VII. Заключение

Были представлены обзор технологического развития Вар генераторов и компенсаторов были. Исходя из принципов Вар компенсации, классические решения с использованием фазоконтролируемых полупроводников были пересмотрены. Введение самокоммутируемых схем на основе IGBT транзисторов и IGCT полупроводников производит значительное улучшение в исполнении Вар компенсаторов: у них есть быстрое динамическое поведение и они могут управлять большим количеством переменных. Внедрение новых самокоммутируемых схем на еще более высокие уровни напряжения увеличит влияние Вар компенсации в будущих применениях. Некоторые соответствующие примеры проектов были описаны, где можно отметить, что современные Вар компенсаторы улучшают энергетическую производительность системы, помогая повысить надежность и качество мощности, передаваемой потребителям. Эти примеры показывают, что Вар компенсаторы будут использоваться в более широком масштабе и в будущем производительность сети и надежность станут еще более важным фактором. Наличие лучшей управляемости сетью позволит владельцам уменьшать инвестиции в самих линиях передачи. Комбинация современного управления в режиме информации реального времени и информационных технологий будет перемещать их в непосредственной близости от их физических пределов. Кроме того, развитие быстрых и мощных полупроводников увеличивает применимость Вар генераторов для более высоких ограничений.