излучателе в два раза от номинального значения. Кратность изменения яркости не превышает 25.

в) Спектр излучения ЭПИ характеризуют длиной волны, значением мак­симальной спектральной характеристики излучения. Эта длина зависит от раз­ностей энергий уровней, между которыми происходит переход электронов при излучательной рекомбинации.

Электролюминесцентные плёночные излучатели (эпли)

ЭПЛИ отличаются от ЭПИ тем, что между электродами в них находится однородная поликристаллическая пленка электролюминофора, созданная термическим испарением с последующим осаждением в вакууме.

Так как в ЭПЛИ отсутствует диэлектрическое связующее в люминофоре, они могут работать и на постоянном токе.

Возбуждение электролюминофора происходит из-за инжекции носителей заряда через потенциальные барьеры на поверхности отдельных, контакти­рующих между собой электролюминофора и из-за инжекции из электродов.

При рекомбинации инжектированных носителей избыточная энергия мо­жет выделяться в виде квантов света. Возбуждение люминофора может также происходить из-за эффектов сильного поля (туннелирование и ударная иониза­ция) в обедненных поверхностных слоях кристаллов электролюминофора.

Основные характеристики и параметры ЭПЛИ Сходны с характеристиками ЭПИ, но отличаются количественно:

1. В силу малой толщины пленки люминофора значительно меньшие ра­бочие напряжения.

2. Большая нелинейность яркостной характеристики, чем у ЭПИ.

3. Более высокая разрешающая способность, которая ограничивается размерами отдельных кристаллов электролюминофора (10^-5 ÷ 10^-4 мм). Тонкие пленки практически не рассеивают свет, что также увеличивает разрешающую способность.

28

4. Кратность изменения яркости для ЭПЛИ достигает 10³ .

5. ЭПЛИ проигрывает ЭПИ по экономичности и сроку службы.

6. Общим недостатком ЭПИ и ЭПЛИ является большой разброс парамет­ров.

Фоторезистор

Принцип действия

Фоторезистор - это полупроводниковый прибор, сопротивление которого зависит от освещенности. Принцип действия фоторезистора основан на фоторе- зистивном эффекте (внутренний фотоэффект).

Для осуществления фоторезистивного эффекта необходимо, чтобы в по­лупроводнике происходило либо собственное поглощение с образованием но­вых пар носителей, либо примесной, с образованием носителей одного знака. В области собственного поглощения

Δ U = ΔP = βα Iτ,

где в - внутренний квантовый выход - число пар носителей заряда (число но­сителей заряда при примесном поглощении), образуемых одним поглощенным квантом света;

I - интенсивность света - число квантов в секунду.

Наряду с генерацией идёт рекомбинация и устанавливается динамическое равновесие.

Технология изготовления и конструкция Основная часть конструкции - фоточувствительный слой полупроводни­ка, выполненный в виде монокристаллической или поликристаллической пла­стинки, или в виде поликристаллической пленки полупроводника, нанесенной на диэлектрическую подложку.

В качестве полупроводникового материала для фоторезисторов исполь­зуют: CdS, CdSe, PbS и др.

29