3.3. Описание принципа работы схемы с оэ

Исследование характеристик транзистора в схеме с ОЭ выполняют по схеме - рис. 3.1. Ток I_Б является входным, а I_К → выходным, т.е. входной характеристикой является зависимость

I_Б = f (U_БЭ) | U_КЭ = const.

При напряжении U_КЭ = 0 входная характеристика (рис. 3.3) соответствует прямой ветви ВАХ эмиттерного n-p-перехода, похожая на ветвь обычного диода.

При напряжении U_КЭ > 0 прямая ветвь смещается вправо потому, что начинает приоткрываться переход К-Э, вызывая тепловой ток коллектора I_КБО, который направлен навстречу току I_Б.

Н а рис. 3.3 приведен пример входных характеристик для Si и Ge транзисторов, включенных по схеме с ОЭ.

Характеристики 2 и 3 проходят правее характеристик 1, так как I_Б является лишь частью I_Э. Разли­чие между характеристиками 2 и 3 обусловлено тем, что при |u_КЭ| 0,5В коллекторный переход смещен в обратном направле­нии, а при |u_КЭ| = 0,1-0,2 В - в прямом направлении.

Например, u_БК = u_ЭК - u_ЭБ = 0,65 - 0,2 = 0,45 В.

*(На базе напряжение более положительно, чем напряжение на коллекторе).

Н а рис. 3.4 приведен пример выходных вольтамперных характеристик транзистора.

I_ВЫХ в схеме является I_К, т.е. выходными характеристиками (ВАХ) является зависимость I_К = f(U_ЭК) снятая для фиксированных значений I_Б = const.

Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОЭ (рис. 3.4), не пересекают ось ординат, а сдвинуты вправо на величину U_БЭ.

Напряжение U_БК оказывается равным разности напряжений U_БК = U_ЭК - U_БЭ.

3.4. Порядок выполнения работы:

А) Исследование статических входных характеристик транзистора

Опыты проводят по схеме (рис. 3.1) для 3-х значений напряжений U_{КЭ (}const₎.

1) Резистором R₂ задают значение напряжения: U_КЭ = 0; либо 0,5; либо 1,0 (В).

2) Резистором R₁ задают напряжение U_БЭ с шагом 25 ÷ 50 mВ (8÷12 значений), от 0,2 В (для Ge) или от 0,4 В (для Si) и фиксируют параметры: U_БЭ, I_Б и I_К.

3) Измеренные параметры записывают в таблицу №3.1.

4) Повторить опыты (П.2), установив например, U_КЭ.2 = 0,5; U_КЭ.3 = 1 (В)…….

5) Построить зависимости I_Б = f(U_БЭ) при U_КЭ = const;

6) Необходимым условием качества эксперимента является поддержание

одинакового параметра U_{КЭ (}const₎ для всех текущих значений U_БЭ и I_Б.

Таблица 3.1. Снятие входных характеристик транзистора ______ в схеме с ОЭ

Характеристики транзистора:
	1) UКЭ (В) = 0 (const) !			2) UКЭ (В) = 1 (const) !			3) UКЭ (В) = 2 (const) !
№	UБЭ В	IБ mA	IК mA	UБЭ В	IБ mA	IК mA	UБЭ В	IБ mA	IК mA
1
2
.
n

Б) Исследование статических выходных характеристик транзистора

Опыты проводят по схеме (рис. 3.1) для 4-х значений токов базы I_{Б (}const₎.

1) Резистором R₁ задавать значение тока базы: I_Б = 50; 100; 200; 300 (мкA).

2) Резистором R₂ задавать напряжение U_КЭ с шагом 1 В (8÷12 измерений),

и фиксировать значения параметров: U_КБ, U_БЭ, I_К.

3) Измеренные параметры записать в таблицу №3.2.

4) Повторить опыты (П.2), установив ток базы: I_Б = 50; I_Б = 100; I_Б = 200 мкА.

5) Построить зависимости I_К = f(U_КЭ) при I_Б = const

6) Необходимым условием точности (качества) эксперимента является поддержание одинакового параметра I_{Б (}const₎ для всех текущих значений U_КЭ и I_К.

7) Сравнить измеренные и справочные параметра, приведенные в табл. №3.3

Таблица 3.2. Снятие выходных характеристик транзистора ______ в схеме с ОЭ

№ шага		1) IБ = 50 мкА		2) IБ = 100 мкА		3) IБ = 200 мкА		4) IБ = 300 мкА
№	UКЭ В	IК mA	UБЭ В	IК mA	UБЭ В	IК mA	UБЭ В	IК mA	UБЭ В
1	1
2	2
3	3
.	.
n	.