2.2.3 Вибір транзисторів

Хоча транзистори є приладами універсального використання і можуть успішно використовуватись у функціональних елементах різних класів, їх потрібно використовувати переважно по призначенню, вказаному в довіднику. Набір параметрів і характеристик, приведений в довіднику, відповідає у першу чергу цьому призначенню транзистора і забезпечує детальний розрахунок схеми вказаного класу.

По цільовому призначенню транзистори звичайно поділяють на посилювальні, перемикаючі (імпульсні), генераторні і спеціальні (лавинні, подвоєні, двоемітерні і т.п.). В довіднику приводяться значення параметрів транзистора для відповідних оптимальних або межових режимів експлуатації. Робочий режим транзистора в проектованому пристрої часто відрізняється від вказаного в довіднику. В такому випадку необхідно за характеристиками і формулами, що є в довіднику, а також методу інтерполяції визначитти значення параметрів транзистора, що відповідають вибраному режиму.

_{Використання високочастотних транзисторів в низькочастотних пристроях небажано, через те що вони дорогі, схильні до самозбудження і розвитку вторинного пробою, мають менші експлуатаційні запаси. Експлуатаційний запас – це різниця між максимальним (межовим) значенням якого-небудь параметру і його максимально допустимим значеннням.}

_{Максимальні значення параметрів визначають такі режими, при яких робота транзистора (або іншого ЕРЕ) недопустима через низьку надійність; максимально допустимі значення параметрів – такі значення, в межах яких гарантують максимально допустимі значення параметрів. Не допускається перевищення максимально допустимих значень напруг, струмів, температури, потужності розсіювання. Як правило, транзистор працює більш стійко при неповному використанні його по напрузі і повному використанні по струму. Для надійної роботи транзистора напруга на його колекторі і потужність, яка розсіюється на ньому, повинні складати не більше 70-80% від максимально допустимих значень. Створюваний тим самим другий експлуатаційний запас попереджає перевищення цими параметрами їх максимально допустимих значень при коливаннях, наприклад, напруг живлення, при перехідних режимах, що виникають при включенні живлення, та ін.}

_{Коефіцієнт пердачі струму бази h21Е залежить від струму колектора і при деякому його значенні звичайно має максимальне значення. Для хорошого посилення на низьких частотах бажано вибрати це максимальне значення h21Е або близьке до нього по приведених в довіднику графіках. В інших випадках коефіцієнт пердачі струму необхідно приймати рівним, вказаному в довіднику типовому значенню або середньому арифметичному від мінімального і максимального значень параметра.}

_{Для реалізації зарядних комірок та формувача стабільного струму використаєм біполярні транзистори, таблиця 5.}

Таблиця 5 – Параметри біполярних транзисторів зарядного пристрою

Тип транзистора	Ікmах, мА	Uкеmах, В	Uкб, В	h21e	Ік, мА	ІКБ0, мкА	frp, МГц	Тип
КТ3102А	100	30	5	80..200	2	0,1	200	p-n-p
КТ503А	200	50	40	20…60	100	10	5	p-n-p

Таким чином, розроблені структурна та функціональна схеми зарядного пристрою, а також вибрана необхідна елементна база для реалізації схеми електричної принципової.