Литература

1. Корж И.А., Петрова В.З., Филатова И.В. Применение ВЧ-магнетронного распыления для формирования диэлектрических пленок. М.: Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1980. Вып. 4. С. 24-27.

2. Белевский В.П., Хорошилов В.И. Электронно-лучевые испарители ИЭЛ-2, ИЭЛ-3. М.: Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника, 1967. Вып. 4. С. 44.

3. Белевский В.П., Герман Л.П., Костин Е.Г., Сидоренко С.И. Коррозионная стойкость металлических пленок, полученных термоионным испарением. - В кн.: Тонкие пленки в интегральных схемах и ионные методы создания пленочных структур. Киев, 1976.

4. Белевский В.П., Белорус Н.В., Костин Е.Г., Чугаев В.Н. Влияние ионной бомбардировки в процессе осаждения пленок на формирование их структуры, электрофизические и физико-технологические свойства. - В кн.: Тонкие пленки в интегральных схемах и ионные методы создания пленочных структур. Киев, 1976. С. 65.

5. Станишевский А.В., Точицкий Э.И. Углеродные пленки, полученные импульсной конденсацией в вакууме. - Письма в ЖТФ, 1990. Том 16. Вып. 19, 76-78.

6. Саенко В.А. Устройство термоионного осаждения. - Приборы и техника эксперимента, 1985. № 3. С. 3-15.

7. Schiller S., Heisig V., Goedicke K. Alternating ion plating-a uay to high rate ion vaporous deposition. - I.Vac. Sei.Technol., 1974, v.11, №4, рp. 858-864.

8. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. - Пер. с англ. М.: Мир, 1972.

9. Ройх И.Л., Колтунова Л.Н., Федосов С.М. Нанесение защитных покрытий в вакууме. М.: Машиностроение, 1976.

10. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Мaиссела. М.: Советское радио, 1977. С. 74.

11. Василенко Ю.А., Кочурихин В.Е., Слепцов В.В., Кузнецов В.В., Хан Ю.С. Изучение изменений адсорбционной структуры пленок с помощью адсорбции ксенона. - Труды МХТИ. Москва, 1984. Вып. 133. С. 90-95.

12. Ивановский Г.Ф., Шкиров В.С., Слепцов В.В., Хейфец А.А. Влияние обработки потоком ионов аргона растущего на стеклянной подложке слоя CdSe на размер зерна и адгезию. - В кн.: Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Воронеж, 1978. С. 85.

13. Aeisenberg S., Charbot R.W. Physie s of ion plating and ich beam deposition. - I. Vac.Sei.Technol., v.10, № 1, 1973, р. 104-107.

14. Barber L. The sputtering of solicts and the creation of surface microstructure. - Vacuum, v. 24, 310, 1974, р.469-473.

15. Ефременков В.М., Юрасова В.Е. Структура эпитаксиальных пленок Si, полученных катодным распылением. - Известия АН СССР. Физика. Т. 32, № 6. 1968. С. 1056-1063.

16. Плешивцев Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1968.

17. Майссел Л.И. Нанесение тонких пленок катодным распылением. - В сб.: Физика тонких пленок. Т. 3. М.: Мир, 1968. С. 58-121.

18. Ивановский Г.Ф. Состояние и развитие ионной и ионно-плазменной техники в десятой пятилетке. - В кн.: Тонкие пленки в интегральных схемах и ионные методы создания пленочных структур. М.: 1976. Сер. 3. Вып. 2. С. 11-20.

19. Patten T.W., Moss R.W., Mcllanahan E.O., Pauleuicz W.T. Recent advances in materials synthesis by spytter deposition. thin Solid Films, 1981, v.83, №1, p.3-4.

20. Пат. США, кл. 427-39 (С 23 С 11/00). № 2961103. заявл. 7.11.74. № 521836, опубл. 1.06.76.

21. Минайчев В.Е. Вакуумное оборудование для нанесения пленок. М.: Машиностроение, 1978.

22. Данилин Б.С., Смирнова К.И. Формирование диэлектрических пленок при ионно-реактивном распылении. – Микроэлектроника. Т. 5. № 3. 1975. С. 286-288.

23. Светцов В.И., Тростин А.Н., Чеснокова Т.А. Катодное распыление меди в тлеющем разряде в хлоре. М.: Электронная обработка материалов, 1981. № 1, 56-58.

24. Ивановский Г.Ф., Слепцов В.В., Маишев Ю.П. Метод синтеза стехиометрических слоев селенида кадмия. - В сб.: Тонкие пленки в интегральных схемах и ионные методы создания пленочных структур. Киев, 1976.

25. Пленочная микроэлектроника. - Пер. с англ. / Под ред. Л. Холленда. М.: Мир, 1968.

26. Casamassima G., Ligonzo T., Murri R., Pinto N., Schiavulli L., Valintini A. Electronic properties of Amorphous gallium arsenide deposited by reactive sputtering. - Mater. Chem. and Phys., 1989, v.21, №3.

27. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Энергия, 1976.

28. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Н. Айнспрука и С. Брауна. – М.: Мир, 1987.

29. Технология СБИС / Под ред. С. ЗИ. – М.: Мир, 1986.

30. Ивановский Г.Ф., Петров В.И. Ионно-плазменная обработка материалов. Радио и связь, 1986.