- •2. Полупроводниковые диоды: разновидности, их особенности функционировании, свойства, сравнительные характеристики, области применения.
- •3. Вах п./п. Диодов. Электрические модели п/п диода. Уравнение Эберса-Молла, понятие о температурном коэффициенте напряжения и температуре удвоения.
- •8. Биполярные транзисторы (бт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия, основные параметры, режимы работы бт.
- •9. 3 Схемы включения бт: сравнительные характеристики схем включения, входное и выходное сопротивления, коэффициенты усиления по току, по напряжению и по мощности.
- •10. Режимы работы бт. Способы задания режимов работы бт для каждой из 3-х схем включения (привести схемы включения)
- •11. Статические характеристики и параметры бт. Определение дифференциальных параметров бт по статическим характеристикам. Особенности реальных характеристик. Предельные характеристики и параметры.
- •12. Модели бт: т-образная (физическая модель), бт - как четырёхполюсник.
- •13. Частотные и импульсные свойства бт. Модель Джиоколлетта. Частотные свойства бт для схем включения с об и оэ. Понятие о дрейфовом транзисторе.
- •15. Полевые транзисторы (пт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с управляемым р-n переходом.
- •14. Составные бт (схема Дарлингтона) Примеры включения. Свойства, применение
- •16. Пт с изолированным затвором: условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с изолированным затвором с встроенным и индуцированным каналом.
- •1 7. Характеристики и параметры пт.
- •18. Модели пт, частотные и импульсные свойства схемы включения. Области применения.
- •19. Фотодиоды и светодиоды: режимы работы, схемы, свойства, применение.
- •20. Фототранзисторы и фототиристоры: работа, свойства, применение.
- •21.0Птопары: классификация, схемы включения, свойства, применение.
14. Составные бт (схема Дарлингтона) Примеры включения. Свойства, применение
С
оставной
транзистор — объединение двух или более
БТ с целью увеличения коэффициента
усиления по току. Составной транзистор
является каскадным соединением нескольких
транзисторов, включенных по схеме с
общим коллектором. Нагрузкой предыдущего
каскада является переход база-эмиттер
транзистора следующего каскада, то есть
транзисторы соединяются коллекторами,
а эмиттер входного транзистора соединяется
с базой выходного. Кроме того, может
использоваться нагрузка в виде резистора.
Такое соединение рассматривают как
один транзистор, коэффициент усиления
по току которого при работе транзисторов
в активном режиме приблизительно равен
произведению коэффициентов усиления
первого и второго транзисторов.
С
оставной
транзистор имеет 3 вывода, которые
эквивалентны выводам обычного одиночного
транзистора. Коэффициент усиления по
току типичного составного транзистора
у мощных транзисторов равен ~1000 и у
маломощных транзисторов ~50000. Это
означает, что небольшого тока базы
достаточно для того, чтобы составной
транзистор открылся.
Достоинства составного транзистора: Высокий коэффициент усиления по току.
Недостатки составного транзистора:
Низкое быстродействие, особенно перехода из открытого состояния в закрытое.
Прямое падение напряжения на переходе база-эмиттер почти в два раза больше чем в обычном транзисторе и составляет для кремниевых транзисторов около 1.2 - 1.4 В
Большое напряжение насыщения коллектор-эмиттер, для кремниевого транзистора около 0.9 В (по сравнению с 0.2 у обычных транзисторов) для маломощных транзисторов и около 2 В для транзисторов большой мощности.
Составные транзисторы нашли широкое применение во входных каскадах операционных усилителей, в ключевых и низкочастотных схемах.
15. Полевые транзисторы (пт): условные обозначения, классификация, устройство, принцип действия пт с управляемым р-n переходом.
П
олевой
транзистор — полупроводниковый прибор,
в котором ток изменяется в результате
действия перпендикулярного тока
электрического поля, создаваемого
входным сигналом(на рисунке канал n-типа
и p-типа)
Протекание в полевом транзисторе
рабочего тока обусловлено носителями
заряда только одного знака, поэтому
такие приборы часто включают в более
широкий класс униполярных электронных
приборов.
Полевой транзистор можно включать по одной из трех основных схем: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). На практике чаще всего применяется схема с ОИ, аналогичная схеме на биполярном транзисторе с ОЭ. Каскад с общим истоком даёт очень большое усиление тока и мощности. Схема с ОЗ аналогична схеме с ОБ. Она не даёт усиления тока, и поэтому усиление мощности в ней во много раз меньше, чем в схеме ОИ. Каскад ОЗ обладает низким входным сопротивлением, в связи с чем он имеет ограниченное практическое применение.
По физической структуре и механизму работы полевые транзисторы условно делят на 2 группы. Первую образуют транзисторы с управляющим р-n переходом или переходом металл — полупроводник (барьер Шоттки), вторую — транзисторы с управлением посредством изолированного электрода (затвора), т. н. транзисторы МДП (металл — диэлектрик — полупроводник).
П
олевой
транзистор с управляющим p-n переходом
— это полевой транзистор, затвор которого
изолирован (то есть отделён в электрическом
отношении) от канала p-n переходом,
смещённым в обратном направлении. Такой
транзистор имеет два невыпрямляющих
контакта к области, по которой проходит
управляемый ток основных носителей
заряда, и один или два управляющих
электронно-дырочных перехода, смещённых
в обратном направлении. При изменении
обратного напряжения на p-n переходе
изменяется его толщина и, следовательно,
толщина области, по которой проходит
управляемый ток основных носителей
заряда. Область, толщина и поперечное
сечение которой управляется внешним
напряжением на управляющем p-n переходе
и по которой проходит управляемый ток
основных носителей, называют каналом.
Электрод, из которого в канал входят
основные носители заряда, называют
истоком. Электрод, через который из
канала уходят основные носители заряда,
называют стоком. Электрод, служащий для
регулирования поперечного сечения
канала, называют затвором. Электропроводность
канала может быть как n-, так и p-типа.
Поэтому по электропроводности канала
различают полевые транзисторы с n-каналом
и р-каналом. Все полярности напряжений
смещения, подаваемых на электроды
транзисторов с n- и с p-каналом,
противоположны. Управление током стока,
то есть током от внешнего относительно
мощного источника питания в цепи
нагрузки, происходит при изменении
обратного напряжения на p-n переходе
затвора (или на двух p-n переходах
одновременно). В связи с малостью обратных
токов мощность, необходимая для управления
током стока и потребляемая от источника
сигнала в цепи затвора, оказывается
ничтожно малой. Поэтому полевой транзистор
может обеспечить усиление электромагнитных
колебании как по мощности, так и по току
и напряжению.
