Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
4_Лекция 3_Диоды.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.04.2025
Размер:
1 Мб
Скачать
☆

Фоторезисторы

Приборы, предназначенные для использования этого явления, называют фоторезисторами, а транзисторы и тиристоры, реагирующие на эффект облучения световым потоком и способные одновременно усиливать фототок, называют соответственно фототранзисторами и фототиристорами

Диодные оптроны — это приборы, состоящие из оптически связанных между собой элементов оптронной пары (управляемого светодиода и принимающего излучение фотодиода) и предназначенные для выполнения функциональных электрических и оптических преобразований.

На рис. 1.12, а изображена схема диодного оптрона с внутренней прямой оптической связью. Изменение входного тока Iвх через светодиод сопровождается изменением яркости его свечения и изменением освещенности фотодиода, что приводит к уменьшению сопротивления фотодиода и соответственно к увеличению тока Iвых через выход оптрона (рис. 1.12, б).

Frame5

Важным свойством такого оптрона является полная электрическая развязка входа и выхода прибора, что исключает обратную электрическую связь с его выхода на вход.

Солнечный элемент подобен фотодиоду, но работает без смещения. Падающий на p-n переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.

Лавинно-пролётный диод. Диод, работающий за счёт лавинного пробоя.

Лавинно-пролетный диод основан на лавинном умножении носителей заряда.

На вольт-амперной характеристике лавинно-пролетного диода, в отличие от туннельного диода, отсутствует участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.

Лавинно-пролетные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ.

Магнитодиод. Диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.

Действие прибора основано на магнитодиодном эффекте.

Под действием магнитного поля происходит закручивание движущихся носителей в p-n-переходе. Их подвижность уменьшается, следовательно, увеличивается сопротивление p-n-перехода. Это и есть магнитодиодный эффект.

Магнитодиоды используются для определения величины напряжённости и направления магнитного поля.

Интересные факты

Диоды могут использоваться как датчики температуры.

Диоды в прозрачном стеклянном корпусе (в том числе и современные SMD-варианты) могут обладать паразитной чувствительностью к свету (то есть радиоэлектронное устройство работает по-разному в корпусе и без корпуса, на свету).

Американским учёным из университета штата Аризона удалось создать диод, состоящий всего из одной молекулы.[4]

Японским учёным удалось создать тепловой диод — устройство, способное пропускать тепло только в одном направлении.[5]

Выпрямительные и детектирующие диоды

Диод Шоттки (также правильно Шотки) — это полупроводниковый прибор, в котором используется свойства потенциального барьера (барьера Шоттки) на контакте металл — полупроводник

Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки.

Условное обозначение диода Шоттки по ГОСТ 2.730-73

Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n-перехода, как у обычных диодов).

При изготовлении Шотки диод на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами:

вакуумного испарения;

катодного распыления;

химического или электролитического осаждения.

Структура детекторного диода Шотки :

1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка (наращенный слой полупроводящих кристаллов арсенид индия, InAs); 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт

Ток через контакт металл-полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда. Поэтому в рассматриваемых диодах из-за разной высоты потенциальных барьеров для электронов и дырок нет инжекции неосновных носителей заряда, нет и таких медленных процессов, как накопление и рассасывание неосновных носителей в базе.