Мікроелектроніка

Реалізувати наступну логічну функцію на логічних елементах.

у₃ = х₁ + х₂ + х₁ ∙ х₂

Реалізувати наступну логічну функцію на логічних елементах.

Реалізувати наступну логічну функцію на логічних елементах.

Реалізувати наступну логічну функцію на логічних елементах.

Як на вашу думку можна представити логічний елемент І з використанням двох ключів?

Як на вашу думку можна представити логічний елемент АБО з використанням двох ключів?

В чому перевага використання мікросхем при побудові перетворювальних пристроїв?

Який з видів інтегральних схем на базі біполярних транзисторів є найбільш поширеним?

Реалізувати наступну логічну функцію на базі програмуємої логічної матриці

В чому особливість напівпровідникових інтегральних мікросхем?

В чому особливість програмуємих логічних інтегральних схем?

В чому перевага використання мікросхем при побудові перетворювальних пристроїв?

За яких умов (потенціали на входах) на виході Y в наведеній схемі буде логічний 0?

На базі яких елементів будуються запам’ятовуючі пристрої з можливістю перепрограмування?

Який з видів інтегральних схем на базі біполярних транзисторів є найбільш поширеним?

Який тип мікросхем (за ступенем інтеграції) найбільш широко застосовується при побудові пристроїв?

Який тип мікросхем на базі КМОН чи біполярних транзисторів має менше енергоспоживання?

Яким параметром визначається ступінь інтеграції мікросхеми?

Що таке інтегральна схема, види ІС за ступенем інтеграції?

Технології побудови ІС на польових транзисторах.

Типи мікросхем на біполярних транзисторах?

Чим відрізняється ТТЛ від ТТЛШ логіки?

З якою метою застосовуються АЦП та ЦАП?

Що таке ПЛІС і як вона відрізняється від звичайних від звичайних цифрових схем?

Типи запам’ятовуючих пристроїв.

Що таке наноелектроніка?

Сфери застосування наноприладів?

Реалізувати схему для кодування сегменту f, згідно з наведеною таблицею шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати перетворювач коду згідно з наступною таблицею (для виходу а0) шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Реалізувати перетворювач коду згідно з наступною таблицею (для виходу а1) шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Реалізувати перетворювач коду згідно з наступною таблицею (для виходу а2) шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Реалізувати перетворювач коду згідно з наступною таблицею (для виходу а3) шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Реалізувати перетворювач коду згідно з наступною таблицею (для виходу а4) шляхом представлення відповідної колонки у формі карти Карно, складання за нею логічної функції та її реалізації на базових логічних елементах. (4)

Записати карту Карно для наступної функції та записати логічну функцію (4)

Записати карту Карно для наступної функції та записати логічну функцію (4)

Записати карту Карно для наступної функції та записати логічну функцію (4)

Записати карту Карно для наступної функції та записати логічну функцію (4)

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Реалізувати логічну функцію на логічних елементах (4):

Записати карту Карно для наступної функції та записати логічну функцію у формі КНФ. (4)

З а ВАХ діода визначити його статичний опір у закритому та відкритому стані при різних температурах. Побудувати залежність опору від температури.. (4)

За стоковими характеристиками польового транзистора побудувати стоково-затворні характеристики для Uсв=5; 15В.

За ВАХ діода визначити його диференційний опір у відкритому стані при різних температурах та побудувати залежність опору від температури.

На вихідних характеристиках біполярного транзистора вказати області, що відповідають основним режимам його роботи та знайти коефіцієнт підсилення за струмом β для напруги Uке=4В та струму Іб=100 мА.

Побудувати зворотну гілку ВАХ стабілітрона за наступними параметрами:

• номінальне значення напруги стабілізації при Іст=5мА – 3,3В;

• мінімальний струм Іст – 1 мА;

• максимальний струм Іст – 37,5 мА;

• диференційний опір (визначає нахил ВАХ при Іст=5мА) – 150 Ом.

Для наведених ВАХ біполярного транзистора визначити положення робочої точки на вихідних характеристиках, якщо на вхідних характеристиках її положенню відповідає напруга Uбе=0,9В та Uке=5В. Навантажувальна пряма будується для Ек=8В та Rк=8Ом.

За ВАХ діода визначити його основні параметри для температури 293 К. Вказати прямі та зворотні вітки ВАХ.

В схемі параметричного стабілізатора використано стабілітрон з номінальним значенням напруги стабілізації при Іст=3мА – 5,6В. Визначити струм, що буде протікати через резистор на виході стабілізатора, якщо опір резистора – 30 Ом.

Як зміниться струм стабілітрона якщо вхідна напруга параметричного стабілізатора збільшиться на 5 %. (відповідь представити в символьному вигляді)

За ВАХ діода визначити статичний та диференційний опори у закритому стані для різних температур. Побудувати залежність значення опорів від температури

Стоково-затворна характеристика польового транзистора. Проілюструвати побудову даної характеристики на практиці для наведених стокових характеристик.

Визначити наскільки зміниться ємність pn-переходу варікапа при зміні зворотної напруги в межах від 4 до 16 В.

Знайти коефіцієнти підсилення за струмом в схемах вмикання біполярних транзисторів зі спільним емітером та спільним коллектором. Використати наведені ВАХ.

Визначити коефіцієнт підсилення струму β для робочої точки з параметрами Uке=15В, Іб=2мА.

В схемі параметричного стабілізатора вхідна напруга – 20 В; опір баластного резистора – 150Ом; стабілітрон з номінальною напругою стабілізації 13В; опір вихідного резистора – 80Ом. Визначити значення струмів, що протікають в схемі, та на скільки зміниться струм стабілітрона при зміні вхідної напруги на 2 В.