Список сокращений

AFM — атомный силовой микроскоп

DRAM — динамические запоминающие устройства

ITO — оксид индия – олова

LDD – структура МОП транзистора со слабо-легированным стоком

NRAM — энергонезависимое оперативное запоминающее

устройство

PECVD — радиочастотное плазмохимическое осаждение из

газовой фазы

Rc – контактное сопротивление

SED — одноэлектронные приборы

SET — одноэлектронный транзистор

STM — сканирующий туннельный микроскоп

CVD – химическое газофазное осаждение

LOCOS – локальное окисление кремния

ВУФ – вакуумный ультрафиолетовый диапазон длин волн

ИС – интегральная схема

КНИ – технология кремний-на-изоляторе

КНС –технология кремний-на-сапфире.

КМДП– комплиментарные МДП структуры

КМОП– комплиментарные МОП структуры

МЛЭ молекулярно-лучевая эпитаксия

МДП—структура металл – диэлектрик - полупроводник

МОП— структура металл-окисел-полупроводник

СБИС— cверхбольшая интегральная схем

ТКС — температурный коэффициент сопротивления

УБИС— ультрабольшая интегральная схема

УНТ— углеродная нанотрубка

УФ— ультрафиолетовый

ФСС – фосфорно-силикатное стекло

Введение

Микро- и нанотехнологии является, развитие которых определяют прогресс науки и техники и, в частности, микро- и наноэлектроники, базируются на основе последних достижений физики твердого тела, квантовой электроники, физической химии и технологии полупроводниковых материалов. Для их развития необходимо установление фундаментальных закономерностей, определяющих физико-химические особенности формирования микро- и наноразмерных структур, их электронные и оптические свойства. Нанотехнология обычно рассматривается как продолжение развития основных тенденций микротехнологий, а именно как совокупность методов и приемов, обеспечивающих возможность контролируемым образом создавать и модифицировать объекты, включающие компоненты с размерами менее 100 нм, имеющие принципиально новые качества и позволяющие осуществлять их интеграцию в полноценно функционирующие системы большего масштаба.

Разработанные в последние годы наноэлектронные элементы по своей миниатюрности, быстродействию и потребляемой мощности составляют серьезную конкуренцию традиционным полупроводниковым транзисторам и интегральным микросхемам на их основе как главным элементам информационных систем. Уже сегодня техника вплотную приблизилась к теоретической возможности запоминать и передавать 1 бит информации с помощью одного электрона, локализация которого в пространстве может быть задана одним атомом. Ожидает практического разрешения и идея аналогичных однофотонных элементов. Широкое применение одноэлектронных и однофотонных элементов для создания информационных систем сдерживается недостаточной их изученностью, а главное, необходимостью обладать нанотехнологией, позволяющей конструировать требуемые структуры. Однако современные темпы развития электроники позволяют уверенно прогнозировать промышленное освоение нанотехнологии, а вместе с ней и наноэлектроники уже в начале XXI века. Для более глубокого изучения интересующемуся читателю можно рекомендовать перечисленные в списке литературы монографии, обзоры и пособия, вышедшие в последние годы и переведенные на русский язык.