- •Исследование характеристиk полупроводниковых излучателей
- •Введение
- •1 Принцип работы полупроводникового лазера
- •1.1 Активная среда
- •1.2 Оптический резонатор
- •1.3 Накачка
- •1.4 Механизм образования инверсии в p-n-переходе
- •2 Характеристики полупроводниковых лазеров
- •2.1 Ватт-амперная характеристика
- •2.2 Спектр излучения
- •2.3 Модовый состав излучения полупроводниковых лазеров
- •2.4 Перестройка частоты лазеров
- •2.5 Диаграмма направленности
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •3 Типы полупроводниковых лазеров
- •3.1 Инжекционные лазерные диоды
- •4 Описание лабораторного стенда
- •4.1 Функциональная схема стенда
- •5 Экспериментальная часть
- •5.1 Работа с импульсным лазером илпи-105
- •5.2 Работа с монохроматором и непрерывным лазером илпн-108
- •Контрольные вопросы и задания
- •Рекомендуемая литература
5.2 Работа с монохроматором и непрерывным лазером илпн-108
1. Включите блоки питания монохроматора, компьютера, шагового двигателя, а также принтер, вольтметр и монитор.
2. При отсутствии излучения на ФЭУ (выключенном лазере ИЛПН-108) установите показания на "0" с помощью потенциометра "Установка нуля" на панели управления монохроматором.
3. Запустите программу управления стендом. После запуска программы введите фамилию и имя, а ниже группу, например, 4 ОС. В открывшемся следующем окне введите значение текущего положения шкалы монохроматора (значение считывается со шкалы монохроматора с точностью до 0,1 нм).
4. Далее последовательно выберите пункты: <Спектр излучения> <Измерения>. Для пробных измерения согласитесь с длиной волны начала измерения (830 нм), шагом измерения 0,04 нм, включите излучатель ИЛПН-108 выберите пункт <Старт>.
Выход в предыдущие режимы осуществляется кнопкой <Esc>.
Возможно изменение длины волны начала измерения и повторные измерения.
5. На полученном графике установите с помощью клавиш , и клавиши <пробел> три положения вертикального курсора, необходимые в дальнейшем для распечатки и расчётов.
Перед распечаткой графика после установки листа бумаги обязательно проверьте готовность принтера к печати.
6. По спектральной характеристике определите 0,5. (на уровне ½ мощности) и рассчитайте 0,5. По спектральной характеристике определите разность длин волн между соседними модами мм, рассчитайте мм.
7. Оцените длину когерентности Lког, время когерентности ког, ширину запрещённой зоны Eg активной области лазера. Сравните полученное значение Eg с табличным значением. Объясните полученные результаты.
Контрольные вопросы и задания
1. Какими способами можно получить инверсию населённости в полупроводниках?
2. Опишите по энергетическим диаграммам принцип работы полупроводникового лазера.
3. Объясните условие существования инверсной населённости.
4. Перечислите и проанализируйте особенности работы лазеров на гетеропереходах.
5. Рассчитайте по спектральной характеристике ЛД его когерентность в ГГц.
6. Оцените по спектральной характеристике длину оптического резонатора.
7. Что такое апертура излучения? Объясните различие апертуры в плоскости p-n-перехода и в перпендикулярной плоскости.
8. Какие моды видны с помощью ПНВ и матового экрана? Почему с изменением тока меняется число мод?
9. Объясните механизм образования поперечных мод.
10. Сколько продольных и сколько поперечных мод наблюдается для данного лазера?
Рекомендуемая литература
1 А. Н. Игнатов Оптоэлектронные приборы и устройства: Учеб. пособие – М.: Эко-Трендз, 2006.–272 с.
2 А. И. Астайкин, М.К. Смирнов Основы оптоэлектроники: Учебное пособие / А. И. Астайкин, М. К. Смирнов. — М.: Высшая школа, 2007. — 277 с: ил.;
3 Твёрдотельная фотоэлектроника. Физические основы Филачёв А. М., Таубкин И. И., Тришенков М. А. ФИЗМАТЛИТ, 2005
4 Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника. Перевод с французского. – М.: Техносфера, 2006. – 592 с.
