- •1 Для пары транзисторов кт317б и кт315в
- •2 Для пары транзисторов кт331в и кт315в
- •3 Для пары транзисторов гт341а и кт315в
- •4 Для пары транзисторов кт317б и кт336а
- •5 Для пары транзисторов кт317б и кт201а
- •6 Для пары транзисторов кт331в и кт201а
- •7 Для пары транзисторов кт331в и кт201а
- •8 Для пары транзисторов кт341а и кт336а
- •8 Для пары транзисторов кт331в и кт336а
5 Для пары транзисторов кт317б и кт201а
1. h21e1= h21e1±30%
При h21e1=128 rd =502 МОм
При h21e1=182 rd =501,9 МОм
При h21e1=236 rd =501,8 Мом
2. h21e2= h21e2±30%
При h21e2=28 rd =495,36 Мом
При h21e2=40 rd =501,9 Мом
При h21e2=52 rd =505,6 Мом
3. R2= R2±20%
При R2 =100кОм, rd =492,9 МОм
При R2 =125кОм rd =501,9 МОм
При R2=150кОм rd =509,8 Мом
4. R3±20%
Рис.22 Зависимость Ik=f(-E) при R3= R3±20%
При R3 =96,8кОм, rd =410,9 Мом
При R3 =121кОм rd =501,9 Мом
При R3=145,2кОм rd =591,8 Мом
5.
При t=10, rd =573 Мом
При t=20 rd =528Мом
При t=30 rd =491 Мом
6 Для пары транзисторов кт331в и кт201а
Рис.23 Зависимость Ik=f(-E)
1. h21e2= h21e2±30%
При h21e2=28 rd =426 Мом
При h21e2=40 rd =436,4 Мом
При h21e2=52 rd =442,2 Мом
2. h21e1= h21e1±30%
При h21e1=128 rd =436,39 МОм
При h21e1=182 rd =436,4 МОм
При h21e1=236 rd =436,312 Мом
3. R2= R2±20%
При R2 =100кОм, rd =432,2 МОм
При R2 =125кОм rd =436,4 МОм
При R2=150кОм rd =439,9 Мом
4. R3= R3±20%
При R3 =96,8кОм, rd =353,8 Мом
При R3 =121кОм rd =436,4 Мом
При R3=145,2кОм rd =518,5 Мом
5.
Рис.24 Зависимость Ik=f(-E) при температурах 10, 20 и 30 градусов Цельсия
При t=10, rd =482,7МОм
При t=20 rd =454 Мом
При t=30 rd =429 Мом
7 Для пары транзисторов кт331в и кт201а
Рис.25 Зависимость Ik=f(-E)
1. R3= R3±20%
При R3 =96,8кОм, rd =1318 Мом
При R3 =121кОм rd =1448 Мом
При R3=145,2кОм rd =1575 Мом
2. R2= R2±20%
При R2 =100кОм, rd =1288 МОм
При R2 =125кОм rd =1448 МОм
При R2=150кОм rd =1604 Мом
3. h21e2= h21e2±30%
При h21e2=28 rd =1449Мом
При h21e2=40 rd =1448 Мом
При h21e2=52 rd =1447 Мом
4. h21e1= h21e1±30%
При h21e1=175 rd =1449 МОм
При h21e1=250 rd =1448 МОм
При h21e1=325 rd =11447 Мом
5.
Рис.27 Зависимость Ik=f(-E) при температурах 10, 20 и 30 градусов Цельсия
При t=10, rd =1779 Мом
При t=20 rd =1579 Мом
При t=30 rd =1401 Мом
8 Для пары транзисторов кт341а и кт336а
Рис.27 Зависимость Ik=f(-E)
1. h21e1= h21e1±30%
При h21e1=175 rd =1799 МОм
При h21e1=250 rd =1795 МОм
При h21e1=325 rd =1794 Мом
2. h21e2= h21e2±30%
При h21e2=79 rd =1795 Мом
При h21e2=113 rd =1795 Мом
При h21e2=147 rd =1795 Мом
Дифференциальное сопротивление изменяется на маленькие величины
3. R3= R3±20%
Рис.28 Зависимость Ik=f(-E) при R3= R3±20% (При увеличении сопротивления ток уменьшается)
При R3 =96,8кОм, rd =1614 Мом
При R3 =121кОм rd =1795 Мом
При R3=145,2кОм rd =1972 Мом
4. R2= R2±20%
Рис.28 Зависимость Ik=f(-E) при R2= R2±20% (При увеличении сопротивления ток уменьшается)
При R2 =100кОм, rd =1550 МОм
При R2 =125кОм rd =1795 МОм
При R2=150кОм rd =2052 Мом
5.
Рис.27 Зависимость Ik=f(-E) при температурах 10, 20 и 30 градусов Цельсия(при увеличении температуры ток уменьшается)
При t=10, rd =1366 Мом
При t=20 rd =1592 Мом
При t=30 rd =1897 Мом
