- •Часть 1
- •1. Задачи, решаемые электронной техникой, и элементы, необходимые для их решения
- •1.1. Электрические сигналы. Временное и спектральное представление
- •1.2. Усиление электрических сигналов
- •1.3. Модуляция сигналов
- •1.3.1. Амплитудная модуляция
- •1.3.2. Импульсно-кодовая модуляция
- •1.3.3. Широтно-импульсная модуляция
- •1.4. Фильтрация сигналов
- •1.5. Хранение и отображение информации
- •1.6. Преобразование электрической энергии
- •А) б) Рис. 1.21. Схема простейшего инвертора (а) и временная диаграмма напряжения в нагрузке (б) Основные результаты 1 главы
- •2. Математический аппарат описания электронных элементов
- •2.1. Описание нелинейных элементов
- •2.2. Линеаризация нелинейных уравнений
- •Линеаризованное уравнение нелинейного элемента
- •2.4. Частотный анализ линеаризованных цепей
- •2.5. Временной анализ линеаризованных цепей
- •Основные результаты 2 главы
- •3. Полупроводники – основа современной элементной базы электроники
- •3.1. Преимущества полупроводниковых элементов перед электровакуумными
- •3.2. Физические основы электропроводности полупроводников
- •3.3. Электропроводность беспримесного (собственного) полупроводника
- •3.4. Электропроводность примесных полупроводников
- •3.4.1. Донорная примесь
- •3.4.2. Акцепторная примесь
- •3.6. Инерционность р-п-перехода
- •3.6.1. Зарядная емкость р-п-перехода
- •3.6.2. Диффузионная емкость
- •3.7. Пробой р-п-перехода
- •3.7.1. Тепловой пробой
- •3.7.2. Электрический пробой
- •3.8. Математическая модель р-п-перехода
- •3.9. Переход металл-полупроводник
- •Основные результаты 3 главы
- •4. Многопереходные электронные элементы
- •4.1. Полупроводниковые триоды (биполярные транзисторы)
- •4.2. Активный режим работы биполярного транзистора
- •4.2. Статические характеристики биполярного транзистора для активного режима
- •4.3. Инерционность биполярного транзистора
- •4.4. Пробой коллекторного перехода
- •4.5. Пробой эмиттерного перехода
- •4.6. Нелинейная модель биполярного транзистора
- •4.7. Линеаризованная модель биполярного транзистора
- •4.8. Ключевой режим биполярного транзистора
- •4.9. Полевые транзисторы
- •4.10. Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом
- •4.12. Тиристоры
- •Д ля регулирования в течение каждой полуволны знакопеременного ис
- •Основные результаты 4 главы
- •5. Основы теории электронных усилителей
- •5.1. Общие положения
- •5.2. Обратная связь в усилительных устройствах
- •5.3. Операционные усилители (оу)
- •5.4. Усилители мощности
- •5.4.1. Линейные усилители мощности
- •5.4.2. Усилители мощности ключевого типа
- •6. Автогенераторы
- •Автогенераторы гармонических колебаний
- •7. Источники вторичного электропитания электронных устройств
- •7.1. Классическая схема вторичного источника (без преобразования частоты сети)
- •7.2. Вторичные источники с преобразованием частоты сети
- •7.3. Функциональные элементы вторичных источников электропитания
- •7.3.1. Преобразователи переменного напряжения
- •7.3.2. Стабилизаторы постоянного напряжения (спн)
- •Оглавление
- •Электроника
- •Часть 1 Электронная база, аналоговые функциональные устройства
5.4. Усилители мощности
Характерной чертой усилителей мощности является высокое абсолютное значение выходной мощности как постоянного, так и переменного тока: от нескольких десятков до сотен ватт. При этом важнейшей характеристикой усилителя становится коэффициент полезного действия (КПД). Низкий КПД, означающий, что значительная часть энергии, потребляемой усилителем от источника питания, в процессе усиления теряется бесполезно на нагрев элементов усилителя, приводит к двум негативным последствиям. С одной стороны, сами по себе бесполезные потери энергии являются экономическими потерями, а с другой - чрезмерный разогрев элементов может привести к их тепловому разрушению, для исключения которого необходимо применять специальные меры по охлаждению. Элементы системы охлаждения - радиаторы, вентиляторы - приводят к увеличению массы и габаритов и к дополнительному удорожанию усилителя.
5.4.1. Линейные усилители мощности
Предельное значение КПД линейных усилителей
Под линейными обычно понимают усилители, в которых управляемые (активные, усилительные) элементы (УЭ) работают в непрерывном режиме. Обобщенные структурные схемы линейных усилителей с последовательным и параллельным включением нагрузки (Н) изображены соответственно на рис 5.46 а, б.
Поскольку в случае параллельного включения нагрузки необходимо наличие дополнительного элемента - внутренней нагрузки (ВН), на которой теряется часть энергии источника питания (ИП), то такая схема при построении усилителей мощности практически не применяется, а используется в маломощных каскадах из-за удобства “заземления” управляющего элемента, источника питания и нагрузки.
а) б)
Рис.
5.46. Схемы усилителей мощности:
а) с
последовательным и б) параллельным
включением нагрузки
Рис.
5.47. Диаграмма
выходного тока для
однотактного усилителя
мощности
а) б)
Рис. 5.48. Схема
двухтактного каскада (а) и диаграмма
токов (б)
Определим факторы, обеспечивающие максимально возможное значение КПД двухтактного усилителя (рис. 5.48). По определению КПД () - это отношение мощности сигнала в нагрузке (Рн) к мощности, потребляемой при этом от источника питания (Рип):
.
В общем случае значение КПД зависит от формы сигнала - Uн(t), iн(t). Поэтому принято определять предельное значение КПД линейных усилителей при гармоническом сигнале в нагрузке
Uн(t)=Umcos t; iн(t)=imcos( t+).
Тогда, полагая, что Еип=const и учитывая наличие в схеме двух источников, получим:
,
где
- период сигнала, iип0
- постоянная составляющая источника
питания.
Минимальное значение КПД (=0) имеет место при чисто реактивной (емкостной или индуктивной) нагрузке, когда фазовый сдвиг между током и напряжением достигает 90 (=/2). В этом случае активная мощность в нагрузке не развивается и вся мощность, отбираемая от источника питания, рассеивается на управляемых элементах. При чисто активной нагрузке (=0) имеем
.
Отсюда следует, что значение КПД зависит от коэффициента использования напряжения источника питания и = Um/Еип и коэффициента использования тока источника питания i = im/iип0.
Из рис. 5.48а следует, что приращение напряжения в нагрузке одной полярности не может превышать напряжения источника питания одного плеча двухтактного каскада
Um < Еип.
Степень этого неравенства зависит от вида вольтамперных характеристик управляемых элементов и способа их включения. На рис. 5.49 приведен пример графического построения эпюр напряжения и тока в нагрузке для одного плеча двухтактной схемы на биполярных транзисторах с режимом покоя в точке “А”.
Рис.
5.49. Диаграммы напряжения и тока для
одного плеча двухтактной схемы
Очевидно, что наиболее благоприятным в энергетическом смысле режимом работы линейных транзисторных усилителей является режим достижения заданной мощности в нагрузке при высоких значениях амплитуды напряжения и низких значениях амплитуды тока. При этом, с одной стороны, увеличивается отношение Um/U0, а с другой - уменьшается абсолютное значение U0. Если при заданных нагрузке и мощности значения Um и im оказываются неблагоприятными в указанном выше смысле, то можно, если это допустимо с других точек зрения, применить согласующийся трансформатор. Выбором коэффициента трансформации можно на выходе усилителя (на первичной обмотке) получить требуемое высокое значение напряжения при заданном низком его значении в нагрузке. С учетом сделанных замечаний предельное значение и1.
Для определения максимального значения коэффициента i рассмотрим эпюру тока в цепи источника питания двухтактной схемы при заданном токе покоя i0 (рис. 5.50). Постоянная составляющая тока может быть подсчитана по соотношению
или, обозначив i0= im,
.
i0
Рис.
5.50.
Диаграмма
выходного
тока одного плеча
двухтактного
усилителя
Полагая, что предельные значения и=1 и i=, получаем максимальное значение КПД двухтактного каскада при гармоническом выходном сигнале
.
Мощность, рассеиваемая на каждом управляемом элементе, равна половине общей мощности потерь
0.41Рн.
Рис.
5.51. Мостовая схема
усилителя мощности
Um=Еип-U0
или (для случая Um>>U0) Um Еип. Это означает, что требуемое напряжение источника питания при одной и той же амплитуде сигнала в нагрузке в мостовой схеме почти в 2 раза ниже, чем в ранее рассмотренных схемах. В результате и требуемое значение Uкэ доп для транзисторов мостовой схемы также уменьшается в два раза. С другой стороны, при одинаковом напряжении источника питания в мостовой схеме можно получить в два раза большую амплитуду сигнала в нагрузке, что при одинаковой заданной мощности позволит снизить импульс тока через транзисторы в два раза по сравнению с не мостовыми схемами. Недостатками мостовой схемы являются существенное усложнение (два дополнительных мощных транзистора со схемами управления) и проблематичность введения обратной связи для стабилизации режима покоя.
Особенности использования современных мощных транзисторов
Рис.
5.52. Область безопасных
режимов
работы мощных
транзисторов
Рис.
5.53. Параллель-
ное соединение мощ-
ных
транзисторов
Рис.
5.54. Схема
Дарлингтона
Резисторы Rэ являются элементами обратной связи и их включение приводит к снижению усилительных свойств транзисторов. Особенностью мощных транзисторов являются сравнительно низкие значения коэффициентов передачи по току, что обусловливает потребление значительной мощности от источника управляющего сигнала (или от каскада предварительного усиления).
Для снижения мощности управления применяется схема составного транзистора (схема Дарлингтона) (рис. 5.54), в котором ток управления уменьшен пропорционально усилению по току базы дополнительного транзистора VT1, который может быть значительно менее мощным, чем основной.
В настоящее время основное применение в усилителях мощности находят МДП-транзисторы, обладающие меньшими потерями и большей температурной устойчивостью.
