- •Реферат
- •Класифікація і система умовних позначень приймачів оптичного випромінювання
- •Короткі відомості про різні групи приймачів оптичного випромінювання
- •Фотоелектричні приймачі випромінювання
- •Фотоелектронні прилади
- •Теплові приймачі випромінювання
- •Напівпровідникові матеріали, використовувані для виготовлення приймачів випромінювання
Теплові приймачі випромінювання
Принцип дії теплових приймачів випромінювання заснований на використанні термічного ефекту. Оптичне випромінювання, що падає на чутливий елемент, призводить до підвищення його температури і зміни параметра, від неї залежного (опори, місткості та ін.), що фіксується вимірювальною схемою, в яку включається чутливий елемент.
Болометр - фоточутливий прилад, дія якого заснована на зміні його комплексного опору при підвищенні температури чутливого елементу, що відбувається із-за поглинання ним оптичного випромінювання.
Залежно від матеріалу чутливого елементу болометри бувають металеві (нікелеві, вісмутові, золоті, платинові), напівпровідникові (германієві, кремнієві, оксидні на основі нікелю, кобальту і марганцю), діелектричні.
Піроелектричні приймачі випромінювання - прилади, в основу роботи котрих покладений піроелектричний ефект кристалів. Його суть полягає в зміні поляризації пироактнвного кристала в процесі зміни температури на його гранях. Поляризація кристала - це просторове розділення зарядів, таке, що супроводжується виникненням на одній з граней кристала позитивного заряду, а на іншій - негативного. Піроелектричний ефект проявляється тільки за наявності зміни температури кристала в часі, в. т. ч. при реєстрації модульованого або імпульсного випромінювання. Піроелектричний ефект мають монокристали триглицинсульфата (ТГС), ніобату літію, кераміки типу титанату цирконату свинцю, сульфату літію, стронцій-барій ніобату та ін.
Особливістю піроелектричних приймачів випромінювання є те, що дли їх роботи не потрібно джерела живлення, оскільки вони самі є генераторами ЕДС.
Теплові приймальні пристрої ( ТПП ) - прилади, що чутливі до оптичного випромінювання і складаються з чутливого елементу (болометра або піроелектричного приймача випромінювання) і схеми попереднього посилення і обробки електричного сигналу, розміщених в єдиному корпусі. По своїй функціональній структурі вони є приладами, подібними ФПП. Відмінність полягає лише в тому, що у ФПП як чутливі елементи використовується напівпровідникові фотоелектричні приймачі випромінювання, а в ТПП - теплові приймачі. Тому ФПП мають селективну чутливість, а ТПП - неселективну.
Система параметрів теплових приймачів випромінювання така ж, як і у фотоелектричних приймачів випромінювання (фоторезисторів) і ФПП.
Напівпровідникові матеріали, використовувані для виготовлення приймачів випромінювання
Оптико-електронна апаратура, засоби автоматики і телемеханіки працюють головним чином в діапазоні 0,4 .. 30 мкм. Оскільки фотоелектричні напівпровідникові приймачі випромінювання володіють селективною чутливості, то для забезпечення прийому і реєстрації випромінювання в усьому діапазоні спектру застосовується досить велике число напівпровідникових матеріалів з власною і домішковою фотопровідністю. При цьому права межа фотопровідності, визначувана шириною забороненої зони напівпровідникових матеріалів, встановлюється типом використовуваної домішки або рівнем робочої температури для матеріалів з власною провідністю.
Для виготовлення фотоелектричних приймачів випромінювання знаходять застосування: сульфід кадмію (CdS), селенід кадмію (CdSe), кремній (Si), германій (Ge), арсенід галію (GaAs), сульфід свинцю (PbS), селенід свинцю (PbSe), антимонід індію (InSb), потрійні з'єднання типу кадмій - ртуть -теллур (CdHgTe), свинець-олово - теллур (PbSnТе), германій і кремній, леговані різними домішками (Ge : Au, Ge : Si : Cu, Ge : Hg, Ge : Cu, Ge : Zn, Si : B, Si : P, Si : Ta, Si : Pb, Si : As, Si : In та ін.). Діапазон спектральної xenkbdjcns приймачів випромінювання на основі більшості із згаданих вище напівпровідникових матеріалів і граничні значення виявляючої здатності D* на різних довжинах хвиль, визначені з умови флуктуацій числа фотонів теплового випромінювання (режим обмеження фоном) в режимі фоторезистора. Діапазон спектральної чутливості фотоелектронних приладів визначається типом вживаного фотокатода, а в деяких випадках і матеріалом вхідного оптичного вікна.
