос в металлических системах на основе твердых растворов при облучении пучком электронов средних энергий
- •Кинетическая теория диффузии в бинарных системах в поле градиентов температуры и точечных дефектов
- •Численный метод решения кинетического уравнения диффузии. Принцип расщепления
- •Пространственное распределение элементов в твердых растворах при облучении пучком электронов
- •Гомогенная система
- •1.2.3 Внутренние напряжения в материале при электронном облучении
- •Структурно-фазовые изменения в материалах при облучении заряженными частицами
- •Применение пучков заряженных частиц для модификации поверхности материалов
- •Перераспределение элементов в сплавах при облучении пучком электронов средних энергий
- •1.2.4 Структурно-фазовые превращения при электронном облучении
- •1.3 Закономерности нагрева, модификации и упрочнения поверхностного слоя сплава при ионном облучении
- •1.3.1 Теоретические модели эффекта дальнодействия
- •1.3.2 Влияние напряжений на перераспределение вакансий при ионном облучении
- •1.3.4 Эволюции кластеров радиационных дефектов при ионном облучении твердых тел
- •1.4.1 Описание параметров состояния вещества в задачах моделирования процессов в сплавах при облучении электронами и ионами
- •1.4.2 Численное моделирования процессов теплопередачи при облучении пучками заряженных частиц.
- •Тема 1. Ионно-плазмешюе осаждение слоев ..5
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 42
- •Тема 4. Литографические методы в микро- и наноэлектроникс 86
- •Тема 1. Ионно-плазменное осаждение
- •Тема 2. Применение ионной имплантации 2.1. Особенности ионной технологии
- •Тема 3. Особенности применения электронных процессов в электронике
- •Тема 4, литографические методы в микро- и наноэлектронике
- •Литература
Процессы смещения атомов при взаимодействии с высокоэнергетичными электронами
Пороговая энергия
смещения - это работа, необходимая для
образования пары Френкеля при столкновении
электрона с ионом в узле кристаллической
решетки. При переходе в междоузлие
смещенный ион должен преодолеть силы
взаимодействия окружающих ионов.
Следовательно,
является функцией сил внутренних связей
в кристалле и зависит от направления
движущейся частицы относительно осей
кристалла, природы вещества (потенциала
взаимодействия между ионами решетки),
а также, возможно, от природы и характера
взаимодействия излучения с веществом.
Обычно
определяется экспериментально по
измерению какого-либо физического
свойства, зависящего от концентрации
точечных дефектов при изменяющейся
энергии частиц в потоке излучения. После
прекращения изменения выбранного
физического свойства определяют
минимальную энергию бомбардирующей
частицы, при которой чувствительность
методики уже не позволяет зафиксировать
изменение физического свойства за
достаточно большой промежуток времени.
При облучении электронами
Пороговую энергию
смещения можно определить также
экстраполяцией максимальной энергии,
переданной иону быстрым электроном
.
рассчитывают по
формуле, в которой
заменяется средней энергией
взаимодействующей частицы
.
Для быстрого электрона справедливо
равенство
,
где
- начальная энергия электрона в пучке,
- потеря энергии на единицу пути частицы,
- путь частицы. Экстраполяцию проводят
по
от функциональной зависимости
(изменение удельного сопротивления за
одно элементарное взаимодействие).
Высокоэнергетические электроны с
энергией порядка 1 МэВ вызывают атомные
смещения при прямом кулоновском
взаимодействии с ядрами твердого тела.
При энергии электронов меньше, чем 0,5
МэВ для многих металлов процессы смещения
маловероятны, поэтому энергия 0,5 МэВ
является пороговой для возникновения
радиационно-стимулированной диффузии.
Сечение образования первично-смещенных атомов рассчитывается по формуле:
, (1.2)
где
-
максимальная кинетическая энергия
электрона;
,
z-порядковый
номер элемента мишени;
(1.2)
Значения
представлены
в таблице 2.
Таблица 2
Эмпирический параметр для расчета сечения образования
первично-смещенного атома
|
0,051 |
0,204 |
0,358 |
0,511 |
1,120 |
1,790 |
2,300 |
3,070 |
|
22,440 |
2,130 |
0,809 |
0,444 |
0,120 |
0,054 |
0,035 |
0,021 |
Максимальная энергия, переданная электроном ядру мишени, практически определяется по формуле, (эВ):
, (1.2)
а пороговая энергия смещения - по формуле, (эВ)
. (1.2)
Когда энергия
бомбардирующих электронов находится
в диапазоне
сечение образования смещений стремится
к насыщению (см2)
[4].
. (1.2)
Расчет дефектообразования в твердом теле по упругому механизму при облучении электронами не слишком больших энергий должен сводится к расчету образования первично-смещенных атомов, хотя в ряде работ обращается внимание на образование радиационных дефектов за счет возбуждения электронной подсистемы.
Рис. 3. Распределение первично-смещенных атомов в хроме по глубине поглотителя в зависимости от энергии электронов [Error: Reference source not found].
Рис. 4. Распределение первично-смещенных атомов по глубине поглотителя при облучении пучком электронов с энергией E=2.75 МэВ [Error: Reference source not found].
