Порядок выполнения работы
1. Включить ЭВМ и загрузить программу лаб 5.exe.
2. Внимательно прочитать все тексты, выводимые на экран.
3. Выполнить I этап работы (построение зависимости R = f(t) при нагреве образца от 20 до 1200 С):
– подготовить таблицу для заполнения (табл. 5.1), на I этапе она будет заполняться с n = 11 (t = 20 С):
Таблица 5.1
n |
t, оС |
R, Ом |
, м |
γ, Cм/м |
lg(γ) |
1000/T |
0 |
−160 |
… |
… |
… |
… |
… |
1 |
… |
… |
… |
… |
|
|
… |
… |
… |
… |
… |
|
|
|
… |
… |
… |
… |
|
|
11 |
20 |
|
|
|
|
|
… |
|
|
|
|
|
|
35 |
1200 |
|
|
|
|
|
– выбрать режим нагрева печи так, чтобы успевать списывать все показания, причем температура печи изменяется непрерывно, запись следует делать тогда, когда значение температуры выводится синим цветом;
– построить зависимость R = f(t) и срисовать ее для отчета (зависимость будет выведена на экран только в случае, если безошибочно будут введены восемь значений R и t, выбранные из таблицы с помощью генератора случайных величин);
– ввести параметры образца.
4. Выполнить II этап работы (построение зависимости R = f(t) при охлаждении образца от 20 до −160 С):
– выбрать режим охлаждения полупроводника так, чтобы успевать списывать все показания;
– построить зависимость R = f(t) и срисовать ее для отчета (зависимость будет выведена на экран только в случае, если безошибочно будут введены восемь значений R и t, выбранные с помощью генератора случайных величин).
5. Выполнить III этап работы (построение зависимости lg(γ) = f(1000/T) и определение по ней ширины запрещенной зоны кремния и энергии активации электронов фосфора ):
– построить зависимость ρ = f(t);
– построить зависимость γ = f(t);
– построить зависимость lg(γ) = f(1000/T);
– определить по ней ширины запрещенной зоны кремния ;
– определить энергии активации электронов фосфора ;
– показать результаты (рис. 5.15) преподавателю.
Работа считается выполненной только в том случае, если не было допущено ни одной ошибки на всех трех этапах.
6. Составить отчет, который должен содержать:
а) название работы и ее цель;
б) параметры образца полупроводника;
в) таблицу 5.1 и графики R = f(t), = f(t), γ = f(t), lg(γ) = f(1000/T);
г) основные расчетные формулы;
д) определение ширины запрещенной зоны кремния и энергии активации электронов фосфора ;
е) вывод.
Рис. 5.15. Подведение итогов III этапа
Вопросы к защите лабораторной работы № 5
1. Классификация полупроводников.
2. Примеси замещения и внедрения.
3. Энергетическая диаграмма полупроводника с примесями.
4. Влияние температуры на число носителей, подвижность и проводимость полупроводника.
5. Устройство испытательных установок.
6. Нарисовать зависимости R = f(t), = f(t), γ = f(t) и lg(γ) = f(1000/T) .
7. Определение характеристик и .