- •Методические указания к лабораторным работам по дисциплине «Схемотехника эвм»
- •127994 Москва, ул. Образцова, 15
- •1.1.2. Включение и настройка осциллографа
- •1.1.3. Измерение временных интервалов сигнала
- •1.2. Учебно-исследовательский стенд
- •1.2.1. Описание лицевой панели
- •1.2.2. Порядок работы со стендом
- •1.3.2. Приставка ттл.
- •1.3.3. Приставка кмоп.
- •1.3. Приставки, подключаемые к стенду исэл для исследования схем.
- •1.3.1. Приставка флс.
- •2. Порядок подготовки и оформления отчетов по лабораторным работам.
- •3. Лабораторная работа №1. Изучение измерительной, регистрирующей и исследовательской аппаратуры
- •3.1. Подготовка к лабораторной работе.
- •3.2. Порядок выполнения работы.
- •3.3. Содержание отчета.
- •3.4. Варианты заданий.
- •Нагрузочная способность Таблица 4.1.
- •Помехоустойчивость Таблица 4.2.
- •Быстродействие Таблица 4.3.
- •4.2. Порядок выполнения работы.
- •4.3. Содержание отчета.
- •4.4. Варианты заданий.
- •4.4.1. Лабораторные работы.
- •4.4.2. Уирс.
- •4.5. Вопросы для самоподготовки.
- •Нагрузочная способность Таблица 5.1.
- •Помехоустойчивость Таблица 5.2.
- •Быстродействие Таблица 5.3.
- •5.2. Порядок выполнения работы.
- •5.3. Содержание отчета.
- •5.4. Варианты заданий.
- •5.4.2. Уирс.
- •5.5. Вопросы для самоподготовки.
- •6. Лабораторная работа №4. Исследование схем ттл
- •6.1. Подготовка к лабораторной работе.
- •6.2. Порядок выполнения работы.
- •6.3. Содержание отчета.
- •6.4. Варианты заданий.
- •6.4.1. Лабораторные работы.
- •6.4.1. Уирс.
- •6.5. Вопросы для самоподготовки.
- •7. Лабораторная работа №5. Исследование схем кмоп.
- •7.1. Подготовка к лабораторной работе.
- •7.2. Порядок выполнения работы.
- •7.3. Содержание отчета.
- •7.4. Варианты уирс.
- •7.5. Вопросы для самоподготовки.
- •Приложение 1. Пример оформления отчета.
- •Институт управления и информационных технологий
- •Москва 2003
- •Нагрузочная способность
- •Помехоустойчивость
- •Быстродействие
- •4. Схема получения выходной(нагрузочной) характеристики
- •4. Схема измерений динамическмх параметров.
- •5. Зависимость динамических параметров от величины
- •Список рекомендуемой литературы
- •Содержание
3.4. Варианты заданий.
№ |
U0, В |
t0, мкс |
U1, В |
t1, мкс |
1 |
0.3 |
1.5 |
2.0 |
1 |
2 |
0.5 |
1 |
3.0 |
1.5 |
3 |
1.0 |
0.8 |
5.0 |
0.5 |
4 |
0 |
0.5 |
7.0 |
0.3 |
5 |
-0.3 |
0.3 |
-2.0 |
0.5 |
6 |
-0.5 |
1.5 |
-3.0 |
1.5 |
7 |
-1.0 |
1 |
-5.0 |
1 |
8 |
0.2 |
0.8 |
2.5 |
0.8 |
9 |
0.7 |
0.5 |
3.5 |
0.5 |
10 |
1.5 |
0.3 |
4.5 |
0.3 |
35
4. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2.
ИССЛЕДОВАНИЕ ФОРМИРОВАТЕЛЯ ЛОГИЧЕСКОГО
СИГНАЛА ПЕРВОГО ТИПА
Цель работы: экспериментальное изучение схем ФЛС первого типа.
4.1. ПОДГОТОВКА К ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ.
Подготовка к работе состоит из расчета схемы по заданному варианту задания, подготовки таблиц, графиков, а также составления эскизных схем проведения экспериментов.
В соответствии с заданным вариантом (разд. 4.4.1) рассчитывается схема инвертора в следующем порядке (теоретический расчет ключа первого типа приведен в [4] разд. 2.2.1.):
расчет величины RK и выбор Еп;
расчет требуемого тока базы;
расчет величины Rl, R2 и выбор Е6.
При выполнении расчетов все параметры транзисторов и схем берутся без знака.
Выбор величины питания осуществляется исходя из параметров сигнала U1<En. В стенде ИСЭЛ имеются: ±10В, ±5В, ±2В.
Величина RK вычисляется исходя из того, что величина напряжения на выходе закрытого транзистора должна быть не меньше U1мин (выражение 2.3 [4]), а ток через открытый транзистор не должен превышать ток коллектора допустимый (выражение 2.6 [4]).
Внутри диапазона возможных значений RK выбираем значение в середине диапазона. Если невозможно выделить некоторый диапазон для RK, следует либо увеличить номинал Еп, либо изменить в исходном задании некоторые данные, например U1мин,
Вычисление требуемого тока базы выполняется по выражению 2.1 [4]. Для надежного включения рекомендуется обеспечить степень насыщения S = 1,5.
36
Величина
Еб
выбирается
как минимальное из удовлетворяющих
неравенству
.
Расчет R1, R2 выполняется путем построения области допустимых значений R1, R2 и последующего выбора номиналов резисторов внутри этой области. Если область окажется слишком узкой, величину Е6 следует взять больше.
Область допустимых значений R1, R2 строится на основании неравенств (2.12) [4] и (2.17) [4]. Величины R1, R2 выбираются в центре области (точка Е) рис. 2.15[4] обычно так, чтобы R1 было не более 15К, a R2— не более 320К. Если выбрать в области точку А (резисторы низкоомные) — повышается быстродействие, если точку С - - понижается мощность, потребляемая схемой. Чем дальше от границы области выбрана точка, тем больше помехоустойчивость схемы.
Выбором величин R1, R2 расчет схемы заканчивается. После расчета схемы необходимо определить такие параметры схемы, как нагрузочная способность, помехоустойчивость и быстродействие.
Нагрузочная способность - это максимальный ток, отдаваемый в нагрузку (Iн. макс.). Его величина для рассчитанной схемы определяется из выражения (2.3) [4].
Коэффициент разветвления по выходу п = Iн. макс/Iвх.
Величина входного тока Iвх определяется из (2.10) [4].
Рассчитанные значения заносятся таблицу 4.1.
