- •Лекция 1.
- •Литература:
- •Введение в курс.
- •Энергия электронов в атоме
- •1. Проводимость твердых тел, жидкостей и газов
- •2. Электронные свойства твердых тел
- •3. Типы полупроводников
- •4. Процессы p-n - перехода
- •5. Термическая ионизация
- •6. Потенциал ионизации
- •7. Фотоионизация
- •8. Деионизация
- •9. Световой луч и его свойства
- •9.1. Электромагнитный спектр
- •Класификация полупроводниковых элементов.
- •Фоторезистор
- •Полупроводниковые диоды
- •Классификация диодов:
- •Выпрямительные диоды.
- •С табилитроны
- •Т уннельный диод
- •О бращённые диоды
- •В арикап
- •Ф отодиод
- •Светодиод
- •Д иод Шотки
- •Транзисторы
- •Принцип деЙствия транзистора.
- •Характеристики транзисторов.
- •Схемы включения транзисторов.
- •Коэффициент усиления измеряется в децибелах :
- •2) Схема с общим коллектором (эмиттерный повторитель).
- •Определение рабочей области транзистора по выходной характеристике
- •Униполярные (полевые транзисторы)
- •Полевые транзисторы со встроенным каналом
- •Тиристоры.
- •Тринистор
- •УСилители.
- •2. Классификация по амплитуде усиливаемого сигнала.
- •3. Классификация по числу каскадов.
- •Характеристики усилителя
- •Усилители постоянного тока (упт)
- •Операционный усилитель (оу)
- •Дрейф нуля упт.
- •Методы борьбы с дрейфом нуля
- •Передаточные функции операционного усилителя.
- •Схемы включения оу
- •Цифроаналоговые преобразователи (цап)
- •Источник опорного напряжения нагружен на постоянное сопротивление
- •Аналогоцифровые преобразователи (ацп)
- •Обратные связи в усилителях
- •Генераторы гармонических (синусоидальных) сигналов. (ггс)
- •Источники питания
- •Выбор трансформатора
- •Выпрямители
- •Стабилизаторы.
6. Потенциал ионизации
При ионизации электрону атома сообщается энергия больше энергии самого высокого возбужденного уровня. Эта энергия, достаточная для ионизации, измеряется в эВ, отсюда - название "потенциал". Это не напряжение. В табл. 2. приведены потенциалы ионизации некоторых веществ.
Таблица 2.
Атом |
- |
Cs |
K |
Na |
Ca |
Fe |
H |
O |
Ar |
F |
Ne |
He |
Ui |
эВ |
3,9 |
4,3 |
5,11 |
6,08 |
7,83 |
13,5 |
13,6 |
15,7 |
18,6 |
21,5 |
24,5 |
Наличие в столбе дуги паров веществ с низким потенциалом ионизации приводит к уменьшению напряжения на дуге, поэтому в электродных покрытиях используются соединения щелочных металлов, присутствие которых облегчает возбуждение дуги
7. Фотоионизация
Это возбуждение атомов и молекул при поглощении ими квантов излучения. Эти кванты появляются в дуге при рекомбинации других сильно возбужденных атомов.
Условие фотоионизации: h eUi, где h - энергия кванта; еUi, -энергия необходимая для ионизации атома, h = 4,13-10-15 эВ*с - постоянная Планка ; - частота кванта; с - скорость света. Для частоты излучения и длины волны имеет место соотношение = с/, где - длина волны. Длина световой волны, способная вызвать ионизацию определяется из условия i = hс/(еUi)) = 12,4*10-7/(еUi), м. Чем больше потенциал ионизации элемента, тем меньше требуемая для этого длина волны. Для щелочных металлов еUi = 4...6 эВ, а длина волны ионизации i 200 нм; для аргона еUi = 15,7 эВ, i =78,5нм.
Для сварочной дуги потенциалы Ui лежат в пределах 4...25 эВ. Поэтому соответствующие длины волн находятся в ультрафиолетовой части спектра. В плотной плазме фотоионизация значительно меньше термической ионизации.
8. Деионизация
Идет непрерывно в плазме разряда, уравновешивая процесс ионизации. К процессам деионизации относят: рекомбинацию заряженных частиц в нейтральные, захват электронов (прилипание), дрейф проводимости и амбиполярную диффузию (выравнивание концентраций).
Рекомбинация зависит от типа частиц, времени их жизни, размеров ионов, от наличия близко расположенных нейтральных атомов или охлаждающих стенок.
Захват электронов с образованием тяжелых отрицательных ионов может осуществляться атомами металлоидов, которые обладают большим сродством к электрону. Пример такого процесса может быть таким: F + е F-1 + 3,94 эВ , где F - атом фтора.
Диффузия - это движение частиц под действием разности концентраций (парциальных давлений). В плазме дугового разряда подвижность электронов значительно превышает подвижность ионов, поэтому они стекают к аноду, опережая ионы. (По условию квазинейтральности плазмы скорости диффузии ионов и электронов должны быть равны.) Поэтому опережение электронов создает электрическое поле. Это поле тормозит электроны и ускоряет (мало) ионы. Скорости выравниваются до уровня скорости диффузии ионов.
Направленное движение электронов и ионов через газ называется амбиполярной диффузией.
