- •Лабораторна робота 1. Дослідження напівпровідникових випрямних діодів і стабілітронів
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Осцилограми напруги на приладах Контрольні питання
- •Лабораторна робота 2. Дослідження біполярного транзистора
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Статичний коефіцієнт посилення
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 3. Складений транзистор
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 4. Дослідження польового транзистора
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Результати вимірів записати в табл.4.1.
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 5. Дослідження тиристора
- •Теоретичні відомості
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Контрольні питання
- •Лабораторна робота 6.Анодні характеристики вакуумного діоду
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Лабораторна робота 7.Визначення характеристик пентоду
- •Порядок виконання лабораторної роботи
- •Список рекомендованої літератури
Порядок виконання лабораторної роботи
З
ібрати
схему (рис.1.7).
а) б)
Пряме включення
в) г)
Зворотне включення
Рис.1.7. Схеми підключення для зняття статичних ВАХ:
а), в) випрямного діода; б), г) стабілітрона
Зняти окремо прямі і зворотні гілки статичних ВАХ ІА = f(UА) кожного з досліджуваних приладів. Результати вимірів занести в табл.1.1. За даними табл.1.1 побудувати ВАХ випрямного діода і стабілітрона. По побудованих характеристиках визначити їх опори по постійному і змінному струмах:
R0 = U0/I0, Ом; Ri = U/I, Ом
Дослідити прилади в динамічному режимі (схеми включення - ріс.1.8). Для спостереження діаграм напруги на приладах UB = f(t) і струмів через них ІB = f(t) встановити на виході генератора напругу 15 В при частоті 100 Гц (для стійкішого зображення на екрані осцилографа). Підключити осцилограф згідно з схемою по черзі до відповідних клем і замалювати в одному масштабі часу, з зазначенням масштабу по осі Y, отримані зображення одне під іншим в наступному порядку: UГ = f(t); UB = f(t); IB = f(t).
Таблиця 1.1
-
I, мA, U, B
Випрямний діод
Стабілітрон
Iпр
0,25
0,5
1
4
8
12
0,25
0,5
1
4
8
12
Uпр
Iобр
0,25
0,5
1
4
8
12
Uобр
50
100
150
Uг
Uв
Iв 1
1 2 3
2 3
а) б)
Рис.1.8. Схеми для дослідження напівпровідникового випрямного діода (а) і стабілітрона (б) в динамічному режимі.
R0 =
Ri =
При Iпр = 4 мА
R0 =
Ri =
При Iобр = 6 мА
Осцилограми напруги на приладах Контрольні питання
Принцип дії досліджуваних приладів.
Область їх застосування, переваги й недоліки.
Методика зняття статичних і динамічних характеристик.
Визначення параметрів приладів по характеристиках.
Чим пояснюються випрямні властивості діода?
Чому діод втрачає випрямні властивості?
Чому діод є температурно-залежним елементом?
Яка ємність діода більше по величині?
Чому спостерігаються коливання зворотного струму діода при зміні зворотної напруги?
Яка ділянка ВАХ стабілітрона: пряма або зворотня є робочою ?
Як впливає внутрішня ємність імпульсного діода на tвос?
Як співвідноситься Uпор діода Шотки з аналогічним параметром випрямних діодів?
Чи є залежність внутрішньої ємності варикапа від зворотної напруги лінійною?
Які фізичні процеси дозволяють використовувати p-n перехід для стабілізації напруги на ділянці кола? Яка робоча полярність вмикання стабілітронів в електричне коло?
Чи можна використовувати стабілітрон для випрямлення перемінної напруги?
Перерахуйте експлуатаційні параметри стабілітрона.
Зазначте особливості застосування стабісторов у схемах стабілізації напруги.
Який знак температурного коефіцієнта напруги стабілізації мають стабістори і стабілітрони? Які фізичні причини визначають розходження знаків цих параметрів для зазначених приладів?
