- •Б3.Б.4. Электротехника и электроника
- •Направление подготовки
- •Продукты питания из растительного сырья
- •1 Анализ и расчет линейных электрических цепей постоянного тока
- •1.1. Теоретические сведения
- •Метод эквивалентных преобразований
- •Метод применения законов Кирхгофа
- •Метод контурных токов
- •2 Анализ неразветвленных цепей синусоидального тока
- •2.1. Теоретические сведения
- •1.2 Задачи для решения на практическом занятии
- •Реактивная мощность цепи при резонансе напряжений:
- •2.2 Пример решения типовой задачи
- •2.3 Задачи для решения на практическом занятии
- •3 Анализ цепей синусоидального переменного тока с параллельным соединением ветвей
- •3.1.Теоретические сведения
- •3.2 Пример решения типовой задачи
- •3.3. Задачи для решения на практическом занятии
- •4 Расчет трехфазных цепей
- •4.1 Теоретические сведения
- •4.2 Пример решения типовой задач
- •4.3. Задачи для решения на практическом занятии
- •5 Расчет трансформатора
- •5.1. Теоретические сведения
- •5.2. Пример решения
- •5.3. Задачи для решения на практическом занятии
- •6 Расчет полупроводникового выпрямительного устройства
- •6.1. Теоретические сведения
- •6.1.1. Вольтамперная характеристика выпрямительного полупроводникового диода на постоянном токе (статическая х-ка)
- •6.1.2. Характеристики и параметры полупроводникового стабилитрона
- •6.2. Графоаналитический расчет схем с диодами
- •6.2.2.Примеры решения задач
- •6.3. Задачи для решения на практическом занятии
- •Библиографический список
6.1.1. Вольтамперная характеристика выпрямительного полупроводникового диода на постоянном токе (статическая х-ка)
Вольтамперная характеристика (ВАХ) — это зависимость тока I, протекающего через диод, от напряжения U, приложенного к диоду. Вольтамперной характеристикой называют и график этой зависимости.
В первом приближении
можно считать, что ВАХ диода определяется
идеализированным
описанием характеристики р-n
перехода:
I = Is · (e φT - 1),
где: IS – тепловой ток (ток насыщения – saturation current (англ.)), обусловленный генерацией неосновных носителей в областях, прилегающих к области p-n-перехода;
φT = kT/q – потенциал Ферми (температурный потенциал) – здесь:
k – постоянная Больцмана (k = 1,38·10-23 Дж/К = 8,62·10-5 эВ/К);
T – абсол. температура, К;q – элементарный заряд (q = 1,6·10-19 Кл.
Для кремния, при температуре +27оС (300 оК) – φT.≈ 0,026 В.
Термогенерация в области p-n-перехода оказывает существенное влияние на ток. При практических ориентировочных расчетах иногда принимают, что общий обратный ток кремниевого диода увеличивается в 2 раза или в 2,5 раза на каждые 10°С.
Рисунок 6.1 Типовая ВАХ выпрямительного диода
Uот – напряжение отпирания диода (типовое значение для кремниевых (Si) диодов 0,6-0,8 В, для германиевых – 0,3-0,4 В);
Iпр.макс – максимально допустимый постоянный прямой ток;
Uпр – постоянное прямое напряжение, соответствующее заданному току (чаще всего – Iпр.макс);
Uобр.макс – максимально допустимое обратное напряжение диода (положительная величина);
Iобр.макс – максимально допустимый постоянный обратный ток диода (положительная величина; если реальный ток больше, чем Iобр.макс, то диод считается непригодным к использованию);
rдиф – дифференциальное сопротивление диода (при заданном режиме работы), rст = dU/dI.
6.1.2. Характеристики и параметры полупроводникового стабилитрона
Стабилитрон – это полупроводниковый диод, сконструированный для работы в режиме электрического пробоя.
В указанном режиме при значительном изменении тока стабилитрона напряжение изменяется незначительно. В разных типах стабилитронов может иметь место туннельный, лавинный или смешанный тип электрического пробоя. В низковольтных, (до 5,7 В) стабилитронах имеет место туннельный пробой, а в высоковольтных – лавинный пробой.
Рисунок 6.2 Типовая ВАХ стабилитрона
Основные параметры стабилитрона:
Uст – напряжение стабилизации (при заданном токе в режиме пробоя);
Iст.мин – минимально допустимый ток стабилизации;
Iст.макс – максимально допустимый ток стабилизации;
rст = dU/dI.– дифференциальное сопротивление стабилитрона (на участке пробоя), типовое значение – единицы - десятки Ом;
aст = dUст./dT (В/oC) - температурный коэф. напряжения стабилизации;
Величины Uст, Iст.мин и Iст.макс принято указывать как положительные.
Не рекомендуется использовать стабилитрон при обратном токе, меньшем по модулю, чем Iст.мин, так как стабилизация напряжения при этом будет неудовлетворительной. Если же обратный ток по модулю превысит Iст.макс, то стабилитрон может перегреться, начнется тепловой пробой и прибор выйдет из строя. Чем меньше величина rст, тем лучше стабилизация напряжения.
Пример применения стабилитрона показан на схеме параметрического стабилизатора напряжения (рисунок 6.3). Если напряжение Uвх настолько велико, что стабилитрон находится в режиме пробоя, то изменения этого напряжения практически не вызывают изменения напряжения Uвых (при изменении напряжения Uвх изменяется только ток I, а также напряжение UR = I • R).
Uвых
Uвх
Рисунок 6.3. Схема параметрического стабилизатора
