4. Оформление работы

В работе отразить:

– Номер варианта, указываемый на титульном листе работы.

– Исходные данные варианта для каждой задачи.

При расчетах указывается расчетная формула, затем подставляются числовые значения, записывается окончательный результат.

Обязательно проставляется размерность величин.

– Расчетная схема включения диода.

– В задаче 5 графики изменения напряжения на входе U₁ и на выходе U₂ один под другим в одном масштабе.

– Привести перечень использованной литературы и справочники.

– На титульном листе ставится подпись автора и дата.

– Оформление работы желательно компьютерным способом на листах А4, но допускается также в тетради школьного формата.

Для расчета ВАХ задачи 3 и емкости С_Б = f(U_ОБР) в задаче 6 рекомендуется составить программу для программируемого калькулятора.

26

5. Перечень вопросов для подготовки к зачету

1. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к электрону, чтобы перевести его из валентной зоны в зону проводимости.

2. P-n-переход. Движение основных и неосновных носителей через переход.

3. Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо придать электрону, чтобы перейти из зоны проводимости в валентную зону.

4. P-n-переход. Распределение основных и неосновных носителей в переходе.

5. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к монокристаллу, чтобы перевести уровень Ферми к дну зоны проводимости.

6. P-n-переход. Равновесное состояние основных и неосновных носителей в переходе.

7. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь электронного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

8. P-n-переход. От каких факторов зависит толщина перехода.

9. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь дырочного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

10. P-n-переход. Под действием каких сил происходит движение основных и неосновных носителей через переход.

11. При введении примеси электронного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

12. P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к р-слою.

13. При повышении температуры примеси электронного типа до энергии 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

14. P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к n-слою.

15. При введении примеси дырочного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

27

16. Симметричный р-n-переход. Как будет изменяться емкость при приложении внешнего напряжения.

17. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к полупроводнику, чтобы он оказался вырожденным.

18. Р-n-переход полупроводник - металл. Какие и куда будут двигаться заряды.

19. Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Каков тип примеси, если ее уровень оказался ниже дна свободной зоны на 0.1 эВ. Куда сместился уровень Ферми.

20. Р-n-переход типа р+–n_i. Какие и куда будут двигаться заряды.

21. Почему и как изменяется концентрация собственных носителей при повышении температуры.

22. Р-n-переход. Его барьерная и диффузионная емкости. Их использование в схемотехнике.

23. Куда сместится уровень Ферми при введении донорной примеси.

24. Пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.

25. Куда сместится уровень Ферми при введении акцепторной примеси.

26. Тепловой пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.

27. Полупроводник с донорной примесью. Куда сместится уровень Ферми при повышении температуры.

28. Р-n-переход. Куда и как двигаются основные и неосновные заряды.

29. У какого электрона энергия больше – донорного или акцепторного.

30. Р-n-переход. Распределение потенциального барьера для основных и неосновных носителей.

31. У какой дырки энергия больше – донорной или акцепторной.

32. Р-n-переход. Почему барьерная емкость уменьшается при увеличении отрицательного напряжения.

33. Почему увеличивается число носителей заряда в полупроводнике с повышением температуры.

34. Р-n-переход. Почему образуется внутреннее поле в р-n – переходе.

35. Ширина запрещенной зоны Si равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо добавить электрону, чтобы перевести его из зоны примеси электронного типа, расположенной выше потолка валентной зоны на 0.1 эВ в

28

зону проводимости.

36. Р-n-переход. Какими факторами определяется высота потенциального барьера.

37. Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Куда переместится уровень Ферми после введения донорной примеси с энергией 0.2 эВ.

38. Р-n-переход. Чем отличаются пробои в переходе.

39. Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.

40. Р-n-переход. Что такое тепловой ток и как он зависит от температуры.

41. Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.

42. Какого типа полупроводник, если уровень Ферми находится в зоне проводимости.

43. Р-n-переход. Как зависит длина перехода от изменения температуры.

44. Куда смещается уровень Ферми в полупроводнике при легировании его индием.

45. Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.

46. В какой зоне находится уровень Ферми в собственном полупроводнике при температур абсолютного нуля.

47. Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.

48. В какой зоне находится уровень Ферми в проводниках.

49. В какой зоне находится уровень Ферми в изоляторах.

50. У какой дырки энергия больше – донорной или акцепторной.

29

ПЕРЕЧЕНЬ ЛИТЕРАТУРЫ

1. Жаворонков М.А. Электротехника и электроника: учеб.пособие для вузов / М. А. Жаворонков, А.В. Кузин. – 2-е изд., стереотип.- М.: Академия, 2008.

2. Тырышкин И.С. Физические основы полупроводниковой электроники. М.: Высш.шк. 2000.

3. Паутов В.И., Беспалов В.В.Физические основы электроники: Конспект лекций. - Екатеринбург: УрТИСИ ГОУ ВПО «СибГУТИ», 2009.

4. Лачин В. И., Савёлов Н. С. Электроника: Учеб. пособие. Ростов-на-Дону: изд-во "Феникс"2000.

5. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. Издание 2-е, М.: Лаборатория базовых знаний. 2000.

6. Петухов В. М. Полупроводниковые приборы. Дополнение первое: Справочник. М.: Рикел, Радио и связь1994.

30

Паутов В.И.