Концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике

75
100
120
150
200
300
400

в) Построить график 1 зависимости равновесной конфигурации носителей тока от температуры в координатах ;

г) Проверить правильность построения графика, выполнив обратную задачу: используя значение , найти ширину запрещенной зоны полупроводника , сравнить с исходным значением . Найти погрешность ;

= ln/ (1/Т)

2. Рассчитать температурную зависимость уровня Ферми в собственном полупроводнике.

За начало отсчета принять

Расчетная формула:

а) Результаты расчетов представить в таблице 2

Таблица 2

Зависимость в собственном полупроводнике

100
200
300
400
500

б) Построить график 2 «Зависимость в собственном полупроводнике»;

3. Рассчитать температуры ионизации донорной примеси и ионизации основного вещества в полупроводнике типа методом последовательных приближений. В качестве начальных температур использовать значения = 400 , = 50 .

Расчетные формулы:

-температура ионизации доноров

Для удобства расчетов формул для и представить в виде:

=А1* , =А2*

А2,А -числовые значения

Величины выразить в Джоулях; , ,N d в .

Результаты расчетов представить в виде таблиц 3,4

Таблица 3

Расчет температуры для донорного полупроводника.

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13
	400

Таблица 4

Расчет температуры для донорного полупроводника.

	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11	12	13
	50

Расчеты провести с точностью до 0,1 К;

4. Рассчитать температуру ионизации и в акцепторном полупроводнике методом последовательных приближений. Расчеты аналогичны расчетам в п. 3, результаты представить в виде таблицы 5,6 (аналогичных табл. 4 и 5);