- •Оглавление
- •Разработка интегрального аналогового устройства Введение
- •Цель курсовой работы
- •Выбор варианта
- •Содержание курсовой работы
- •Требования к оформлению курсовой работы
- •Методические указания по выполнению курсовой работы
- •Общие рекомендации
- •Рекомендации по выбору принципиальной схемы
- •Рекомендации по составлению структурной схемы
- •Рекомендации по расчету элементов схемы
- •Рекомендации по расчету пленочных элементов гимс
- •Рекомендации по расчету амплитудно-частотной характеристики
- •Рекомендации по составлению топологии гимс
- •Список рекомендуемой литературы
- •Приложение 1
- •Приложение 2
- •Приложение 4
- •Приложение 5
- •Приложение 6
- •Приложение 7
- •Приложение 8
Методические указания по выполнению курсовой работы
Курсовая работа состоит из введения, трех основных разделов и заключения.
Во введении указывается назначение разрабатываемого устройства, и описываются возможности его применения. Обосновывается необходимость реализации устройства в виде гибридной интегральной микросхемы.
Первый раздел посвящен разработке структурной и принципиальной схемы устройства.
Этот раздел должен содержать:
- структурную схему, составленную на основе типовой схемы, приведенной, например, в [2];
- описание назначения всех устройств;
- распределение коэффициента передачи между входным узлом, первым каскадом, вторым каскадом и выходным узлом;
- распределение коэффициентов частотных искажений между узлами;
- выбор активных элементов усилителя на основе справочной литературы [5, 6 и др.];
- обоснованно выбранную в соответствии с заданием принципиальную схему устройства.
Второй раздел посвящен расчету элементов устройства. В этом разделе необходимо:
- рассчитать все элементы схемы, в соответствии с требованиями технического задания;
- рассчитать мощности, выделяемые на резисторах.
Третий раздел посвящен разработке топологии ИМС для выбранной схемы и расчету АЧХ.
Разработка топологии включает в себя следующие этапы.
Расчет пленочных элементов, включающий операции:
- выбор материала для пленочных резисторов в соответствии с расчетами;
- выбор материала для пленочных конденсаторов в соответствии с расчетами;
- выбор материала для проводников и контактных площадок;
- определение метода напыления пленок;
- определение метода формирования конфигурации элементов;
- расчет размеров пленочных резисторов;
- расчет размеров пленочных конденсаторов.
На этом этапе необходимо определиться, какие элементы будут навесными, выбрать их номинал из стандартного ряда Е24.
Собственно разработка топологии, заключающаяся в:
- расчете площади, занимаемой всеми активными и пассивными элементами схемы;
- определении и выборе размеров и материала подложки;
- составлении топологического чертежа.
Второй этап предваряется расчетом АЧХ, в котором необходимо:
- рассчитать и построить АЧХ, выделив на графике значения относительного коэффициента усиления Y на нижней и верхней рабочей частоте;
- сделать проверку соответствия расчетных и заданных значений коэффициентов частотных искажений.
Топологический чертеж должен быть выполнен в масштабе 10:1 или 20:1.
В заключение необходимо сделать краткие выводы о проделанной работе.
Общие рекомендации
Цифры исходного задания:
№ варианта.
UПИТ напряжение питания, [В] – знак обуславливает тип транзистора (n-p-n или p-n-p для БТ и с p- или n-каналом для ПТ).
КU коэффициент усиления по напряжению, [раз] – т.к. в основном усиливает первый каскад, то с малым усилением справится любой транзистор, а для реализации большого усиления необходимо выбирать транзистор, работающий с малыми токами и с высоким значением крутизны.
RВХ входное сопротивление, [МОм] – высокое входное сопротивление обеспечивают полевые транзисторы.
RН сопротивление нагрузки, [кОм] – на нагрузку работает выходной каскад. Легко реализовать устройство, работающее на высокоомную нагрузку, а при условии низкоомной нагрузки необходимо выбирать транзистор выходного каскада, работающий с большими токами. Для лучшего согласования с низкоомной нагрузкой необходимо выходной каскад строить на БТ.
UН номинальное напряжение, [В] – то напряжение, при котором допустимые искажения и другие качественные показатели остаются в норме.
fН – нижняя рабочая частота, [Гц].
fВ – верхняя рабочая частота, [кГц].
МН, МВ, [дБ] – коэффициенты частотных искажений на нижней и верхней частоте соответственно. На искажение характеристики в области нижних частот влияют разделительные емкости, включенные последовательно со входом и выходом транзисторов, а в области верхних частот – емкости, включенные параллельно входу и выходу транзисторов, емкости самих транзисторов, а также емкости нагрузки и монтажа.
Тип входа – несимметричный – источник сигнала имеет гальваническую связь с землей.
Тип выхода – несимметричный – нагрузка имеет гальваническую связь с землей. Тип выхода симметричный (парафазный, фазоинверсный или с разделенной нагрузкой) – в этом случае как бы две нагрузки – одна включена в цепь эмиттера, другая – в цепь коллектора.
