Аннотация

АСС

арсеносиликатное стекло;

БиКМОП

биполярная комплиментарная МОП-технология;

БСС

боросиликатное стекло;

БФСС

борофосфоросиликатное стекло;

ВТО

высокотемпературный оксид кремния;

ВЧ

высокая частота;

ГФСС

германофосфоросиликатное стекло;

ДОЗУ

динамическое оперативное запоминающее устройство;

ЗУ

запоминающее устройство;

ИК

инфракрасный

ИМС

интегральная микросхема;

ИС

интегральная схема;

ИСМЭ

изделие силовой микроэлектроники;

ИСП

индуктивно-связанная плазма

ИЭТ

изделие электронной техники;

КМОП

комплиментарная МОП–технология;

КОС

кремний-элементоорганические соединения;

МДП

металл–диэлектрик–полупроводник;

МОП

металл–оксид–полупроводник;

МП

микропроцессор;

МЭС

многоэлектродная система

НК

накопительный конденсатор;

НТБФСС

низкотемпературное борофосфоросиликатное стекло;

НТО

низкотемпературный оксид кремния;

НТФСС

низкотемпературное фосфоросиликатное стекло;

НЧ

низкая частота;

ПГС

парогазовая смесь;

ПК

поликристаллический кремний;

ПКЛБ

поликристаллический кремний, легированный бором в процессе роста;

ПКЛК

(SiPOS)

поликристаллический кремний, легированный кислородом в процессе роста (полуизолирущий поликристаллический кремний);

ПКЛФ

поликристаллический кремний, легированный фосфором в процессе роста;

ПМЭС

продольная многоэлектродная система;

Поли-Si-Ge

поликристаллический кремний, легированный германием в процессе роста;

ПХТ

плазмохимическое травление;

ПХФСС

плазмохимическое фосфоросиликатное стекло;

ПЭМ

просвечивающая электронная микроскопия;

РАД

реактор атмосферного давления;

РРГ

регулятор расхода газа

РПД

реактор пониженного давления;

РПЗУ

регенерируемые постоянные запоминающие устройства;

РСНД

реактор сверхнизкого давления;

РЭМ

растровый электронный микроскоп;

САД

субатмосферное давление

СБИС

сверхбольшие интегральные схемы;

СВЧ

сверхвысокая частота;

СЛС

слаболегированные стоки;

СТБФСС

среднетемпературное борофосфоросиликатное стекло;

СТО

среднетемпературный оксид кремния;

СтО

спецтехнологическое оборудование;

СТФСС

среднетемпературное фосфоросиликатное стекло;

УБИС

ультрабольшие интегральные схемы;

ФОГФ (PVD)

физическое осаждение из газовой фазы;

ФСС

фосфоросиликатное стекло;

ХАЧ

химически активные частицы;

ХОГФ (CVD)

химическое осаждение из газовой фазы;

УНД

ультра-низкое давление

УВВ

ультра-высокий вакуум

ЧПП

чистые производственные помещения;

ШИМ

широтно-импульсный модулятор;

ЭЛИ

электронно-лучевое испарение;

ЭП

элемент памяти;

ЭСЛ

эмиттерно-связанная логика;

ЯП

ячейка памяти;

ALCVD (ALD)

осаждение атомарных слоев химическим осаждением из газовой фазы;

APCVD

химическое осаждение при атмосферном давлении;

ECR (ЭЦР)

электронно-циклотронный резонанс;

HDPCVD

химическое осаждение из газовой фазы, активированное плазмой высокой плотности;

HTCVD

химическое осаждение из газовой фазы при высоких температурах;

ICP

индуктивно-связанная плазма;

LCVD

химическое осаждение из газовой фазы, активированное лазером;

LPCVD

химическое осаждение при низком давлении;

LTCVD

химическое осаждение из газовой фазы при низких температурах;

MTCVD

химическое осаждение из газовой фазы при средних температурах;

MFC

регулятор расхода газа

ONO

структура оксид-нитрид-оксид

PECVD

химическое осаждение из газовой фазы, активированное плазмой;

PLD

пульсирующее осаждение слоев;

PHCVD

фотохимическое осаждение из газовой фазы;

RTCVD

быстрое термическое химическое осаждение из газовой фазы;

SACVD

химическое осаждение из газовой фазы при субатмосферном давлении;

SMIF

стандартный механический интерфейс

FOUP

открываемый спереди объединенный отсек

UHVCVD

химическое осаждение из газовой фазы при сверхнизком давлении.

CECVD (CatCVD)

катализаторно активируемые процессы ХОГФ;

IRPHCVD

фотохимическое осаждение из газовой фазы, активированное инфракрасным излучением;

LVPHCVD

фотохимическое осаждение из газовой фазы, активированное излучением видимого света;

UVPHCVD

• ф

фотохимическое осаждение из газовой фазы, активируемое глубоким ультрафилетовым излучением;

DHVPHCVD

фотохимическое осаждение из газовой фазы, активируемое глубоким ультрафиолетовым излучение;

TCHDPCVD

химическое осаждение и газовой фазы, активируемое трансформаторно связанной плазмой высокой плотности