Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Лекция 5 регулировки в ус-лях.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
646 Кб
Скачать
☆

Регулировка усиления в трактах звуковой и видеочастот.

Способы регулировки коэффициента усиления каскадов последетекторной частя приемника в основном те же, что и способы регулировки Ку резонансных усилителей. Чаще в усилителях звуковых частот применяют плавную потенциометрическую регулировку усиления Кус; в широкополосных усилителях такую регулировку используют обычно только в низкоомных цепях. Наряду с потенциометрической часто осуществляют (особенно в широкополосных каскадах и ОУ) регулировку усиления с помощью регулируемой ООС. В некоторых случаях находит применение и режимная регулировка. В последнее время для электронной регулировки усиления и стереобаланса используют оперированные ИС, например К174УН12.

Рис. 13.5 Рис. 13.6

Выводы:

1. Режимная регулировка коэффициента усиления Ко осуществляется изменением крутизны усилительного элемента при изменении напряжения на УЭ. Недостаток режимной регулировки состоит в том, что мнением смещения на УЭ помимо крутизны S существенно изменяются и остальные параметры биполярного транзистора.

2. При регулировке Ко за счет изменения сопротивления Rэкв контура изменяется полоса пропускания усилителя, что ограничивает примение этого способа регулировки.

3. При аттенюаторной регулировке Ко напряжение с усилителя подается на делитель с регулируемым коэффициентом передачи, в цепи которого широко используются диодные делители, емкостные делители на варикапах, мостовые схемы, делители на полевых транзисторах и т.д.

4. Для регулировки усиления усилителей используют и регулируемую ООС.

Схемы усилителей с полевыми транзисторами в качестве регулирующих элементов.

Использование полевых транзисторов в качестве переменных сопротивлений позволяет получить высокое быстродействие усилителей (по управляющему входу). Уровень нелинейных искажений в таких усилителях определяется не только уровнем переменной составляющей на полевом транзисторе, но и уровнем управляющего напряжения, так как зона триодного режима работы транзистора с изменением управляющего напряжения изменяется в больших пределах.

Канал полевого транзистора при малых напряжениях сток — исток эквивалентен линейному переменному сопротивлению, которое зависит от напряжения затвор — исток. Из различных типов ролевых транзисторов в качестве управляемого линейного сопротивления наиболее широко используют транзисторы с управляющим p-n-переходом (ПТУП), так как их выходные характеристики на начальном участке имеют достаточно высокую симметрию относительно тока стока, т. е. Iс (Uси) = —Ic (Uси).

Схимы включения полевых транзисторов в качестве регулирующих элементов показаны на рис. 2.3.1.

А

Б

Рис. 2.3.1. Схемы усилителей напряжения с полевыми транзисторами в качестве регулирующих элементов

Для схемы рис. 2.3.1, а можно записать

,

где Uyпp — управляющее напряжение.

Из этого выражения следует, что характеристика управления данного усилителя линейная (с точностью аппроксимации характеристики ПТУП функцией ).

Для схемы рис. 2.3.1, б имеем

,

где — сопротивление канала транзистора V1.

В обеих схемах уровень переменного напряжения (амплитудное значение) ограничивается допустимым уровнем нелинейных искажений. Для однополярных переменных напряжений предельное значение амплитуды сигнала на транзисторе ограничено неравенством Uси < Uотс - Uупр. Очевидно, что ПТУП необходимо выбирать с большим напряжением Uотс.

Для усилителей, где требуется повышенная точность и стабильность характеристик управления, можно использовать согласованные пары ПТУП с принудительным точным заданием сопротивления канала одного из ПТУП (рис. 2.3.2).

В схеме рис. 2.3.2 сопротивление канала VI

,

т. е. параметры транзистора V1 не оказывают влияния на RV1 . Следовательно, транзистор V1 также будет иметь стабильное сопротивление канала как идентичный с V1 и управляемый тем же напряжением.

Рис. 2.3.2. Схема управляемого сопротивления, построенного на основе согласованной пары полевых транзисторов

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]