Определение мощностных параметров усилителя:

Рассчитываем мощнотсные параметры усилителя.

Мощность на выходе первого каскада:

P_вых =0,5*U² _вых1/R_к1

P_вых =0,5*1/650=0,76 мВт

Мощность на выходе второго каскада:

P_вых =0,5*U² _вых2/R_к2

P_вых =0,5*0,81/3100=0,13мВт

Вывод: В ходе выполнения курсовой работы был произведен выбор принципиальной схемы, расчет всех элементов двухкаскадного усилителя с заданными техническими характеристиками.

В качестве схемы усилителя взята стандартная схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером для проводимости типа n-p-n .Усилитель по току, режим класс «А». Транзисторы кремневые маломощные высокочастотные эпитаксильно планарные n-p-n типа усилительные КТ315А и КТ812А. Разработанный усилитель относится к усидителям с линейным режимом работы, т.е выходной сигнал близок по форме к выходному, а искажение формы сигнала вносимые усилителем минимальны. Диапазон частот воспроизводимых усилителем соответствует заданным параметрам. Положение рабочих точек транзисторов на выходных статистических ВАЧ выбрано так, чтобы каждый каскад находился в нормальном режиме работы при нормальном диапазоне температур окружающей среды.

.

Список литературы:

1 Агаханян Т.М. Интегральные микросхемы: Учеб. пособие для вузов. – М.: Энергоатомиздат, 1983. – 464с., ил.

2 Аринова Н.В. Основы электроники: Рабочая программа, задания и ме­тодические указания к контрольным работам для студентов специальности 050716 «Приборостроение» заочной формы обучения. ВКГТУ. - Усть-Каменогорск, 2007. – 51с.

3 Бочаров Л.Н. и др. Расчет электронных устройств на транзисторах / Бочаров Л.Н., Жебряков С.К., Колесников И.Ф. – М.: Энергия, 1978. – 208с., ил. – (Массовая радиобиблиотека; Вып. 963).

4 Забродин Ю.С. Промышленная электроника: Учебник для вузов. – М.: Высш. Школа, 1982. – 496 с., ил.

5 Герасимов В.Г., Князев О.М. и др. Основы промышленной электроники. – М.: Высшая школа, 1986.

6 Ефимов И.Е., Козырь И.Я., Горбунов Ю.И. Микроэлектроника. Физические и технологические основа, надежность. – М.: Высшая школа, 1986. – 464 с.

7 Шадрин Г.К. Основы электроники: Курсовая работа, задания, методические указания для студентов специальности 050716 «Приборостроение» заочной формы обучения / Г.К. Шадрин, Н.В. Аринова / ВКГТУ.-Усть-Каменогорск, 2007. – 35 с

8Москатов Е. А. Справочник по полупроводниковым приборам. Издание 2. –Таганрог, 219 с., ил.

Приложение 1.

КТ315А:

Iк. макс, мА	UкэR.макс, {Uкэо.макс}, B	h21Э, {h21э}	Iкбо, {IкэR}, мкА
100	25	20…90	1

Приложение 2.

КТ812Б

Iк. макс, мА	UкэR.макс, {Uкэо.макс}, B	h21Э, {h21э}	Iкбо, {IкэR}, мкА
8	50	4	5

Приложение 3.

Расчётное и номинальное значение элементов.

Элемент	Расчётное значение	Номинальное значение
Rб1	11829,54 Ом	12000 Ом
Rб2	1170,46 Ом	1200 Ом
Rб3	2351,7 Ом	2400 Ом
Rб4	248,3 Ом	250 Ом
Rк1	650 Ом	650 Ом
Rк2	3100 Ом	3150 Ом
Rэ1	130 Ом	150 Ом
Rэ2	620 Ом	650 Ом
Сp1	12 мкФ	15 мкФ
Сp2	25 мкФ	25 мкФ
Сэ1	245 мкФ	250 мкФ
Сэ2	51,4 мкФ	50 мкФ

21