Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
karpeka_shpory_elektronika.docx
Скачиваний:
4
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
4 Мб
Скачать
☆

5.Одноконтактный трансформаторный с пн (блокинг-генератор)

Транзистор охвачен ПОС (трансформаторной): при включении питания через Rсмещ в базу транзистора поступает ток, который усиливается и вызывает изменение напряжения на . Обмотки включены так, что при этом напряжении на также увеличивается и еще больше открывают VT. В результате этого лавинообразного процесса VT полностью открывается. Величина тока через него ограничивается либо током базы = (преобразователях с насыщающимся трансформатором либо током насыщения ферромагнитного сердечника трансформатора либо дросселя). При этом E=-L уменьшается и полностью меняет свою полярность, что вызывает соответствующее лавинообразное запирание транзистора.

Используется:

В маломощных преобразователях напряжения (1-10 Вт) (т.к. низкий КПД).

Недостатки схем с самовозбуждением:

-частота генерации невысока (кГц), и определяется параметрами трансформатора, при увеличении потребляемого тока частота уменьшается, следовательно уменьшается и максимальная отдаваемая мощность.

- существует усложнение схемы, при необходимости исключения сквозных токов в 2х-тактных схемах.

6.Трансформаторные двухтактные пн

Двухтактный ПН с самовозбуждением охваченный трансформаторной положительной ОС

При включении питания VT1 приоткрывается, через его половину коллекторной обмотки начинает протекать ток, индуцирующий в его базовой обмотке отпирающее VT1 напряжение. Возникший лавинообразный процесс полностью отпирает VT1, VT2 при этом заперт напряжением на его базовой обмотке. По мере насыщения сердечника, индукция в нем перестает нарастать, что вызывает изменение полярности напряжения на базовой обмотке VT2, который теперь отпирается и запирает VT1. Диоды для защиты эмиторных переходов, конденсаторы ускоряют переключение.

Частота переключения определяется главным образом параметрами трансформатора. При уменьшении сопротивления нагрузки, а значит, при увеличении потребляемой мощности частота уменьшается, что в свою очередь приводит к уменьшению выходной мощности (это недостаток).

Недостаток: в схеме с ОЭ нельзя транзисторы разместить на один радиптор.

7.Преобразователи с независимым возбуждением

Д вухтактный преобразователь со средней точкой.

VD3 предназначен для обеспечения цепи разряда энергии дросселя через нагрузку.

VD1,VD2 диоды Шоттки (нет диффузионной ёмкости, высокомощные)

Недостатки: 1.габаритные мощности трансформатора, 2.возмодно подмагничивание сердечника.

С целью исключения сквозных токов схем управления осуществляет задержку подачи отпирающего импульса на VT1 после подачи запирающего на VT2 и наоборот. Эта задержка может регулироваться в схеме управления в зависимости от времени включения используемых транзисторов. В высокочастотных преобразователях оказывается эффективным использование сглаженных дросселей, которые по критерию «цена-качество» могут превосходить конденсаторы, но из-за наличия вышеупомянутой задержки VD1 и VD2 могут оказаться запертыми одновременно, что приведет к режиму прерывистых токов L и к многократному возрастанию напряжения на ней. Этот недостаток позволяет устранить VD3, создающий путь разряда энергии для L.

С целью исключения сквозных токов схем управления осуществляет задержку подачи отпирающего импульса на VT1 после подачи запирающего на VT2 и наоборот. Эта задержка может регулироваться в схеме управления в зависимости от времени включения используемых транзисторов. В высокочастотных преобразователях оказывается эффективным использование сглаженных дросселей, которые по критерию «цена-качество» могут превосходить конденсаторы, но из-за наличия вышеупомянутой задержки VD1 и VD2 могут оказаться запертыми одновременно, что приведет к режиму прерывистых токов L и к многократному возрастанию напряжения на ней. Этот недостаток позволяет устранить VD3, создающий путь разряда энергии для L.

8.2-хтактная схема с самовозбуждением:

VD1 и VD2 защищают эмиттерные переходы высокочастотных транзисторов при пробоях при обратных полярных напряжениях. уменьшаются во время переключения транзисторов и КПД увеличивается. нужно только для запуска.

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]