Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
VI Методы фотоэлектронной спектроскопии.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
183 Кб
Скачать
☆

6.4.2. Анализ по рэс

Особенности анализа по РЭС:

твердые образцы

большое время измерений (несколько часов)

глубина исследования – до 100Å – метод исследуемых поверхностей.

Трудности в построении калибровочных кривых связаны

  1. нулевая энергия связи для твердого тела выбирается по уровню Ферми, а не по уравнению вакуума, как в УФЭС;

  2. вторичные элементы в объектной камере могут создать на поверхности образца дополнительный (поверхностный) заряд.

Уровень Ферми и поверхностный заряд зависят от природы образца, так что необходима удобная система эталонов(часто используется 1sС). Чем дальше в энергии шкал от 1sС – тем ошибка в Еi больше.

РЭС позволяет с высокой достоверностью произвести элементный качественный анализ, идентификацию отдельных элементов, установить, находятся ли атомы данного элемента в эквивалентных химических состояниях, определить степени их окисления.

На основе известных данных составляются корреляционные таблицы, которые далее могут использоваться для идентификации и качественного анализа.

Наибольшее число результатов получено по идентификации.Смеси исследованы значительно меньше.

Основа количественного анализа

Si ~ Nфσic

σi зависит сложным образом от формы, размера орбитали и энергии ионизирующего излучения, угла падения фотона.

Кроме того Si зависит дополнительно от многих эксплуатационных факторов.

Для ряда классов (например, определение фтора в стекле при СF<3%) получены градуировочные графики, т.е. δ=S(с).