- •1. Особенности включения транзистора по схеме с об.
- •2. Особенности включения транзистора по схеме с оэ.
- •3. Особенности включения транзистора по схеме с ок.
- •4.Статические характеристики биполярного транзистора
- •5. Входная статические вах транзистора об
- •Входные характеристики транзистора об
- •6.Выходная статические вах транзистора об
- •7.Входные характеристики транзистора оэ. Статические вах транзистора оэ
- •8.Выходные характеристики транзистора оэ
- •9. Тиристоры. Назначение, определение, область применения.
- •10. Полупроводниковые фотоэлектрические приборы.
- •11.Фоторезистор.
- •12.Фотодиод
- •13. Фототранзистор
- •14. Полупроводниковые источники света
3. Особенности включения транзистора по схеме с ок.
Схема
с общим коллектором (ОК). Схема изображена
на
рис. 26. Напряжение входного сигнала
подается на
базу, а выходное напряжение снимается
с сопротивления
нагрузки,
включенного в эмиттерную цепь; общей
точкой
для цепей входа и выхода является
коллектор. Входным
током в этой схеме является ток базы, а
выходным
током, протекающим по резистору нагрузки,
— ток эмиттера,
поэтому коэффициент
усиления по ток схемы
γ=
Входное сопротивление этой схемы велико (сотни килоом), а выходное сопротивление мало и составляет лишь десятки и сотни ом, поэтому такая схема имеет коэффициент усиления по напряжению меньше а по мощности — немного меньше коэффициента усиления по току. Схема с общим коллектором применяется значительно реже, чем две предыдущие, и служит в основном для согласования сопротивлений между отдельными каскадами усилителя или между выходом усилителя и низкоомной нагрузкой
Р и с.3. Структурная (а) и принципиальная (б) схемы транзистора с ОК
4.Статические характеристики биполярного транзистора
Обычно в справочнике указываются два вида характеристик:
Входные – зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении, т.е.
при
Выходные – зависимость выходного тока от выходного напряжения при постоянном входном токе, т.е.
при
5. Входная статические вах транзистора об
Входные характеристики транзистора об
при
IЭ, mA
UКБ=5В
UКБ=0
UЭБ, В
0
1
а) Пусть
означает, что коллектор и база закорочены,
т.е. транзистор выступает в качестве прямо
смещенного диода:
Входная характеристика для данного случая представляет собой ВАХ прямо смещенного диода - экспоненциальная зависимость тока от напряжения.
б
)
Пусть
, т.е. имеем активный режим работы
транзистора.
С ростом выходного напряжения
(был 0, стало 5В) характеристика
смещается влево (в сторону
больших токов).
Докажем это:
КП
расширяется в область базы
толщина
базы
НЗ
в базе
диффузионный
ток
,
т.е. характеристика смещается в сторону
бо́льших токов.
(
т.к.
)
Дальнейшее повышение выходного напряжения
приводит к незначительному смещению
входной характеристики (характеристики
идут кучно), поэтому ограничиваются
двумя характеристиками: при
и при
