2.2Характиристика элементной базы Резисторы.

МЛТ – 0,125 Вт R₁,R₂,R₅,R₈

- Номинальная мощность 0,125 Вт

- Ряд промежуточных значений допуска ± 2 ± 5 ± 1± 10%

- Диаметр 2,2 мм

- Длина 6,0 мм

R3 – 1 Мом

Диапазон номинальных сопротивлений – 1 Мом

Ряд промежуточных значений допуска ±2 ± 5± 1 ± 10%

Диаметр 2,2 мм ; Длина 6,0 мм

МЛТ – 0,25 Вт R₄,₇

- Номинальная мощность 0,25 Вт

- Ряд промежуточных значений допуска ± 2 ± 5 ± 1± 10%

- Диаметр 2,2 мм

- Длина 6,0 мм

МЛТ – 0,5 Вт R₆

- Номинальная мощность 0,5 Вт

- Ряд промежуточных значений допуска ± 2 ± 5 ± 1± 10%

- Диаметр 2,2 мм

- Длина 6,0 мм

Конденсаторы.

К 50-6 0,1 мКф 10* В (С₁)

Н оминальная ёмкость, мКф - 10…4000

Допустимое отклонение - 5…25 %

Диапазон рабочих температур в град. -20 +h80

Номинальное напряжение - 10 В

Длина 13…45 мм

Диаметр 6…30 мм

К50-6 47мКф 16*В(С₂)

Номинальная ёмкость, мКф -

Допустимое отклонение -

Диапазон рабочих температур в град.

Номинальное напряжение - 16 В

Длина мм

Диаметр мм

Транзисторы.

КТ-361б VТ₁

	статический коэффициент передачи тока B1-B2/Ik/мА- 50-350/1
	предельная частота коэффициента передачи тока Fт МГц-250
	емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется Ск/Uк пф /В- 9/10
	емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется
	постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте Rб*Ск псек -500
	tр нс
	обратный ток коллектора Iко мкА-1
	максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб В-20
	максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R) Uкэ/R В/кОм-20/10
	максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб В-4
	предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе Iкм/Iкн мА/мА-50/
	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе Рк мВт-150 Пер-Р-N-Р

КТ 315 Б VT2

статический коэффициент передачи тока В1-В2/Ik/мА 50-350/1

предельная частота коэффициента передачи тока Fт МГц 250

емкость коллекторного перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при котором она измеряется Ск/Uк пф/В 7/10

емкость эмиттерного перехода (Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она измеряется Сэ/Uэ пф/В

постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте Rб* Ск псек

tр н  300

напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе базы (Iб) Uкэ (Iк/Iб) (мА/мА)

обратный ток коллектора Iко мкА

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база Uкб В 0,4 (20/2)

максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при заданной величине сопротивления, включенного между базой и эмиттером (R) Uэб/R В/кОм 1

максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база Uэб В 20

предельно допустимый постоянный (Iкм) ток коллектора предельно допустимый ток коллектора в режиме насыщения (Iкн)или в импульсе Iк/Iкн мА/мА 15/10 максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе Рк мВт – 6;

Пер – 10

ДИОДЫ.

КД 521 А(VD₁-VD₃)

	Максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде Uоб/Uимп В/В – 75/100
	Максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод Iпр/Iим мА/мА – 50/500
	Время восстановления (Твос) обратного сопротивления диода или заряд (Qпк) для его переключения при заданном прямом токе (Iп) и обратном напряжении (Uо) Тв/Qпк(Iп/Uо) нс/пк (мА/В) – 4/200(/10)
	Ёмкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется Сд/Uд пф/В – 100/0
	Максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него Uпр/Uпр В/мА – 1/50
	Обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры +25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом) Iо мкА - 1

КД 105Г(VD₄)

	максимально допустимое постоянное (Uоб) или импульсное (Uимп) обратное напряжение на диоде. Uоб/Uимп В/В-/800
	максимально допустимый постоянный (Iпр) или импульсный (Iимп) прямой ток через диод. Iпр/Iимп А/А-0.3/15
	максимальное падение напряжения (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.Uпр/Iпр В/А -1.0/0.3
	емкость диода (Cд) и напряжение на диоде (Uд), при котором она измеряется.
	обратный ток диода при предельном обратном напряжении. Приводится для температуры+25 (Iо(25)) и максимальной рабочей температуры (Iом).Сд/Uд пф/В Iо(25)Iом мкА/мкА- 100/300
	максимальная рабочая частота диода.Fmax кГц -1
	максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на диоде (P) и на диоде степлоотводом (Pт). Р Вт

Симистор.

SV₁-КУ 208Г

Повторяющееся импульсное напряжение Uобр.,п – наибольшее

мгновенное значение обратного напряжения, прикладываемого

к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения; постоянное обратное напряжение Uобр - наибольшее напряжение,

которое может быть приложено к прибору в обратном направлении

Uобр.п.,Uобр.mах, В – 400*

Повторяющиеся импульсное напряжение в закрытом состоянии Uзс,

п - наибольшее мгновенное значение напряжения в закрытом состоянии, прикладываемого к тиристору, включая только повторяющиеся переходные напряжения; постоянное напряжение в закрытом состоянии Uзс - наибольшее прямое напряжение, которое может быть приложено к прибору и при котором он находится в закрытом состоянии Uзс,п,Uзс,mах В – 400*

Постоянный импульсный ток в открытом состоянии Iос - наибольшее значение тока в открытом состоянии Iос.н, А - 10

Средний ток в открытом состоянии Iос, ср - среднее за период значение тока в открытом состоянии; повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии Iос, п - наибольшее мгновенное значение тока в открытом состоянии, включая все повторяющиеся переходные токи Iос,ср,Iос,п, А – 5*

Импульсное напряжение в открытом состоянии Uос, и - наибольшее мгновенное значение напряжения в открытом состоянии, обусловленное импульсным током в открытом состоянии заданного значения; напряжение в открытом состоянии Uос - падение напряжения на тиристоре в открытом состоянии Uос,и,Uос В - < 2*

Неотпирающее постоянное напряжение управления Uу, нот - наибольшее постоянное напряжение на управляющем электроде, вызывающее переключение тринистора из закрытого состояния в открытое

повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии Iзс, п - импульсный ток в закрытом состоянии, обусловленный повторяющимся импульсным напряжением в закрытом состоянии; Uу,нот, В –

Постоянный ток в закрытом состоянии Iзс - ток в закрытом состоянии при определенном прямом напряжении, повторяющийся импульсный обратный ток Iобр, п - обратный ток, обусловленный повторяющимся импульсным обратным напряжением; Iзс,п,Iзс мА - <5*

Постоянный обратный ток Iобр - обратный анодный ток при определенном значении обратного напряжения Iобр,п,Iобр. мА -

Отпирающий постоянный ток управления Iу, от - наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора (из закрытого состояния в открытое); запирающий импульсный ток управления Iу, з, и - наибольший импульсный ток управления, не вызывающий включение тиристора Iу,от,Iу,з,и. мА - <160*

Постоянное отпирающее напряжение управления Uу, от - напряжение между управляющим электродом и катодом тринистора, соответствующее отпирающему постоянному току управления; импульсное отпирающее напряжение управления Uу, от, и - импульсное напряжение на управляющем электроде, соответствующее импульсному отпирающему току управления Uу,от,Uу,от,и,В - <5*

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии (Uзс /dt)кр - наибольшее значение скорости нарастания напряжения в закрытом состоянии, которое не вызывает переключение тиристора из закрытого состояния в открытое dUзс/dt, В/мкс - 10

Время включения тиристора tвкл - интервал времени, в течение которого тиристор включается отпирающим током управления/tвыкл, мкс tвкл,мкс - <10

Микросхема.

DD₁ - К 561 ЛА7

Ток потребления при низком уровне на выходе и напряжении источника питания 18 В. 0,15 мА

Время задержки распространения при включении 220 нс

Время задержки распространения при выключении 220 нс

Выходной ток высокого уровня 0,42 мА

Выходной ток низкого уровня 0,42 мА

Температура окружающей среды -45...+85^оС

3. Технологическая часть.

3.1 Техника безопасности при изготовлении симисторного регулятора мощности.

При налаживании любого варианта регулятора и его практическом использовании следует помнить, что все его элементы, включая вал переменного резистора, находятся под напряжением сети. Поэтому регулятор должен быть помещен в корпус изоляционного материала, а переменный резистор – снабжен ручкой из изоляционного материала с закрытым стопорным винтом.

3.2.Технологический процесс изготовления.

Номер операции	Наименование и содержание операции	Оборудование рабочего места	Инструменты и приспособления	Материалы
1.	Комплектовочная Скомплектовать узлы, детали и радиоэлементы в соответствии с перечнем на данное изделие	Радиомон-тажный стол	Техническая тара, пинцет.	-
2.	Подготовительная 2.1Подготовка радиоэлементов 2.1.1Внешний осмотр 2.1.2Рихтовка выводов 2.1.3Обслуживание 2.1.4Формовка выводов радиоэлементов в соответствии с вариантом установки.Формируются все кроме переключателя.	Радиомон- тажный стол	Пинцет, лупа Пинцет Паяльник, пинцет Приспособле-ния для формовки.	Флюс ФКСП Припой ПОС-61

Номер операции	Наименование и содержание операции	Оборудование рабочего места	Инструменты и приспособления	Материалы
3.	Монтажная 3.1Установка и крепление радиоэлементов на плату по вариантам: Резисторы R₁-R₈-Ia Конденсаторы С₁-С₂-IХа Транзисторы VT₁- VT₂ по рисунку Диоды VD₁- VD₄- Ia Симистор VS1 по рисунку Микросхема DD₁ по рисунку 3.2Пайка выводов	Радиомонтаж- ный стол	Пинцет, Бокорезы Паяльник, пинцет	- Флюс ФКСП Припой ПОС-61
4.	Промывка	Вытяжной шкаф	Ванночки, кисти	Спирто- бензин 1:1
5.	Сушка	Сушильный шкаф	Кассета	-
6.	Контроль качества формовки,обслуживания,уста-новки,пайку	Радиомон-тажный стол
7.	Лакировка	Вытяжной Шкаф	Кассета, Кисточки	Лак УР-231
8.	Сушка	Сушильный шкаф	Кассета	-

9.	Контроль Качества лакировки	Радиомонтажный стол	Лупа
10.	Сборочная 10.1Установка печатного узла в корпус		Набор отверток

3.3 Инструкция по монтажу радиоэлементов.

Резисторы

1. Подготовить резистор

(внешний осмотр, формовка, лужение выводов.)

2. Резисторы устанавливаются на печатную плату по 1 варианту ( на плату)

3. Резисторы устанавливаютcя с учётом маркировки.

Конденсаторы

1.Подготовить конденсатор к монтажу

(внешний осмотр, формовка, лужение выводов)

2. Конденсаторы устанавливаются на плату по 9

варианту ( на плату)

3.Конденсатор устанавливается с учетом

полярности.

Диоды.

1.Перед монтажом диоды необходимо подготовить( внешний осмотр, формовка и лужение выводов)

2. Диоды устанавливаются на печатную плату по вариантам 1,2,3,4. Мощные диоды устанавливаются на радиаторы. Их жесткие выводы не изгибаются, электрические соединения выполняются радиомонтажным проводом.

3.Облуживание и пайка выполняются с теплоотводом при температуре не выше 250⁰С, время пайки 3-5с.

4. Расстояние от корпуса до места изгиба при формовке вывода определяется по ГОСТ на данный элемент. Минимальное расстояние – 3мм, максимальное – 10мм.