- •1Пр, мкА Рис. 1. Вольт-амперная характеристика идеального диода
- •Задача № 2
- •Задача № 3
- •Задача № 4
- •Задача № 5
- •Нарисовать принципиальную схему усилителя;
- •На семействе статических вах транзистора построить нагрузочную прямую и определить положение рабочей точки;
- •Для найденной рабочей точки определить сопротивление резистора в цепи истока Яи и малосигнальные параметры s, r; и ц;
- •Ic, мА Рис. 6. Статические характеристики транзистора 2п302б
- •Сопротивление резистора в цепи истока Rи находим следующим образом:
- •Задача № 6
- •2. Статические характеристики транзистора 2п302б изображены на рисунке 6.
- •Задача № 7
- •Без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальванический режим);
- •С внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим) (рис. 8).
- •Поток световой энергии равен ф1. Тогда
- •Поток световой энергии равен ф2. Тогда
- •Граничная частота fjp - частота, где интегральная чувствительность уменьшается в л/2 раз (106-1012 Гц).Список литературы
Задача № 7
Фотодиод включён последовательно с источником питания и резистором R. Обратный ток насыщения затемнённого фотодиода (темновой ток) равен I0.
Фототок
диода в фотогальваническом режиме при
коротком замыкании перехода составляет
1ф1
при потоке световой энергии Ф1;
1ф2
при потоке световой энергии Ф2;
1ф3=0
при потоке световой энергии Ф3=0
.Определите
напряжение холостого хода Uxx
диода
для Ф1з
Ф2
и Ф3,
а также значения Ф1
и Ф2
(лм),
считая токовую чувствительность при
монохроматическом световом потоке
равной Si=1.5-10"2
мкА/лм.
Рассчитать
и построить семейство ВАХ идеализированного
фотодиода для световых потоков Ф1з
Ф2
и Ф3
в диапазоне напряжений U
от
ихх
до - 10 (при расчётах считать, что фототок
не зависит от напряжения на запертом
переходе; Т=300 К).
Описать принцип работы, характеристики и параметры фотодиода.
Значения
I0
=
3 мкА;
R = 40 кОм;
1Ф1
= 30 мкА;
1Ф2
= 90 мкА.
Решение
Схема
цепи представлена на рисунке 8.
Рис.
8.
Схема цепи Фотодиоды могут работать в
одном из двух режимов:
Без внешнего источника электрической энергии (вентильный, фотогенераторный или фотогальванический режим);
С внешним источником электрической энергии (фотодиодный или фотопреобразовательный режим) (рис. 8).
Ток, протекающий через фотодиод, можно представить в виде:
( qu
.kT
1
I
(4)
Ф ’
I = I0
где
1ф
-
фототок,
вызванный облучением p-n
перехода
светом;
I0
-
тепловой ток p-n
перехода.
Здесь этот ток равен обратному току
насыщения затемнённого фотодиода
(темновой ток);
U - напряжение на диоде.
При разомкнутой внешней цепи RtI=<», I=0 легко выразить напряжение холостого хода их или фото-ЭДС. Воспользуемся выражением (5). Тогд
а
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
h ' |
|
q
I
0 0
Для комнатной температуры (Т=300 К) — = 0.026 B .
q
Рассчитаем значения Uxx для различных освещённостей:
kT, L 1ф,Л L 30'
I
kT
1 + -*1
= 0.026 ln ll + -yl = 0.062 (В).
для Ф=Ф1 Uxx =— ln
q
*-0 0
1 + -*
Ic 0
1 + -
kT,
(
IФ2Л
для Ф=Ф
2Uxx = — ln
q
kT, L I фз Л
для Ф=Фз Uxx = — ln q
00
=
0.026 ln |1 + yj = 0.089 (В).
=
0.026 ln | 1
+ 3|
= 0
.
Статическая интегральная токовая чувствительность при монохроматическом световом потоке
определяется
отношением ST
=
— . Из данного выражения определим
значения потоков Ф1
и
Ф
Ф2:
|
|
Si |
|
|
|
Si |
|
Ф1 =
Ф=
2
2
= 2000
(лм), -2
= 6000 (лм).
Вольт-амперной характеристикой здесь является зависимость общего тока фотодиода от напряжения U, приложенного к фотодиоду:
I общ = f(U).
Данная характеристика определяется выражением (4). Рассчитаем и построим ВАХ фотодиода при различной величине освещённости.
