Приложение а

Характеристики используемых элементов

Основные параметры транзистора КТ3117А

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора, мкА 10

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 40…200

Граничная частота эффективного усиления, МГц 200

Емкость коллекторного перехода, пФ 5

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток коллектора, мА 400

Постоянное напряжение база – эмиттер, В 5

Постоянное напряжение коллектор-база, В 60

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В 60

Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе, Вт 0,3

Основные параметры транзистора КТ503В

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора, мкА 1

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 40..120

Граничная частота эффективного усиления, МГц 350

Емкость коллекторного перехода, пФ 5

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток коллектора, мА 150

Постоянное напряжение база – эмиттер, В 5

Постоянное напряжение коллектор-база, В 60

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В 40

Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе, Вт 0,35

Основные параметры транзистора КТ8110А

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора, мкА 50

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 15…30

Граничная частота эффективного усиления, МГц 20

Емкость коллекторного перехода, пФ 4

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток коллектора, А 7

Постоянное напряжение база – эмиттер, В 5

Постоянное напряжение коллектор-база, В 500

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В 450

Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе, Вт 2

Основные параметры транзистора КТ940В

Электрические параметры:

Обратный ток коллектора, мкА 0,05

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ 25

Граничная частота эффективного усиления, МГц 90

Емкость коллекторного перехода, пФ 5,5

Максимально допустимые параметры:

Постоянный ток коллектора, мА 100

Постоянное напряжение база – эмиттер, В 5

Постоянное напряжение коллектор-база, В 160

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер, В 160

Максимальная рассеиваемая мощность на коллекторе, Вт 1,2

Основные параметры ОУ 154УД4А

Диапазон напряжения питания, В ±(13,5 – 16,5)

Максимальный входной ток, мкА 3,2

Максимальный выходной ток, мА 25

Коэффициент усиления 10000

Скорость нарастания, В/мкс 600

Напряжение смещения, мВ 6

Частота единичного усиления, МГц 20

Основные параметры ОУ К544УД2А

Диапазон напряжения питания, В ±(13,5 – 16,5)

Средний входной ток, нА 0,1

Частота единичного усиления, МГц 15

Скорость нарастания импульса, В/мкс 20

Коэффициент усиления 20000

Напряжение смещения, мВ 30

Вxодное сопротивление, МОм 100

Основные параметры стабилитрона КС447А

Напряжение стабилизации ном., В 4,7

Напряжение стабилизации мин., В 4,2

Напряжение стабилизации макс., В 5,2

Максимальный ток стабилизации, мА 159

Минимальный ток стабилизации, мА 3

Основные параметры диода КД102А

Обратное напряжение макс., В 250

Прямое напряжение макс., В 1

Постоянный прямой ток макс, А 0,1

Импульсный прямой ток макс, А 2

Рабочая частота, кГц 4

Основные параметры компаратора К544СА3А

Напряжение питания, В ±15

Напряжение смещения нуля, мВ 6

Время задержки срабатывания, нс 300

Основные параметры кварцевого резонатора РВ-04

Диапазон частот, кГц 4-60

Добротность резонатора, 10³ 30-260

Емкостное соотношение, 10^-3 1-3

Основные параметры трубки 13ЛО3И

Чувствительность по Х, мм/В 0,35

Рабочая часто экрана, мм 80х108

Напряжение первого анода, В 302-518

Напряжение второго анода, кВ 1,5

Напряжение третьего анода, кВ 3

Напряжение модулятора, В -(2372)

Емкость пластин, пФ 10