Выключение установки fei fib 200

Завершение работы осуществляется в следующей последовательности:

1. Убавьте степень увеличения до минимального значения.

2. Убавьте значения яркости и контрастности до минимума.

3. Кнопкой на панели High Voltage выключите ускоряющее напряжение, подождите, пока оно не достигнет 1 кВ.

4. Кнопкой на панели Ion Column выключите источник ионов галлия.

5. Нажав кнопку ON на панели рабочего стола, отключите блок высокого напряжения.

6. Выключите осциллоскоп и поверните ручку интенсивности в крайнее положение против часовой стрелки. Выключите амперметр.

7. Кнопкой включите напуск азота в рабочую камеру, подождите завершения этой процедуры.

8. Удалите столик с образцом из рабочей камеры.

9. Кнопкой включите откачку воздуха из рабочей камеры.

Получение изображения во вторичных электронах

1. Ток ионного пучка, при котором осуществляется получение изображения, выбирается в зависимости от степени увеличения для минимизации травления образца во время сканирования. На масштабе в десятки нанометров, как правило, выбирают апертуру, ограничивающую ток пучка до 11 пА, – Beam11 pA.

2. Наклоните образец на необходимый угол.

3. Кнопкой Start/freezes scan включите развертку ионного пучка в растр.

4. Выставьте комфортное значение яркости и контраста.

5. Для настройки найдите на соседнем участке образца какой-либо объект с резкими краями.

6. Кнопкой Selected area definition включите развертку в окне и перенесите его курсором мыши на изображение юстировочного объекта.

7. Итеративно настраивая фокусировку и устраняя астигматизм рукоятками Focus Fine и Stigmator X, Y соответственно, находящимися на пульте, добейтесь максимально качественного изображения.

8. Кнопкой Full frame imaging переключитесь в режим полноэкранной развертки.

9. Переместите участок образца, изображение которого необходимо получить, в область сканирования ионным пучком.

10. Кнопкой Start/freezes scan остановите сканирование.

11. Выполните медленный скан (11-22 секунды), выбрав ScanSingle Scan…

12. На панели LUT Settings (рис. 2д) выполните цифровую обработку яркости и контрастности полученного изображения.

13. Выбрав в меню программы ToolsMeasure…, проведите необходимые измерения.

14. Сохраните изображение, выполнив FileSaveImage…

Локальное травление ионным пучком

В качестве примера локального травления ионным пучком ниже приведена процедура получения поперечного сечения поверхности:

1. Отыщите на поверхности образца участок, поперечное сечение которого необходимо получить.

2. Выставьте увеличение ~15000х.

3. Для настройки найдите на соседнем участке образца какой-либо объект с резкими краями.

4. Кнопкой Selected area definition включите развертку в окне и перенесите его курсором мыши на изображение юстировочного объекта.

5. Кнопкой Start/freezes scan отключите развертку ионного пучка.

6. Выбор тока пучка для травления зависит от объема материала, который необходимо распылить. При получении поперечного сечения полупроводниковой структуры, как правило, достаточно ограничения тока пучка до 1000 пА, – Beam1000 pA.

7. Кнопкой Start/freezes scan включите развертку ионного пучка в растр.

8. Выставьте комфортное значение яркости и контраста.

9. Итеративно настраивая фокусировку и устраняя астигматизм рукоятками Focus Fine и Stigmator X, Y соответственно, находящимися на пульте, добейтесь максимально качественного изображения. Если юстировочный объект стравился, то переместите область сканирования на другой участок рукоятками Shift X, Y и продолжайте настройку.

10. Остановите развертку ионного пучка кнопкой Start/freezes scan .

11. Кнопкой Full frame imaging переключитесь в режим полноэкранной развертки.

12. Убавьте степень увеличения до 5000х.

13. Быстрым сканом (1-2 секунды) получите изображение поверхности - ScanSingle Scan…

14. Двойным щелчком мыши по изображению участка, поперечное сечение которого необходимо получить, выставьте его по центру экрана.

15. Прибавьте степень увеличения до 15000х.

16. Быстрым сканом получите изображение поверхности.

17. Нажмите кнопку Regular cross section . Ниже линии, по которой будет проходить плоскость сечения, растяните мышью шаблон травления в режиме поперечного сечения. В этом режиме осуществляется травление ступеньками прямоугольного участка так, что верхний край травится сильнее, а нижний – медленнее всего. Точные параметры задайте на панели Patterning (рисунок 2г) – в графе X введите ширину шаблона, в Y – высоту, в Z – глубину травления (например, X – 10, Y – 3, Z – 3). А в графе Material File выберите Si.mtr для кремния, Al.mtr для алюминия, или напрямую задайте время травления в графе Time.

18. Нажав кнопку Cleaning cross section , на небольшое расстояние вокруг верхней границы шаблона травления в режиме поперечного сечения растяните шаблон травления в режиме послойного стравливания.

19. Быстрым сканом получите изображение поверхности.

20. Нажмите на копку Selected pattern(s) , мышью выделите оба шаблона и переместите их так, чтобы верхняя их граница проходила по линии, через которую необходимо провести поперечное сечение.

21. Кнопкой Start/stop patterning включите процесс травления, дождитесь, пока он не завершится.

22. Два раза нажав кнопку Delete selection , удалите шаблоны травления.