- •Радиотехника и электроника
- •Вступление
- •Ход работы
- •Задание к лабораторной работе
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №2 Исследование основных типов полупроводниковых диодов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- •Лабораторная схема
- •Исследование германиевого микросплавного импульсного диода типа гд508а.
- •Задание к лабораторной работе
- •Подготовка измерительного стенда к измерению вольтамперных характеристик диодов и стабилитронов.
- •Исследование кремниевого маломощного стабилитрона типа 1n5201.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 3 Исследование статических характеристик основных типов биполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик биполярного транзистора, включенного по схеме с оэ.
- •2. Исследование кремниевого эпитаксиально-диффузионного биполярного транзистора п-р-п типа кт315е.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 4 Исследование статических параметров основных типов униполярных транзисторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 5 Исследование rс-усилителя на биполярном р-п-р транзисторе, как основного усилителя систем управления, судовым оборудованием
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 6 исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах управления
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 7 Исследование основных схем включения операционного усилителя, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •1. Исследование мультивибратора на биполярных транзисторах
- •2. Исследование мультивибратора на операционном усилителе
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа № 8 исследование типОвых логических функциональных элементов интегральных микросхем
- •Лабораторные схемы
- •Домашнее задание
- •Задание к лабораторной работе
- •Контрольные вопросы
- •Литература
- •Содержание
- •Лабораторная работа №7. Исследование основных типов мультивибраторов, применяемых в системах контроля и управления судовым оборудованием …84
- •Радіотехніка і Електроніка
- •65029, М. Одеса, вул. Дідріхсона, 8
Задание к лабораторной работе
Подготовка измерительного стенда к измерению статических характеристик униполярного транзистора, включенного по схеме с общим истоком.
1.1 Установите плату с исследуемыми транзисторами в разъемы на верхней поверхности измерительного стенда.
1.2 В правые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2.000 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться стоковое напряжение UСИ и стоковый ток IС.
В левые гнезда стенда включите вольтметр, установленный в режим измерения постоянных напряжений на пределе 2.000 В. Включите вольтметр. Этим вольтметром будет измеряться напряжение на затворе транзистора U3И.
1.4 Движки потенциометров R1 и R2 установите в крайнее левое положение, что соответствует отсутствию напряжения на транзисторе.
1.5 Включите измерительный стенд в сеть. При этом загорится светодиод.
Исследование полевого транзистора управляемого р-п переходом и каналом п-типа кп303и.
2.1 Определите напряжение отсечки UОТС транзистора. Для этого:
2.1.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.1.2 Установите тумблер К4 в положение «+», тумблер К5 в положение «−».
2.1.3 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.1.4 Потенциометром R1 установите стоковое напряжение UСИ=10 В.
2.1.5 Установите тумблер К1 в положение «UR».
2.1.6 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.1.7 Потенциометром R2 изменяйте напряжение на затворе U3И от 0 В до тех пор, пока ток стока транзистора IC по данным вольтметра V1 не станет равным 0. При этом показания вольтметра V2 будут соответствовать искомому напряжению отсечки транзистора UОТС. Сравните полученное напряжение со справочными данными.
2.2 Для снятия статических характеристик транзистора:
2.2.1 Установите перемычку J1 в положение 1.
2.2.2 Установите тумблер К4 в положение «+», К5 в положение «−».
2.2.3 Установите тумблер К2 в положение «U».
2.2.4 Потенциометром R2 установите требуемое напряжение на затворе U3И согласно табл. 4.1 (например, −0,25 В).
2.2.5 Установите тумблер К1 в положение «U».
2.2.6 Потенциометром R1 установите требуемое стоковое напряжение UСИ согласно табл. 4.1 (например, 0,5 В).
2.2.7 Установите тумблер К1 в положение «UR». При этом вольтметр V1 покажет напряжение, которое соответствует стоковому току в [мА], протекающему через сток транзистора уменьшенному в 10 раз. Если значение этого напряжения в [В] увеличить в 10 раз, то оно будет соответствовать значению стокового тока в [мА], поскольку сопротивление измерительного резистора R3 в этом случае равно 100 Ом. Полученный результат измерения коллекторного тока занесите в таблицу 4.1 (в данном примере на пересечении колонки −0,25 В и строки 0,5 В).
2.2.8 Повторите действия согласно п.2.2.4…2.2.7 для последующих значений стокового напряжения UСИ и напряжения на затворе U3И согласно табл.4.1.
2.2.9 Постройте
семейство
выходных характеристик
при фиксированных значениях напряжения
на затворе U3И.
Графически из этих характеристик найти
выходное сопротивление
при UЗИ
=0 и UЗИ
=−0,5
В.
2.2.10
Постройте
семейство
передаточных характеристик
при фиксированных значениях напряжения
UСИ.
Из этих характеристик графически найти
крутизну
при
UCИ
=0,5 В и 10 В. Аппроксимируя графики
переходных характеристик до значения
IC=0
определить напряжение отсечки UЗИотс.
По данным характеристикам определить
величину начального тока стока IСнач
при UCИ
=0,5 В и 10 В и напряжении UЗИ
=0 В.
Сделать выводы по работе, в которых поясните различие в передаточных характеристиках разных типов униполярных транзисторов.
Таблица 4.1 Статические характеристики полевого транзистора управляемого
р-переходом и каналом п-типа КТ303И
Ток IС = 10*UR, мА
UСИ, В |
UЗИ, В |
||||
0 |
-0,25 |
-0,5 |
-0,75 |
-1 |
|
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0 |
0,5 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
1,5 |
|
|
|
|
|
2 |
|
|
|
|
|
4 |
|
|
|
|
|
6 |
|
|
|
|
|
8 |
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
В табл.4.2 приведены основные параметры исследуемых униполярных транзисторов.
Таблица 4.2 Основные параметры исследуемых униполярных транзисторов
Транзистор |
Тип |
IСнач, мА |
S, мА/В |
UЗИотс, В |
UЗИмах, В |
UСИмах, В |
IСмах, мА |
Рмах, мВт |
КП303И |
р-п переход, п-канал |
1,5-5,0 |
2-6 |
−0,5… −2,0 |
30 |
25 |
20 |
200 |
КП306А |
Изолированный затвор, встроенный п-канал |
− |
2-8 |
−0,5… −3,0 |
±20 |
20 |
20 |
150 |
КП301Б |
Изолированный затвор, индуцированный р-канал |
5·10−4 |
1,0-2,6 |
2,7-5,4 (UЗИпор) |
30 |
20 |
15 |
200 |
