- •1.Классификация и конструкции резисторов.
- •2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
- •3.Специальные резисторы.
- •8.Температурная зависимость удельного сопротивления металлов
- •5.Параметры конденсаторов. Номинальная емкость и допустимое отклонение от номинала.
- •6.Катушки индуктивности
- •4.Дефекты кристаллического строения. Аморфные тела.
- •7.Трансформаторы
- •1.Классификация материалов. Проводники. Полупроводники. Диэлектрики. Магнитные материалы.
- •2.Виды химической связи.
- •12.ТермоЭдс. Эффект Зеебека. Эффект Пельтье. Эффект Томпсона.
- •3.Особенности строения твердых тел. Кристаллы. Индексы Миллера.
- •5.Зонная теория твердого тела.
- •7.Жидкие кристаллы в электронной технике.
- •6.Общие сведения о проводниках. Сверхпроводники.
- •16.Тугоплавкие металлы.
- •9.Сопротивление проводников на высоких частотах(вч).
- •10.Сопротивление тонких металлических пленок
- •11.Контактные явления в металлических проводниках
- •13.Термопары(тп). Материалы для термопар.
- •14.Материалы высокой проводимости.
- •15.Сплавы высокого сопротивления.
- •17.Благородные металлы.
- •19.Проводниковые материалы. Неметаллические проводники.
- •20. Припои и флюсы.
- •30.Диэлектрики. Поляризация. Диэлектрическая проницаемость. Поляризованность. Диэлектрическая восприимчивость.
- •21.Полупроводники. Собственные полупроводники.
- •22.Примесные полупроводники.
- •23. Температурная зависимость концентрации носителей заряда в полупроводнике
- •24. Температурная зависимость удельного сопротивления в полупроводнике.
- •32.Электронная поляризация
- •25.Эффект Холла в полупроводнике
- •26.Фотоэффект в полупроводнике
- •27. Полупроводниковые материалы. Германий.
- •28.Полупроводниковые материалы. Кремний.
- •29.Полупроводниковые материалы. Полупроводниковые соединения типа аiiibv. Полупроводниковые соединения типа аiibvi. Полупроводниковые соединения типа аivbvi.
- •31.Классификация диэлектриков по механизмам поляризации
- •33.Ионная поляризация
- •34. Дипольно-релаксационная поляризация
- •35. Ионно-релаксационная поляризация.
- •36.Спонтанная поляризация
- •37.Ток смещения в диэлектриках. Ток сквозной проводимости. Ток абсорбции. Ток утечки.
- •38.Электропроводность газообразных диэлектриков
- •40.Электропроводность твердых диэлектриков
- •41.Электропроводность полимерных диэлектриков
- •39.Электропроводность жидких диэлектриков
- •45.Релаксационные потери
- •43.Полные и удельные диэлектрические потери
- •44.Потери на электропроводность.
- •46.Пробивное напряжение и электрическая прочность диэлектриков. Электротепловой пробой
- •47.Пробой диэлектриков.
- •48.Диэлектрические материалы. Газообразные диэлектрики.
- •49.Диэлектрические материалы. Жидкие диэлектрики.
- •51.Диэлектрические материалы. Пластмассы и пленочные материалы.
- •52.Диэлектрические материалы. Стекло. Керамика.
- •50.Диэлектрические материалы. Синтетические полимеры.
- •53.Диэлектрические материалы. Активные диэлектрики.
- •54.Магнитные материалы. Магнитные характеристики.
- •55.Классификация веществ по магнитным свойствам.
- •56.Природа ферромагнетизма. Доменная структура.
- •57.Намагничивание магнитных материалов. Кривая намагничивания. Магнитный гистерезис.
- •58.Магнитомягкие материалы. Технически чистое железо. Электротехнические стали.
- •60.Аморфные магнитные материалы.
- •59.Магнитомягкие материалы. Пермаллои. Альсиферы. Магнитомягкие ферриты.
- •61.Магнитотвердые материалы
2.Параметры резисторов. Номинальное сопротивление и его допустимое отклонение.
Параметры резисторов
характеризуют эксплуатационные
возможности применения конкретного
типа резистора в конкретной электрической
схеме. Номинальное сопротивление Rном
и его допустимое отклонение от номинала
±DR являются основными параметрами
резисторов. Для резисторов общего
назначения ГОСТ предусматривает шесть
рядов номинальных сопротивлений: Е6,
Е12, Е24, Е48, Е96 и Е192. Допустимые отклонения
от номинала для ряда Е6 составляют ±20%,
для ряда Е12 - ± 10%, для ряда Е24 - ± 5%. Это
значит, что резистор с сопротивлением
1,5к0м из ряда Е12 может обладать
сопротивлением в пределах от 1,35 до
1,65к0м, а тот же резистор из ряда Е6 - в
пределах от 1,2 до 1,8 кОм. Прецизионные
резисторы имеют отклонения от номинала
±2%; ±1%;±0,5%; ±0,2%; ±0,1%; ±0,05%; ±0,02% и ±0,01%.
Номинальная мощность рассеивания Рном
определяет допустимую электрическую
нагрузку, которую способен выдержать
резистор в течение длительного времени
при заданной стабильности сопротивления.
Предельное рабочее напряжение UПРЕД
определяет величину допустимого
напряжения, которое может быть приложено
к резистору. Для резисторов с небольшой
величиной сопротивления ( сотни ОМ ) эта
величина определяется конструкцией
резистора и рассчитывается по формуле:
Температурный коэффициент сопротивления
(ТКС) характеризует относительное
изменение сопротивления при изменении
температуры
Коэффициент старения bR
характеризует изменение сопротивления,
которое вызывается структурными
изменениями резистивного элемента за
счет процессов окисления, кристаллизации
и т.д.
ЭДС шумов резистора. Электроны в
резистивном элементе находятся в
состоянии хаотического теплового
движения, в результате которого между
любыми точками резистивного элемента
возникает случайно изменяющееся
электрическое напряжение и между
выводами резистора появляется ЭДС
тепловых шумов. Тепловой шум характеризуется
непрерывным, широким, практически
равномерным спектром. Величина ЭДС
тепловых шумов определяется соотношением:
f- полоса частот, в которой измеряются
шумы. При комнатной температуре (Т =300°
К)
Электрическая прочность резистора характеризуется предельным напряжением, при котором резистор может работать в течение срока службы без электрического пробоя.
3.Специальные резисторы.
К категории специальных резисторов относятся резисторы, сопротивление которых зависит от внешних факторов: температуры, освещенности. магнитного поля и т.д. Варисторы - полупроводниковые резисторы, сопротивление которых зависит от приложенного к ним напряжения. Варисторы изготавливаются путем спекания кристаллов карбида кремния и связующих веществ. В готовой структуре варистора между кристаллами кремния существуют мельчайшие зазоры. При приложению к варистору внешнего напряжения происходит перекрытие этих зазоров, в результате чего сопротивление варистора уменьшается. Типичный вид вольт - амперной характеристики:
Поскольку
сопротивление варисторов значительно
изменяется с изменением приложенного
напряжения, то они находят применение
в качестве регулирующих элементов в
устройствах автоматики. В обозначении
варисторов содержатся буквы CH (
сопротивление нелинейное ).
Терморезисторы -
это полупроводниковые резисторы,
сопротивление которых меняется в
зависимости от температуры
Фоторезисторы - это полупроводниковые резисторы, сопротивление которых меняется под воздействием света. Они используются в качестве датчиков освещенности в системах телеметрии.
Тензорезисторы — это резисторы, сопротивление которых меняется под влиянием механических воздействий.
Магниторезисторы - это резисторы с резко выраженной зависимостью электрического сопротивления от магнитного поля. Свойства магниторезисторов оцениваются магниторезистивным отношением, которое показывает, во сколько раз изменяется сопротивление магниторезистора при помещении его в магнитное поле с индукцией 0,5Т
4.Классификация и конструкции конденсаторов.
Конденсатор — двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой омической проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. Обычно состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок.
Основная классификация конденсаторов проводится по типу диэлектрика в конденсаторе. Тип диэлектрика определяет основные электрические параметры конденсаторов: сопротивление изоляции, стабильность ёмкости, величину потерь и др.
●Конденсаторы вакуумные (обкладки без диэлектрика находятся в вакууме).
●Конденсаторы с газообразным диэлектриком.
●Конденсаторы с жидким диэлектриком.
●Конденсаторы с твёрдым неорганическим диэлектриком: стеклянные (стеклоэмалевые, стеклокерамические, стеклоплёночные), слюдяные, керамические, тонкослойные из неорганических плёнок.
●Конденсаторы с твёрдым органическим диэлектриком: бумажные, металлобумажные, плёночные, комбинированные — бумажноплёночные, тонкослойные из органических синтетических плёнок.
●Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Такие конденсаторы отличаются от всех прочих типов прежде всего своей огромной удельной ёмкостью. В качестве диэлектрика используется оксидный слой на металлическом аноде. Вторая обкладка (катод) — это или электролит (в электролитических конденсаторах), или слой полупроводника (в оксидно-полупроводниковых), нанесённый непосредственно на оксидный слой. Анод изготовляется, в зависимости от типа конденсатора, из алюминиевой, ниобиевой или танталовой фольги или спечённого порошка.
●Керамический подстроечный конденсатор
Кроме того, конденсаторы различаются по возможности изменения своей ёмкости:
●Постоянные конденсаторы — основной класс конденсаторов, не меняющие своей ёмкости (кроме как в течение срока службы).
●Переменные конденсаторы — конденсаторы, которые допускают изменение ёмкости в процессе функционирования аппаратуры. Управление ёмкостью может осуществляться механически, электрическим напряжением (вариконды, варикапы) и температурой (термоконденсаторы). Применяются, например, в радиоприёмниках для перестройки частоты резонансного контура.
●Подстроечные конденсаторы — конденсаторы, ёмкость которых изменяется при разовой или периодической регулировке и не изменяется в процессе функционирования аппаратуры. Их используют для подстройки и выравнивания начальных ёмкостей сопрягаемых контуров, для периодической подстройки и регулировки цепей схем, где требуется незначительное изменение ёмкости.
