Раздел 1. Основы организации и методика ремонта бытовой радиоэлектронной аппаратуры.

Тема 1.3 Неисправности диодов, транзисторов, микросхем и их замена. Методы отыскания неисправностей.

Диоды и стабилитроны

Потеря работоспособности диодов и стабилитронов может наступить вследствие:

а) обрыва цепи внутри прибора (сгорание);

б) утраты запирающей способности (пробой);

в) обрыва выводов.

Неработоспособный диод (или стабилитрон) может быть определен посредством вольтметра переменного тока или омметра.

Неработоспособный диод (стабилитрон или стабистор) в схеме выпрямления, находящейся под напряжением, может быть определен с помощью вольтметра путем измерения напряжения на всех диодах (или стабилитронах, или стабисторах).

Нагрузка схемы должна быть включена, а емкостной фильтр на выходе схемы отключен.

При сгорании диода (стабилитрона) напряжение на нем будет всегда больше, чем на исправном;

при пробое напряжение будет равно нулю или мало отличающимся от нуля.

Неработоспособный диод (стабилитрон) может быть определен с помощью омметра путем измерения сопротивления диода в обоих направлениях.

У исправных диодов (стабилитронов) сопротивление зависит от типа, силы измерительного тока и температуры среды и колеблется в пределах от единиц до сотен (десятков) килоомов в прямом направлении, до десятков мегаомов - в обратном направлении.

Транзисторы

Потеря работоспособности транзисторов может наступить вследствие:

а) обрыва цепи внутри прибора (сгорание);

б) утраты запирающей способности (пробой);

в) обрыва выводов;

г) перегрева.

Неработоспособный транзистор может быть определен посредством вольтметра постоянного тока, омметра или специальных проверочных средств.

Неработоспособный транзистор в цепи, находящейся под напряжением, в общем случае может быть определен с помощью вольтметра.

В связи с многообразием типов транзисторов и схемных решений эффективность поиска зависит от наличия технической информации по конкретному объекту (карта напряжений и др.) и возможности сравнения измерений, выполняемых на нескольких транзисторах (осуществляющих одинаковые функции), работоспособность одного из которых вызывает сомнение.

Неработоспособный транзистор может быть определен с помощью омметра путем измерения сопротивления переходов в прямом и обратном направлениях.

В случае пробоя перехода его сопротивление будет равно нулю, а при сгорании прибора сопротивления переходов в обоих направлениях - бесконечности.

Интегральные схемы

Контроль состояния интегральных схем определяется прежде всего их типом.

При проверке линейных схем (усилителей, операционных усилителей, стабилизаторов и др.) прежде всего с помощью измерителей напряжений (желательно с высокоомным входом) измеряются:

- напряжения питания, смещения, отношения напряжения на входе и выходе (для усилителей);

- напряжения на отдельных выходах согласно справочным данным, а также указаниям инструкции по эксплуатации данного объекта.

Выход за пределы допуска этих параметров четко указывает на неисправность линейных микросхем.

Интегральные схемы этого же класса типа генераторов могут быть окончательно проверены визуально с помощью осциллографа.

Если генерация происходит на низких и инфранизких частотах (от 10 Гц и ниже), то возможно обнаружение неисправности микросхемных генераторов с помощью малоинерционных стрелочных приборов.

Контроль выхода отказавшего генератора не будет вызывать колебаний (или вибраций) стрелки приборов.

Иногда неисправность микросхем можно обнаружить по температуре корпуса, как было указано выше.

Отказы микросхемных стабилизаторов напряжения обнаруживаются по отклонению выходного стабилизированного напряжения от паспортных данных не менее чем на ±15%.

В современных системах автоматического управления и регулирования применяются логические интегральные микросхемы, а также последовательные схемы типа счетчиков, регистров, делителей частоты.

Исправность логических схем определяется по соотношению входных и выходных сигналов.

Необходимо помнить, что в общем случае эти микросхемы могут быть рассчитаны на отрицательную и положительную логику, в соответствии с чем и производится контроль.

Так, в случае положительной логики логической единице соответствует высокий потенциал относительно общего провода, а логическому нулю - низкий.

Таким образом, для микросхем, реализующих операцию логического сложения, выходной потенциал всегда будет высоким, если хотя бы на одном из входов или на обоих входах, также будут высокие потенциалы.

Аналогично для схем алгебраического сложения (совпадения) выходной потенциал будет высоким только в том случае, если на всех входах также будут высокие потенциалы.

Эти микросхемы должны контролироваться с учетом возможного инвертирования, когда выходные сигналы меняются на противоположные.

Контроль их можно производить с помощью обычных вольтметров с пределами измерения от 3 до 27 В.

Счетчики, регистры, делители цифровых электронных систем, как и логические схемы, проверяются в процессе функционирования объектов.

При этом следует учесть, что без приборов визуального наблюдения (осциллографов) проверки этих устройств с помощью простейших приборов (вольтметров, комбинированных измерительных приборов) возможны только в том случае, если частоты следования входных импульсов не превышают 10 Гц, что может быть зафиксировано по колебаниям стрелки прибора.

В этом случае возможны ситуации, когда предыдущий элемент выдает импульсные сигналы, а последующие не реагируют на них из-за плохой формы импульсов, что можно установить только с помощью осциллографа, имеющего диапазон частот разверток, рассчитанный не менее чем на 10 МГц.

Как правило, устройства, включающие в себя микросхемы, достаточно сложны и требуют для качественной проверки особых условий и квалифицированных специалистов.

Лекция 4 Время 2ч.