Критическая температура конденсации. Зависимость структуры пленки от температуры подложки.
Температура подложки существенно влияет на структуру пленки. Для получения поликристаллической структуры пленок подложки обычно нагревают до температур в пределах 150 – 350○С . Температура, выше которой все атомы испаряемого вещества отражаются от подложки и пленка не образуется, называется критической температурой конденсации, Она зависит от природы испаряемого материала и от состояния поверхности подложки.
Реально методом ТВИ напыляют пленки толщиной 1 – 2 мкм. Хорошую адгезию ( силу сцепления) к подложке имеют легко окисляющиеся металлы Al, Cr, Mn, Ti, W и др. Плохую адгезию имеют такие высокоэлектропроводные металлы как Cu, Au, Pt Pd и др.
Рис.1а. Рабочий объем установки УВН-2М-1
1-испаритель; 2-кварцевый датчик толщины; 3-диск с трафаретами; 4-карусель подложек; 5-датчик контроля сопротивления пленки-«свидетель»;6-заслонка; 7-электронно-лучевой испаритель.
Рис.1б. Рабочий объем установки УВН2М-2
1-карусель испарителей; 2-экраны; 3-диафрагма; 4-карусель трафаретов и подложек;5-нагркватель подложек;6-датчик сопротивления пленки; 7-электроды ионной очистки подложек; 8-коллектор; 9-заслонка.