1. Термины и обозначения.

Пиковый ток	Iп
Ток впадины	Iв
Напряжение пика	Uп
Напряжение впадины	Uв
Напряжение раствора	Uр-р
Постоянное прямое напряжение туннельног­о диода	Uобр.
Дифференциальное сопротивление	rдиф.
Максимально допустимый постоянный прямой ток туннельного диода	Iпр. макс.
Максимально допустимый постоянный обратный ток туннельного диода	Iобр. макс.

2. Цель работы:

2.1. Изучение принципа действия и конструк­тивных особенностей тун­нельного и обра­щенного диодов.

2.2. Наблюдение на осциллографе и снятие вольтамперных характери­стик туннельного и обращенного диодов.

3. Порядок выполнения работы и методические указания.

3.1. Для получения прямых ветвей вольтам­перных характеристик диодов собира­ется экспериментальная установка представленная на рис.3-4.

Рис. 3-4. Схема стенда для наблюдения прямых ветвей ВАХ диодов.

При снятии прямых ветвей ВАХ напряжение снимается с выхода звуко­вого генератора при шкале напряжений до 30В.

Выходные клеммы заземлять нельзя!

Разность потенциалов, снимаемая с иссле­дуемого диода D, подается на вход “У” осцил­лографа. Разность потенциалов, снимаемая с измеритель­ного сопротивления R=180 Ом и пропорциональная току, протекающему через диод, подается на вход “X” осциллографа.

При подаче сигнала со звукового генера­тора на экране осциллографа наблюдаем ВАХ диода.

3.2. Полученную зависимость необходимо перерисовать с указанием масштаба по осям координат.

3.3. На том же графике построить прямую ветвь ВАХ для второго из ис­следуемых дио­дов.

3.4. Для получения обратных ветвей ВАХ диодов меняется полярность включения ис­следуемого диода (см.рис. 3-4).

Построить графики обратных ветвей ВАХ диодов.

4. Содержание отчета.

4.1. Начертить использованные электриче­ские схемы.

4.2. Привести графики снятых зависимостей в масштабе, удобном для расчета параметров.

4.3. Записать параметры исследованных дио­дов.

4.4. Используя ВАХ, определить дифференци­альное сопротивление обоих диодов во всем исследованном диапазоне напряжений и по­строить графики его зависимости от напря­жения.

4.5. Определить основные параметры тун­нельного диода I_П, I_В, U_П, U_В, U_Р-Р, а также отношение пикового тока к току впадины.

4.6. Обосновать области применения и особенности использования туннельных и обращенных диодов.

5. Контрольные вопросы.

5.1.Как меняется положение уровня Ферми в примесном полупроводнике при увеличении концентрации примеси?

5.2.Что такое вырожденный полупроводник? Каков критерий вырожде­ния?

5.3.Начертите зонную схему электронно-дырочного перехода, образованного вырожденными акцепторами и донорными полупроводниками. Как она изменится при подаче прямого и обратного напряжений? Какими характерными особенностями обла­дает этот пере­ход?

5.4.Чем различаются ВАХ обращенного и туннельного диодов? Почему? Какими пара­метрами характеризуются туннельный и об­ращенный диоды? Где целесообразно их при­менить?

Литература.

1. Дулин В.Н. Электронные приборы. Изд.3-е. - М.:Энергия, 1977.

2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К., Шинков А.Д. Полупроводниковые при­боры,-Изд.3-е. - М.: Высшая школа, 1981.

3. Электронные приборы: Учебник для ву­зов/В.Н. Дулин, Н.А. Аваев, В.П. Демин и др.; Под ред. Г.Г. Шишкина.- 4-е изд. - М.: Энергоатомиз­дат, 1989.