Примеры построения обозначений транзисторов с р- n –переходами
Наименование |
Обозначение |
|
Транзистор
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN с выводом от внутреннего экрана |
|
|
Транзистор типа NPN, коллектор соединен с корпусом |
|
|
Транзистор лавинный типа NPN |
|
|
Транзистор однопереходный с N-базой |
|
|
Транзистор однопереходный с Р-базой |
|
|
Транзистор двухбазовый типа NPN |
|
|
Транзистор двухбазовый типа PNIP с выводом от i-области |
|
|
Транзистор двухразовый типа P NIN с выводом от I -области |
|
|
Транзистор многоэмиттерный типа NPN |
|
|
Примечание. При выполнении схем допускается:
а) выполнять обозначения транзисторов в зеркальном изображении, например,
б) изображать корпус транзистора.
|
||
Наименование |
Обозначение |
|
Транзистор полевой с каналом типа N |
|
|
Транзистор полевой с каналом типа Р |
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором баз вывода от подложки: |
|
|
а) обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
б) обогащенного типа с N-каналом |
|
|
в) обедненного типа с Р-каналом |
|
|
г) обедненного типа с N-каналом |
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором обогащенного типа с N-каналом, с внутренним соединением истока и подложки |
|
|
Транзистор полевой с изолированным затвором с выводом от подложки обогащенного типа с Р-каналом |
|
|
Транзистор полевой с двумя изолированными затворами обедненного типа с Р-каналом с выводом от подложки |
|
|
Транзистор полевой с затвором Шоттки |
|
|
Транзистор полевой с двумя затворами Шоттки |
|
|
Примечание . Допускается изображать корпус транзисторов.
Примеры построений обозначений фоточувствительных и излучающих полупроводниковых приборов
Наименование |
Обозначение |
|
Фоторезистор:
а) общее обозначение |
|
|
б) дифференциальный |
|
|
Фотодиод |
|
|
Фототиристор |
|
|
Фототранзистор: |
|
|
а) типа PNP |
|
|
б) типа NPN |
|
|
Фотоэлемент |
|
|
Фотобатарея |
|
|
Наименование |
Обозначение |
|
Оптрон диодный |
|
|
Оптрон тиристорный |
|
|
Оптрон резисторный |
|
|
Прибор оптоэлектронный с фотодиодом и усилителем: |
|
|
а) совмещенно |
|
|
б) разнесенно |
|
|
Прибор оптоэлектронный с фототранзистором:
а) с выводом от базы |
|
|
б) без вывода от базы |
|
|
Примечания:
1. Допускается изображать оптоэлектронные приборы разнесенным способом. При этом знак оптического взаимодействия должен быть заменен знаками оптического излучения и поглощения по ГОСТ 2.721-74,
например:
2. Взаимная ориентация обозначений источника и приемника не устанавливается, а определяется удобством вычерчивания схемы, например:
