- •Содержание
- •1.Входной выпрямитель
- •Выберем конденсаторы Epcos b43456a9228m000 2200 (мкФ),400 (в) 3 штуки, параллельно.
- •Ограничитель пускового тока.
- •2.Расчет преобразователя
- •2.1 Расчет индуктивности l1
- •2.2 Расчет трансформатора
- •3. Расчёт токовой защиты на трансформаторе тока
- •5. Микроконтроллер ucc2895
- •6. Драйверы управления силовыми транзисторами
- •7. Дополнительная плата питания микросхем
- •8. Описание конструкции
- •4. Расчет схемы термозащиты
- •9. Литература
1.Входной выпрямитель
Расчет мощности:
Ток через конденсатор С1 равен току нагрузки по абсолютной величине
Рассчитаем конденсатор С1:
Выберем конденсаторы Epcos b43456a9228m000 2200 (мкФ),400 (в) 3 штуки, параллельно.
Диодный мост возьмем готовый: Vishay/IR 26MB60A Uобр=600 (В), Iпр=25 (А), Iимп=335 (А)
Ограничитель пускового тока.
Umax=Umaxсети=358 (В), Imax через диоды возьмем 70 (А)
R1=5.1 (Ом)
2.Расчет преобразователя
Мостовой преобразователь на IGBT транзисторах
Роль индуктивности, обеспечивающей переключение при нулевом напряжении, будет выполнять индуктивность рассеивания трансформатора.
Регулировочная характеристика преобразователя:
Коэффициент трансформации:
Расчет γmin и tимп:
γ изменяется в интервале [0.536-0.8], tимп изменяется в интервале [5.36-8]
Обратное напряжение на диодах:
Возьмем готовый диодный мост: MB506 (KBPC5006) Iпр=50 (А),Uобр=600 (В),Iимп=400 (А).
2.1 Расчет индуктивности l1
Пульсацию тока возьмем-0,2*Iн=8(А).
(А)
Минимальная величина пульсации тока будет равна:
Расчет сердечника:
Коэффициент заполнения возьмем 0,2.
Площадь меди:
Площадь окна:
Возьмем Bm=0,25(Тл):
Выберем 2 Ш-образных сердечника Epcos b66325 E42\21\15
Рассчитаем витки:
Зазор:
2.2 Расчет трансформатора
Площадь меди:
Витки:
Действующее значение тока:
(А)
Выбираем кольцевой сердечник Epcos R36\23\15 Sокна=415мм2 Sсер=602мм2
Sокна* Sсер=2498*10-10(м4)
Рассчитаем количество витков первичной и вторичной обмоток:
Толщину жилы возьмем 0,2мм:
Провод первичной обмотки состоит из 90 жил, провод вторичной из 180
Силовые транзисторы
В качестве силовых транзисторов выберем IGBT транзисторы с внутренним диодом IRG4PF50WD: Iкэ= 51 А(250 С), 28 А(1000 С), Uкэ max= 900 В, toff= 220 нс, VGE = ±20 В.
3. Расчёт токовой защиты на трансформаторе тока
Напряжение на выводе Ramp равно 2,35+0,8=3,15(В).Напряжение на CS не должно превышать 2(В).Число витков первичной обмотки TA примем равным 1, вторичной 100.
Первичная обмотка трансформатора тока стоит в цепи коллектора одного из силовых транзисторов, поэтому максимальный ток через него равен:
На вторичной обмотке:
Резистор R10
Расчет R8,R9:
В качестве С9 возьмем конденсатор EPCOS B41828A4106M007: 10мкФ, 16В
