- •Основными характеристиками диода являются:
- •Полиномиальная аппроксимация участка вах диода
- •Рассмотрим характеристику отдельных видов полупроводниковых диодов.
- •Фоторезисторы
- •Интересные факты
- •Таким образом, диод Шоттки отличается малым падением напряжения при прямом включении.
- •Маркировка полупроводниковых диодов (гост 10862-72)
Фоторезисторы
Приборы, предназначенные для использования этого явления, называют фоторезисторами, а транзисторы и тиристоры, реагирующие на эффект облучения световым потоком и способные одновременно усиливать фототок, называют соответственно фототранзисторами и фототиристорами
Диодные оптроны — это приборы, состоящие из оптически связанных между собой элементов оптронной пары (управляемого светодиода и принимающего излучение фотодиода) и предназначенные для выполнения функциональных электрических и оптических преобразований.
На рис. 1.12, а изображена схема диодного оптрона с внутренней прямой оптической связью. Изменение входного тока Iвх через светодиод сопровождается изменением яркости его свечения и изменением освещенности фотодиода, что приводит к уменьшению сопротивления фотодиода и соответственно к увеличению тока Iвых через выход оптрона (рис. 1.12, б).
Важным свойством такого оптрона является полная электрическая развязка входа и выхода прибора, что исключает обратную электрическую связь с его выхода на вход.
Солнечный элемент подобен фотодиоду, но работает без смещения. Падающий на p-n переход свет вызывает движение электронов и генерацию тока.
Лавинно-пролётный диод. Диод, работающий за счёт лавинного пробоя.
Лавинно-пролетный диод основан на лавинном умножении носителей заряда.
На вольт-амперной характеристике лавинно-пролетного диода, в отличие от туннельного диода, отсутствует участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением.
Лавинно-пролетные диоды применяются в основном для генерации колебаний в диапазоне СВЧ.
Магнитодиод. Диод, вольт-амперная характеристика которого существенно зависит от значения индукции магнитного поля и расположения его вектора относительно плоскости p-n-перехода.
Действие прибора основано на магнитодиодном эффекте.
Под действием магнитного поля происходит закручивание движущихся носителей в p-n-переходе. Их подвижность уменьшается, следовательно, увеличивается сопротивление p-n-перехода. Это и есть магнитодиодный эффект.
Магнитодиоды используются для определения величины напряжённости и направления магнитного поля.
Интересные факты
Диоды могут использоваться как датчики температуры.
Диоды в прозрачном стеклянном корпусе (в том числе и современные SMD-варианты) могут обладать паразитной чувствительностью к свету (то есть радиоэлектронное устройство работает по-разному в корпусе и без корпуса, на свету).
Американским учёным из университета штата Аризона удалось создать диод, состоящий всего из одной молекулы.[4]
Японским учёным удалось создать тепловой диод — устройство, способное пропускать тепло только в одном направлении.[5]
Выпрямительные и детектирующие диоды
Диод Шоттки (также правильно Шотки) — это полупроводниковый прибор, в котором используется свойства потенциального барьера (барьера Шоттки) на контакте металл — полупроводник
Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки.
Условное обозначение диода Шоттки по ГОСТ 2.730-73
Диоды Шоттки используют переход металл-полупроводник в качестве барьера Шоттки (вместо p-n-перехода, как у обычных диодов).
При изготовлении Шотки диод на очищенную поверхность полупроводникового кристалла (Si, GaAs, реже Ge) наносят тонкий слой металла (Au, Al, Ag, Pt и др.) методами:
вакуумного испарения;
катодного распыления;
химического или электролитического осаждения.
Структура
детекторного диода Шотки :
1 — полупроводниковая подложка; 2 — эпитаксиальная плёнка (наращенный слой полупроводящих кристаллов арсенид индия, InAs); 3 — контакт металл — полупроводник; 4 — металлическая плёнка; 5 — внешний контакт
Ток через контакт металл-полупроводник, в отличие от тока через электронно-дырочный переход, обусловлен только основными носителями заряда. Поэтому в рассматриваемых диодах из-за разной высоты потенциальных барьеров для электронов и дырок нет инжекции неосновных носителей заряда, нет и таких медленных процессов, как накопление и рассасывание неосновных носителей в базе.
