- •8.В конце будет.
- •11.Поле точечного источника в однородней среде. Сопротивление заземления электрода
- •14)Точечный источник в однородной анизотропной среде. Парадокс анизотропии.
- •15. Поле точечного источника, расположенного на поверхности горизонтально-слоистого разреза.
- •Профилирование симметричной установкой aa'mnb'b.
- •2) Комбинированное электрическое профилирование установкой amnbc∞ (кэп).
- •3) Профилирование установкой с фиксированными питающими электродами (сг).
- •4) Дипольное электрическое профилирование (дэп).
- •5) Круговое профилирование.
- •21.Метод вызванной поляризации
- •22.Эффекты вп на переменном токе
- •27)Частотное зондирование(чз)
- •31.Дипольное индуктивное профилирование. Типы установок дип. Дип – кпп.
- •32.Метод длинного кабеля
- •36.Метод змпп.
14)Точечный источник в однородной анизотропной среде. Парадокс анизотропии.
Для
некоторых горных пород характерна
анизотропия электрических свойств
и, в частности, удельного сопротивления.
Электроразведка может применяться
для изучения самих анизотропных сред,
а также для поисков рудных месторождений,
залегающих в анизотропных средах. В
обоих случаях необходимо знать
особенности нормального поля точечных
источников в анизотропных средах.
уравнение
определяет искомую потенциальную
функцию.Введем новую систему координат
В
системе координат
уравнение
трансформируется в уравнение лапласа
В
качестве решения рассмотрим:
.Эта
функция описывает потенциал точечного
источника. Компоненты
вектора плотности тока I:
Окончательное
выражение для потенциала точечного
источника в однородной анизотропной
среде
Уравнение
эквипотенциальных поверхностей
15. Поле точечного источника, расположенного на поверхности горизонтально-слоистого разреза.
Пусть в точкеQна поверхности разреза, состоящего из п-1 горизонтальных пластов мощностьюh1, h2, … hi ,… hn-1с глубиной залегания подошвыd1, d2, … di , … dn-1и обладающих сопротивлением ρ1, ρ 2, … ρi ,… ρn-1, находится точечный источник поля, питаемый током. Решение задачи о поле этого источника сводится к отысканию решения уравнения Лапласа ΔU= 0, удовлетворяющего условиям на поверхностях раздела, на бесконечности и у источника поля.
В цилиндрической системе координатr, z, φс вертикальнойосью г, проходящей через источник, эти условия могут быть записаны следующим образом:
Решив уравнение Лапласа с учетом приведенных выше физических условий задачи, можно получить выражение для потенциала точек поверхности горизонтально-слоистого разреза:
Здесь J0(mr) — функция Бесселя первого рода нулевого порядка от mr:
При рг> рi+1 следует оставить cthи arcth, а при рг< рi+1 заменить их на thи arth.
Обозначив R1(m) — 1 черезR’(т), получим
Выражение для напряженности поля можно получить, дифференцируя это выражение по r. Учитывая, что
Если существует общая мера глубины do, целое число раз укладывающаяся вd1,d2, ... ДляR'i(т) может быть получено выражение в виде бесконечной суммы экспонент
гдеq— коэффициент эмиссии, который может быть рассчитан для любого значенияiпо заданным параметрам многослойного разреза (методы расчета коэффициентов эмиссии изложены в работе. Потенциал точек поверхности земли при указанных выше условиях может быть выражен в виде бесконечной суммы элементарных функций:
Где
- коэффициенты удаления, не зависящие
от сопротивлений горизонтов.
В соответствии с этим напряженность поля на поверхности земли:
где коэффициент удаления
16. Методы электропрофилирования СЭП, КЭП, ДЭП, СГ, КрЭП. 1) Профилирование симметричной установкой AMNB (СЭП).
Применяется при изучении простых геоэлектрических разрезов, в которых изучаемые геологические объекты находятся в сравнительно однородных вмещающих породах и перекрыты выдержанными по мощности и сопротивлению покровными отложениями; для определения простирания пластов, направления трещинноватости. Плохо проводящий пласт в том случае, когда установка для профилирования находится непосредственно над ним, отжимает ток к поверхности земли. Увеличение плотности тока ведет к увеличению напряженности поля и, следовательно, к увеличению кажущегося сопротивления. Плохо проводящий пласт на графике СЭП отмечается максимумом рк. При построении карт и графиков рк по данным профилирования с симметричной установкой точку записи располагают в центре установки.
