420075, Казань, к.Маркса 68

Элемент

Типы /Название

Структура

B/A-характеристика

Условно-графическое обозначение

Технические параметры

Назначение

Диод

Полу-провод-

никовый

П.п. устройствос одним p-n переходом

выпрямительный, импульсный, СВЧ,

варикап, стабилитрон

1 p-n переход

Вольт-амперная характеристика

^{Технические параметры:}

^{1.Тип диода.(Si, Ge)}

^{2.Imax- максимальный ток,}

^{3.Uобр- мак-ное обратное напряжение(напряжение пробоя)}

^{4. Макс.-ая температура.}

^{Выпрямитель (преобразование переменного напряжение в постоянный);}

^{логические элементы;}

^{параметрический конденсатор}

Стабилитрон

Использует обратную ветвь В/А характеристики –ветвь пробоя

Стабилитрон

Ucт,

Iст.

^{Стабилизация напряжения в источниках питания}

Свето-диод

Излучение света при прохождении тока через через

p-n переход

^{1.Тип светодиода.}

^{2.Iном номинальный ток,}

^{3..I max- максимальный ток,}

^{4.Uобр- мак-ное обратное напряжение(напряжение пробоя)}

^{5. Макс.-ая температура.}

^{6. Цвет излучения}

^{Световые индикаторы}

Тиристор

П.п. устройствос 3 p-n переходами

а)неуправляемый диодный

б) триодный

управляемый

по аноду

закрываемый

управляемый

по катоду

3 p-n перехода

^{Технические параметры:}

^{1.Тип тиристора}

^{2.Imax- максимальный ток,}

^{3.Uобр- напряжение пробоя}

^{4..Uвкл-напряжение включения}

^{5. Макс.-ая температура}

^{Неуправляемые}

^{и управляемые выпрямители, частотные преобразователи ,}

^{электронные ключи}

Транзис

тор

Биполярные

Полупроводниковое устройство с 2 p-n переходами

( n-p-n или p-n-p)

Входная характеристика

Выходная характеристика

Биполярные

транзисторы управляются током.

Ток базы увеличивает ток коллектора в β –раз. ( β ~ 10¹÷10⁴)

^p

^p

I_Э

Входная

х-ка:

I_б=f(U_бэ)

U_{кэ =const}

Выходная

х-ка:

I_k=f(U_{k э})

I_{б =const}

β -коэффициент усиления по току

β=∆I_K/∆I_Б

β _х ~ 10¹ ÷10⁴

Bходное сопротивление тр-ра

R_вх ~ U_БЭ/I_Б =10¹-10⁴

^{Технические параметры:}

^{1 Тип транзистора}

^{2. β- коэфф-нт усиления по току}

^{3.Iк max- IБ max- максимальный токи базы и коллектора,}

^{4.Uкэ- напряжение пробоя перехода КЭ}

^{5..UБЭ- максимальное напряжение перехода БЭ}

^{6.Макс.-ая мощность}

^{7.Входная и выходная хар-ки}

,

^{Триггеры}

^{Усилители,}

^{Электронный генератор, Электронный ключ,}

^{Логические элементы}

Полевые

транзисторы управляются напряжением.

Выходное напряжение больше входного напряжения в K_U раз.

K_U=Uвых/Uвх

( K_U ~10¹÷10⁴)

Существуют несколько типов полевых транзисторов

Полевой с управляющим p-n переходом.

Полевой со структурой Керамика-Металл- Оксид-Подложка (КМОП)

Светотриод

В светотриоде - ток коллектора зависит от светового сигнала на входе.

Ток базы управляется световым сигналом на входе

Схемы включения БП транзисторов:

Схемы включения полевых транзисторов:

Сопротивления, конденсаторы, индуктивности, источники вторичного электропитания

Резистор,

.

Последовательное соединение R_i

R=∑R_i

Паралельное соединение R_i

R=1/ g

где g =∑g_i, g_i =1/R_i

Электрические цепи электронных приборов

Ограничители тока, делители напряжения

Нагреватели

Индуктивность

Eмкость

L=Ф/I=dФ/di [Генри]

U_L=Ldi/dt

I_L(t)=1/L∫U_L (t)dt

Z_L=j·X_{L ,} X_L =ωL

X_c =1/ωC

Z_c=-j·X_{c ,} X_c =1/ωC

С = q/U= dq/dU [Фарада]

i_c(t)=1/c ∫ U_c (t)dt

Z_c=-j·X_{c ,} X_c =1/ωC

Последовательное соединение L_i

L=∑L_i

Паралельное соединение R_i

L=1/ g

где g =∑g_i, g_i =1/L_i

Последовательное соединение С_i

С=1/ g

где g =∑g_i, g_i =1/С_i

Паралельное соединение С_i

С=∑С_i

Обмотки трансформаторов, Катушки для создания магнитных полей, создание

Накопители магнитной энергии

избирательных резонансных цепей, линии задержки

Накопители электрической энергии, Электрические фильтры в выпрямителях, фазосдвигающие цепочки, резонансные цепи