- •Введение
- •Расчетно-графическая работа
- •Цели расчетно-графической работы
- •Структура и содержание отчета
- •Часть II: Оценка коэффициента поглощения
- •Рекомендации по организации самостоятельной работы с учебной литературой
- •Пример оформления ргр
- •Тема «Изучение закона радиоактивности»
- •Теоретическая часть
- •Часть I: Оценка среднего значения пробега -частицы
- •Экспериментальная часть
- •Часть I: Оценка среднего значения пробега -частицы
- •Часть II. Оценка коэффициента поглощения
- •Тема 1. Квантовая природа излучения
- •Тема 2. Внешний фотоэффект
- •Тема 3. Внутренний фотоэффект
- •2. Порядок выполнения расчетно-графической работы
- •1. Прикрыть шторкой фотосопротивление и снять вольт-амперную характеристику темнового тока, изменяя напряжение на фотосопротивлении от 0 до 15 в через 3 в.
- •Вольт-амперная характеристика фотосопротивления
- •Световые характеристики фотосопротивлений
- •Тема 4. Строение атома водорода
- •Тема 5. Дискретное строение атома
- •Тема 6. Физика твердого тела
- •Теоретические вопросы для защиты ргр
- •Заключение
- •Библиографический список
- •Рекомендации для выполнения расчетно-графической работы по физике
- •153040, Г.Иваново, пр.Строителей, 33
Тема 6. Физика твердого тела
Цель работы: определить температурный коэффициент сопротивления проводника и род исследуемого образца.
Приборы и принадлежности: установка для изучения температурной зависимости электропроводности металлов и полупроводников ФПК – 07, карандаш, линейка, калькулятор, миллиметровая бумага.
Таблица заданий по исследованию проводников
Задание 1
t,град.С |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
R, Ом |
19 |
26 |
34 |
45 |
46,8 |
Задание 2
t,град.С |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
R, Ом |
46 |
47 |
48 |
49 |
50 |
Задание 3
t,град.С |
35 |
40 |
45 |
50 |
55 |
R, Ом |
32,6 |
48 |
50,2 |
54 |
58,6 |
Задание 4
t,град.С |
45 |
50 |
55 |
60 |
65 |
R, Ом |
47 |
49 |
51,2 |
53 |
54,6 |
Задание 5
t,град.С |
25 |
35 |
45 |
55 |
65 |
R, Ом |
22 |
34 |
46 |
57 |
69 |
Цель работы: оценить ширину запрещенной зоны полупроводника.
Таблица заданий по исследованию полупроводников
Задание 6
t,град.С |
27 |
30 |
33 |
40 |
45 |
R, кОм |
25 |
21,4 |
15,6 |
12,5 |
10,4 |
Задание 7
t,град.С |
40 |
45 |
50 |
55 |
60 |
R, Ом |
12,6 |
10,3 |
8,8 |
7,5 |
6,7 |
Задание 8
t,град.С |
25 |
30 |
35 |
40 |
45 |
R, кОм |
25 |
16,4 |
13,6 |
11,5 |
9,4 |
Задание 9
t,град.С |
27 |
37 |
47 |
57 |
67 |
R, кОм |
32 |
18,3 |
12,6 |
9,5 |
8,9 |
Задание 10
t,град.С |
23 |
33 |
43 |
53 |
63 |
R, кОм |
28,2 |
19,5 |
12,6 |
8,5 |
7,4 |
Теоретическая часть выполняется обучающимся самостоятельно [5, с. 50].
Экспериментальная часть
1. Описание экспериментальной установки
Общий вид экспериментальной установки показан на рис. 1. Установка состоит из объекта исследования (1) (электропечи с установленными в ней исследуемыми образцами и датчиком) и устройства измерительного (2). В объекте исследования установлены электропечь с помещенными внутри образцами, датчик (термометр сопротивления), вентилятор для охлаждения электропечи и источники питания электропечи и вентилятора со схемами управления. Электропечь служит для нагрева образцов. Вентилятор служит для ускорения охлаждения электропечи после окончания работы с установкой. Источники питания со схемами управления предназначены для питания электропечи и вентилятора и управлением их работой с устройства измерительного. На передней панели объекта исследования находится окно, позволяющее наблюдать электропечь и образцы, установленные в ней. На этой же панели размещены следующие органы управления и индикации: выключатель «СЕТЬ» – предназначен для включения и выключения питания объекта исследования; переключатель «ОБРАЗЕЦ» – предназначен для поочередного подключения образцов к измерительному входу устройства измерительного (2). Положениями переключателя «ОБРАЗЕЦ» соответствует подключение следующих образцов:
«1» – металл (медь),
«2» – сплав с низкотемпературным коэффициентом сопротивления (манганин или константан),
«3» – полупроводник (полупроводниковый терморезистор),
«0» – в этом положении измерительный вход устройства измерительного закорочен.
На задней панели объекта исследования (1) расположены клемма заземления, держатели предохранителей (закрыты предохранительной скобой), сетевой шнур с вилкой и соединительный шнур с разъемом для подключения объекта исследования к измерительному устройству (2).
На передней панели устройства измерительного размещены следующие органы управления и индикации: кнопки «НАГРЕВ» и «ВЕНТ» – предназначены для включения и выключения (путем повторного нажатия) электропечи и вентилятора объекта исследования; кнопка «СТОП ИНД» – предназначена для включения и выключения режима остановки индикации значений температуры и сопротивления при снятии показаний с индикаторов; индикаторы «оС» и «Ом» – предназначены для индикации значений величин температуры и сопротивления образцов в процессе работы; индикаторы «НАГРЕВ», «ВЕНТ» и «СТОП ИНД» – предназначены для индикации установленных режимов работы.
Рис. 1. Общий вид экспериментальной установки ФПК – 07
Принцип действия установки основан на измерении сопротивления образца в процессе его нагрева.
2. Порядок выполнения расчетно-графической работы
1. Заполните таблицу экспериментальных данных по зависимости сопротивления исследуемого образца от температуры.
Таблица 1
R,Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t, 0C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т, К |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. По данным табл. 1 постройте график зависимости R = f (t).
а) б)
Рис. 2. График зависимости сопротивления исследуемого образца от температуры нагревания: а) проводник (металл), б) полупроводник
3. Из графика
зависимости R
= f
(t)
(рис. 2,а) найти значение коэффициента
сопротивления металла (
,
,
где R0 –
сопротивление металла при комнатной
температуре), оценить ошибку определения
коэффициента сопротивления (αCu
= 4.3∙10-3
оС-1).
4. По данным графика зависимости сопротивления от температуры (рис. 2.) делаем заключение о природе материала: если вещество является полупроводником, тогда необходимо занести данные в табл. 2.
Таблица 2
R, Ом |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
t, 0C |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Т, оК |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ln R |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
5. По данным табл.
2 постройте график зависимости натурального
логарифма сопротивления полупроводника
от обратной температуры
.
6. Из графика (рис.
3) определите ширину запрещенной зоны
полупроводника (поскольку сопротивление
проводника с ростом температуры
уменьшается по экспоненциальному закону
,
то ширина запрещенной зоны определяется
как
,
,
где k
= 1.38∙10-23 ДЖ∙
К-1
Рис. 3. График зависимости натурального логарифма сопротивления
полупроводника от обратной температуры
Сделайте вывод по проделанной работе.
