Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Методичка лабы_Схемотехника-2007.doc
Скачиваний:
3
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
4 Мб
Скачать
☆

2.7Рекомендуемая литература

  1. Мамонкин И.Г. Усилительные устройства. – М.: Связь, 1977. – с. 360.

  2. Цикин Г.С. Усилительные устройства. – М.: Связь, 1971. – с. 163-188.

  3. Войшвилло Г.В. Усилительные устройства. – М.: Связь, 1975.

  4. Шарыгина Л.И. Усилительные устройства. – Томск: Изд-во Томск. ун-та, 1976. – с. 412.

  5. Агаханян Т.М. Основы транзисторной электроники. – М.: Энергия, 1974. – с. 228-231.

2.8Контрольные вопросы

2.8.1. Поясните назначение элементов резисторного каскада.

2.8.2. Нарисуйте эквивалентные схемы резисторного каскада в области нижних, средних и верхних частот.

2.8.3. Что является причиной частотных искажений в области нижних и верхних частот?

2.8.4. Какой вид имеет переходная характеристика резисторного каскада в области больших времен? Напишите формулу для переходной характеристики.

2.8.5. Какой вид имеет переходная характеристика резисторного каскада в области малых времен? Напишите формулу.

2.8.6. Нарисуйте форму прямоугольного импульса, усиленного резисторным каскадом. Как влияют на форму импульса разделительный конденсатор СР и емкость С0, нагружающая каскад?

2.8.7. Что такое амплитудная характеристика усилителя?

2.8.8. Как изменится линейная часть амплитудной характеристики, если отключить блокировочный конденсатор в цепи истока Си?

2.8.9. Покажите путь протекания постоянной составляющей тока стока.

2.8.10. Покажите путь протекания переменной составляющей тока стока в выходной цепи.

3Резисторный каскад с общим эмиттером

3.1Цель работы

Целью работы является исследование резисторного каскада на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ и влияния элементов каскада на его частотную характеристику в области верхних частот.

3.2Схема исследуемого макета

Лабораторный макет (рис. 3.1) представляет собой двухкаскадный усилитель, собранный на транзисторах МП39Б. Оба каскада работают в одинаковом режиме (ток покоя коллектора IК0=1 мА, напряжение покоя на коллекторе UК0=4,2 В). В работе исследуется первый каскад, работающий

  • либо в качестве оконечного каскада с активной нагрузкой (рис. 3.2),

  • либо в качестве промежуточного каскада, внешней нагрузкой которого по переменному току является входное сопротивление следующего каскада (рис. 3.3).

Схема лабораторного макета

Рис. 3.1.

Каскад с активной нагрузкой

Рис. 3.2.

Двухкаскадный усилитель

Нагрузкой первого каскада (VT1) является входное

сопротивление второго каскада (VT2).

Рис. 3.3.

Резистор в коллекторной цепи RК1 создает путь для протекания постоянной составляющей коллекторного тока. Совместно с сопротивлением внешней нагрузки RН1 (рис. 3.2) или с входным сопротивлением следующего каскада (рис. 3.3) резистор RК1 образует сопротивление нагрузки в цепи коллектора R~ по переменному току.

Разделительный конденсатор СР1 устраняет взаимосвязь режимов транзисторов данного и следующего каскадов по постоянному току. Для переменных составляющих сопротивление этого конденсатора во всем рабочем диапазоне частот должно быть достаточно малым, в связи с чем, емкость конденсатора CР1 выбирается большой.

Резистор эмиттерной термостабилизации RЭ включается для повышения стабильности тока покоя коллектора при изменении температуры или замене транзистора. Стабилизация осуществляется отрицательной обратной связью по току, снимаемой с резистора RЭ.

Блокировочный конденсатор СЭ большой емкости включается параллельно RЭ для устранения потери усиления в рабочем диапазоне частот, за счет обратной связи. Конденсатор СЭ практически «закорачивает» RЭ для частот сигнала. Таким образом, ликвидируется обратная связь для переменных составляющих во всем рабочем диапазоне частот. Остается обратная связь для приращений постоянных составляющих, за счет которой и осуществляется термостабилизация режима по постоянному току.

Резисторы RБ1 и RБ2 образуют базовый делитель и служат для подачи напряжения смещения на базу. Напряжение смещения между базой и эмиттером равно разности падений напряжений снимаемых с резисторов RБ2 и RЭ.

Эффективность стабилизации режима возрастает при увеличении RЭ и уменьшении RБ1 и RБ2.