46. Эмиттерлік және коллекторлық p-n ауысудың сыйымдылықтары.
Биполярлы транзистор – екі p-n аусуы бар жартылайөткізгіштік құрал. Транзисторлардың биполяр (екі полоюсті) атану себебі – одан ток өткен кезде заряд тасымалдаушылардың екі тегі (электрондар мен кемтіктер) қатысады. Транзисторлар екі типті болады: p-n-p және n-p-n. Біршама артықшылықтары бар болғандықтан n-p-n типті транзисторлар қолданыста кеңінен таралған. Биполяр транзисторлардың схемадағы белгіленуі 1 суретте келтірілген.
1Сурет – Транзисторлардың схемадағы белгіленуі
Бұл жердегі белгіленулер: «б» – база, «к» – коллектор, «э» – эмиттер. Транзистордың типі (п-р-п немесе р-п-р) эмиттердегі бағдарсызықтың бағытымен анықталады, ол эмиттерлік ауысу тогының бағытын көрсетеді. р-п-р типті транзистордың коллекторы қуат көзінің теріс полюсіне, ал п-р-п типті транзисторда оң полюсіне қосылады. n-р-n және р-n-р транзиторларының жұмыс істеу принциптері өз ара ұқсас, айырмашылығы: біріншісінде ток құратын заряд бөлшектері негізінен электрондардан тұратын болса, екіншісінде кемтіктерден тұрады, сондықтан аталған заряд бөлшектерін жинау үшін n-р-n транзисторын коллекторына оң кернеу беріледі де n-р-n транзисторының коллекторына теріс кернеу беріледі. Осыған орай n-р-n және р-n-р транзисторларының база кернеуі мен токтарының бағыттары да қарама – қарсы келеді.
Кіріс сигнал көзі мен транзистордың шығыс тізбегі арасында қай электрод ортақ болуына байланысты транзисторды қосудың негізгі үш түрлі қосылу схемасы болады: ортақ эмиттермен (ОЭ), ортақ коллектормен (ОК) және ортақ базамен (ОБ). Бұлар 2- суретте келтірілген.
2- Сурет – Транзистордың түрліше қосылу схемалары.
47. Биполярлы транзистордың жиіліктік сипаттамасы. Транзисторды қосу және жұмыс істеу қалыптары. Статикалық және динамикалық сипаттамалар.Биполярлы транзистор – екі p-n аусуы бар жартылайөткізгіштік құрал. Транзисторлардың биполяр (екі полоюсті) атану себебі – одан ток өткен кезде заряд тасымалдаушылардың екі тегі (электрондар мен кемтіктер) қатысады. Транзисторлар екі типті болады: p-n-p және n-p-n. Біршама артықшылықтары бар болғандықтан n-p-n типті транзисторлар қолданыста кеңінен таралған. Биполяр транзисторлардың схемадағы белгіленуі 1 суретте келтірілген.
1Сурет – Транзисторлардың схемадағы белгіленуі. Бұл жердегі белгіленулер: «б» – база, «к» – коллектор, «э» – эмиттер. Транзистордың типі (п-р-п немесе р-п-р) эмиттердегі бағдарсызықтың бағытымен анықталады, ол эмиттерлік ауысу тогының бағытын көрсетеді. р-п-р типті транзистордың коллекторы қуат көзінің теріс полюсіне, ал п-р-п типті транзисторда оң полюсіне қосылады. n-р-n және р-n-р транзиторларының жұмыс істеу принциптері өз ара ұқсас, айырмашылығы: біріншісінде ток құратын заряд бөлшектері негізінен электрондардан тұратын болса, екіншісінде кемтіктерден тұрады, сондықтан аталған заряд бөлшектерін жинау үшін n-р-n транзисторын коллекторына оң кернеу беріледі де n-р-n транзисторының коллекторына теріс кернеу беріледі. Осыған орай n-р-n және р-n-р транзисторларының база кернеуі мен токтарының бағыттары да қарама – қарсы келеді.
Транзистордың жалпы және көбінесе жиі қолданылатын, оны сипаттайтын көрсеткіші – эксперимент жүзінде алынған статикалық вольтамперлік сипаттамасы (ВАС).
Транзистордың статикалық сипаттамасын эксперимент жүзінде алынған, жүктемесіз режимдегі (Rж=0) транзистордың p-n ауысуындағы ағатын ток пен кернеу арасындағы қатынастарды көрсететін графиктер құрайды. Бұл сипаттамалар әр типті транзистор үшін бірегей болып табылады және олар транзистордың зауыттан шыққан төлқұжатында немесе жартылайөткізгіштік приборларға арналған анықтамаларда келтіріледі
Транзистордың динамикалық ВАС байланысатын жүктеме параметрларымен анықталады. Мысалы, активті – индуктивті жүктеменің сөндірілуі кілттік элементтегі ток күшінің көбеюіне алып келеді. Бұл ток күшінің көбеюі токтың нольге дейін төмендеуі кезінде жүктеменің индуктивті құраушысында пайда болатын өздік индукцияның ЭДС анықталады Um=Ldi/dt.