- •Раздел 1 общие сведения об усилителях
- •Тема 1.1 назначение и классификация усилителей
- •По принципу действия усилительного элемента
- •2) По роду усиливаемой величины
- •3) По диапазону частот
- •Устройство усилителя
- •Тема 1.2 основные показатели усилителя
- •Искажения в усилителях
- •Уровень помех
- •Выходные показатели
- •Раздел 2. Обратные связи в усилителях
- •Тема 2.1 виды и структурные схемы ос
- •Тема 2.2. Свойства усилителя с оос и применением обратной связи
- •Раздел 3 усилительные каскады
- •Тема 3.1. Работа транзистора в разных схемах включения
- •Тема 3.2. Составные транзисторы ( рис.21 а, б)
- •Тема 3.3. Динамический режим работы транзистора
- •Тема 3.4 питание усилительных каскадов и стабабилизации их режимов
- •Раздел 4 транзисторные усилители напряжения и мощности
- •Тема 4.1 режимы работы каскадов усиления мощности
- •Тема 4.2 оконечные каскады усиления мощности
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на транзисторах одного типа с общим эмиттером
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на разного типа транзисторах с общим коллектором
- •Двухтактный бестрансформаторный каскад на составных транзисторах разного типа с общим коллектором (схема Лина)
- •Тема 4.3 стабилизация режима в мощных усилителях
- •Тема 4.4. Защита мощных транзисторов от короткого замыкания нагрузки
- •Раздел 5. Предоконечные каскады
- •Трансформаторный предоконечный каскад
- •Фазоинверсный каскад с разделенной нагрузкой
- •Фазоинверсный каскад с эмиттерной связью
- •Раздел 6. Каскады предварительного усиления
- •Емкостная межкаскадная связь
- •Гальваническая межкаскадная связь
- •Трансформаторная межкаскадная связь
- •Резисторные каскады
- •Резисторный каскад на транзисторе с общим эмиттером и емкостной межкаскадной связью
- •Раздел 7. Вспомогательные цепи усилителя
- •Тема 7. 1 Входные цепи усилителя
- •Схемы включения звукоснимателя и микрофона
- •Схемы включения фотодиода
- •Тема 7. 2 Коррекция частотной характеристики
- •Тема 7. 3 Регулирование громкости и тембра
- •Регулирование громкости
- •Регулирование тембра
- •Тема 7. 4 Обеспечение устойчивости усилителя
- •Генерация на сверхзвуковых частотах
- •Тема 7. 5 Паразитные связи в усилителе
- •Помехи из-за паразитных связей
- •Раздел 8 интегральные микросхемы
- •Раздел 9 электроакустические приборы
- •Тема 9.1. Основные технические характеристики громкоговорителей
- •Тема 9.2. Классификация громкоговорителей
- •Тема 9.3. Устройство головки диффузорного электродинамического громкоговорителя
- •Подвижная система
- •Диффузородержатель
- •Тема 9.4. Основные электроакустические показатели диффузорных громкоговорителей Полное сопротивление
- •Частотные искажения
- •Нелинейные искажения
- •Характеристика направленности
- •Тема 9.5. Устройство головки рупорного электродинамического громкоговорителя
- •Тема 9.6. Основные электроакустические показатели рупорных громкоговорителей Полное сопротивление
- •Частотные искажения
- •Нелинейные искажения
- •Характеристика направленности
- •Тема 9.7. Двухполосные громкоговорители
- •Тема 9.8. Разделительные фильтры
- •Тема 9.9. Промышленные типы кинотеатральных громкоговорителей
Раздел 3 усилительные каскады
Простейший усилительный каскад строится на одном усилительном элементе, входная цепь которого содержит источник смещения и источник сигнала, а выходная – источник питания и нагрузку. Если усилительный элемент – транзистор, то его свойства определяются схемой включения транзисторов, и они были рассмотрены в курсе предмета «Электроника и импульсная техника». Однако, работа транзистора рассматривалась в режиме покоя (вспомнить схемы ОЭ, ОБ,ОК).
Сегодня мы рассмотрим работу разных схем включения в динамическом режиме.
Тема 3.1. Работа транзистора в разных схемах включения
Схема с общим эмиттером (ОЭ) (рис 15)
- Режим покоя (исходный режим): в этом режиме в цепях транзистора протекают постоянные токи базы (Iбо)и коллектора (Iко) и действуют постоянные напряжения на базе (Uбо) и на коллекторе (Uко). Направления токов показаны от (+)к (-) источника Ек На нагрузке создаётся падение напряжения ( Iко·Rк ).
Напряжение источника питания распределяется между транзистором и нагрузкой, поэтому напряжение коллектора в режиме покоя определяется: Uкo = Eк - Iкo·Rк
Рис.15 Усилительный каскад на транзисторе n - p - n по схеме ОЭ
Рис.16 Графики зависимости токов и напряжений транзистора n - p - n от времени в схеме ОЭ
- Режим усиления (динамический), имеет место при подаче входного сигнала. В этом режиме напряжения и токи в цепях транзистора пульсируют с частотой сигнала, и эти величины можно рассматривать как сумму постоянной и переменной составляющих.
В режиме усиления в любой момент сохраняется зависимость: Uк = Eк - iк·Rк
Пульсирующие токи протекают в том же направлении, что и постоянные (указывает стрелка Э). Графики зависимости токов и напряжений на рис 16.
Направление переменных составляющих изменяется дважды за период: в положительный полупериод сигнала прямое напряжение на эмиттерном переходе транзистора n-p-n увеличивается, ток базы возрастает, следовательно возрастает и ток коллектора и напряжение (iк·Rк), а напряжение (Uк) коллектора уменьшается т.е. на коллекторе отрицательная полуволна усиленного сигнала. Из сказанного видно, что каскад по схеме ОЭ в процессе усиления переворачивает фазу сигнала на 180º.
Свойства каскада:
- Коэффициент усиления тока определяется:
Ki = β = α /1-α, составляет десятки раз.
- Коэффициент усиления напряжения определяется:
Ku = Uвых/Uвх = Umк / Umб = Ki · Rк / Rвх = β · Rк / Rвх, составляет сотни раз.
- Коэффициент усиления мощности:
Kp= Pвых/Pвх=Ki Ku = β² · Rк / Rвх, составляет тысячи раз.
Коэффициенты усиления зависят от сопротивления нагрузки.
Входное сопротивление определяется: Rвх = U вх / Iвх, велико, составляет сотни,
тысячи Ом, оно соизмеримо с выходным сопротивлением (тысячи, десятки тысяч Ом), поэтому каскады с ОЭ можно соединить без согласующих элементов.
Схема с общим коллектором (ОК) (рисунок 17)
Рис. 17 Схемы с общим коллектором
на транзисторах p-n-p
(а)
и n-p-n
(б) и эквивалентные им схемы для
переменного тока (в,г)
Рис.18 Графики зависимости токов и напряжений транзистора n - p - n от времени в схеме ОК
Сопротивление эмиттерной нагрузки (Rэ) включено между эммитером и общим проводом, коллектор подключается непосредственно к источнику питания, а т.к. источник питания имеет очень малое сопротивление для переменной составляющей тока, то можно считать коллектор подключенным к общему проводу, поэтому входной сигнал подаётся на базу относительно коллектора.
- В режиме покоя постоянный ток коллектора протекает через транзистор и нагрузку Rэ от (+ Eк ) к (– Eк)
- В режиме усиления, в положительный полупериод входного сигнала, за счёт увеличения тока коллектора и напряжения на нагрузке потенциал эмиттера повышается, и на нём будет положительная полуволна выходного сигнала, т.о. в схеме с ОК фаза сигнала не переворачивается, переменная составляющая тока коллектора идёт от эмиттера (Э) к коллектору (К), а напряжение на резисторе (Rэ) и есть выходной сигнал.
Процесс усиления иллюстрируется на рис 18.
Это схему можно рассматривать как схему с OЭ со 100- процентной ООС по напряжению с последовательной подачей его на вход. Результирующий сигнал на эммитерном переходе определяется: Uбэ~ Uвх – Uвых, поскольку все выходное напряжение является напряжением обратной связи, т.е. Uoc = Uвых, то коэффициент обратной связи β = 1, при этом выходное напряжение меньше входного, и каскад называется эмиттерным повторителем.
Свойства каскада:
- Ku = Uвых / Uвх = Uвых/Uвых – Uбэ < 1;
- Ki = Iвых / Iвх = Imэ / Imб = γ = 1 /1-α = β +1, составляет десятки раз;
- Kp= Ki Ku, составляет десятки раз;
- Rвх – велико, составляет тысячи десятки тысяч Ом;
- Rвых – мало, составляет десятки, сотни Ом;
- нелинейные, фазовые и частотные искажения очень малы;
- выходное напряжение и коэффициент усиления напряжения (Ku) стабилизируются и практически не зависят от сопротивления нагрузки;
- частотная характеристика практически не имеет спада в области ВЧ даже при работе на нагрузку с емкостным характером.
Применяется каскад перед длинными линиями ВРГ, в оконечных каскадах, а также между двумя каскадами для согласования сопротивления выхода предыдущего с входом следующего.
Схема с общей базой (ОБ) (рис. 19)
-
Входная цепь – эмиттер – база (Э-Б), в
неё включены источник сигнала и источник
эмиттерного напряжения (Eэ);
Р
ис.19
Усилительный каскад на транзисторе
n-p-n
по схеме ОБ
Рис.20 Временные диаграммы токов и напряжений для транзистора p-n-p в схеме ОБ
- В выходную цепь включены сопротивление нагрузки Rк и источник питания Eк.
- В режиме усиления, в положительный полупериод сигнала, повышается потенциал эмиттера и уменьшается прямое напряжение на эмиттерном переходе транзистора. Это вызывает уменьшение токов эмиттера и коллектора, а также и напряжения на нагрузке Rк. Т.к. Uк = Eк - iк·Rк, то напряжение на коллекторе при этом увеличится, что соответствует положительной полуволне выходного сигнала, т.е. схема с ОБ фазу сигнала не переворачивает, в этот момент переменная составляющая тока (iк ~) идет от коллектора (К) через Rк и Eк к базе (Б).
Свойства схемы:
- Ki = Iвых / Iвх = Imк / Imэ < 1,т.к. Iэ = Iк + Iб
Т.к. Rк много меньше сопротивления коллекторного перехода, то можно считать режим, близким к к.з., следовательно Ki = α, составляет (0,95-0,99);
- Ku = Uвых / Uвх = Umк / Umэ = I вых·Rк / I вх·Rвх = d·Rк / Rвх, составляет десятки раз;
- Kp = Ki · Ku= d² ·Rк / Rвх, составляет десятки раз;
- R вх – мало, составляет десятки Ом;
- R вых – велико, составляет сотни Ком.
Большая разность сопротивлений входа и выхода требует между каскадами с ОБ согласующих элементов (трансформатора или каскада ОК), поэтому данная схема находит применение не как усилительный каскад, а как вспомогательный элемент в сложных каскадах.
Сделать общий обзор трех схем включения:
ПОЧЕМУ?
1. схема с ОЭ дает наибольшее усиление мощности;
схема с ОБ не усиливает ток, а только напряжение;
схема с ОК не усиливает напряжение, а только ток;
Кiэ ≈ Kiк => β ≈ γ = β + 1;
Фазу выходного сигнала переворачивает только схема с ОЭ;
Схема с ОБ имеет наименьшее R вх, а схема с ОК наименьшее Rвых;
R вых наибольшее в схеме с ОБ и наименьшее в схеме с ОК.
