Список использованных источников

1. Юнусов, М. С. Фо­топриемники на основе кремния, легированного осмием / М. С. Юнусов – Физика и техника по­лупроводников, 1999. – 115 с.

2. Воронков, Э. Н Фотопамять в тонкопленоч­ных элементах на основе CdTe / Э. Н Воронков – Физика и техника полупроводников, 1999. – 15 с.

3. Ильчук, Г. А. Создание и фотоэлектрические свойства структур окисел - CdTe / Г. А. Ильчук – Фи­зика и техника полупроводников, 2000. – 294-215 с.

4. Рудь, Ю. В. Фото­преобразование в гетероконтактах CdTe и его аналогов с белком / Ю. В. Рудь – Физика и техника полупроводников, 1999. – 254-315 с.

5. Буткевич, В. Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца / В. Г. Буткевич // Состояние работ в ГУП и НПС "Орион" перспективы развития. – 1999. – № 2. – 21 с.

6. Аржанухина, И. П. Исследование спектров фоточувствительности гетероперехода n-GaAs-As2Se₃ / И. П. Аржанухина – Физика и техника полупроводников, 1999. – 55 с.

7. Бобренко, Ю. Н. Фотоэлектрическое преоб­разование в поверхностно-барьерных структурах на основе поликристаллическо­го CdS / Ю. Н. Бобренко // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1996. – № 31. – 21 с.

8. Суровый, Э. П. Фотоэлектрические явления в гетеросистеме "азид таллия - сульфид кадмия" / Э. П. Суровый – Кемерово.: Кемерово, 1997. – 65 с.

9. Горбик, П. П. Фотоэлектриче­ское преобразование в поверхностно-барьерных структурах на основе селенида кадмия / П. П. Горбик – Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1998. – 135 с.

10. Шовак, И. Электродвижущая сила и фотовольтаический эффект в пленках Ge₂S₃+Al переменного состава / И. И. Шовак // Украинский физико-технический университет. – 2000. – № 6. – 218 с.

11. Аржанухина, И. П. Исследование спектров фоточувстви­тельности гетероперехода n-GaAs-As₂S₃ / И. П. Аржанухина – Физика и техника полупроводников, 1999 – 347 с.

12. Рудь, В. Ю. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов InO/CdS/Cu(In, Ca)Se₂ / В. Ю. Рудь – Физика и техника полупро­водников, 1999. – 215 с.

13. Вальтер, Т. Фоточувствительность тон­копленочных солнечных элементов InO/CdS/Cu(In, Ga)Se₂ / Т. Вальтер – Физика и техника полупроводников, 1997. – 268 с.

14. Магомедов, М. Р. Термоэлектрические и фотоэлектрические свойства p-n-гетероструктур Сu-InSe₂/CdS, полученных методом квазиравновесного осаждения / М. Р. Магомедов [и др.]. – Физика и тех­ника полупроводников, 2000. – 145 с.

15. Медведкин, Г. А. Оптоэлектронные образцы поликристаллических тонкопленочных солнечных элементов на основе СuInSe₂ и СuInGaSe₂, полученные лазерным сканированием / Г. А. Медведкин [и др.]. – Физика и тех­ника полупроводников, 1999. – Т. 33, № 9. – 75с.

16. Андреев, В. М. Гетероструктурные солнечные элементы / В. М. Андреев // Физика и тех­ника полупроводников, 1999. – Т. 33, № 9. – 54-75 с.

17. Андреев, В. М. Высокоэффективные концентраторные (2500 солнц) А1-GaAs/GaAs – солнечные элементы / В. М. Андреев [и др.]. – Физика и техника полупроводников, 1999. – Т. 33, № 9. – 64-75 с.

18. Рудь, В. Ю. Получение и фоточувствительность изотипных гетеропереходов AgInSe₂/A^InB^VI / В. Ю. Рудь [и др.]. – Физика и техника полупроводников, 1999. – Т. 33, № 10. – 55 с.

19. Власенко, А. И. Спектральное распределение фоточувствительности ва-ризонных p-n-р структур Cd_xHg_1-xTe // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 1996. – № 31. – 12 с.

20. Фоточувствительность гетерофотоэлементов CaAlAs/GaAs в линейно поляризованном свете / В. Ю. Рудь [и др.]. - Физика и техника полупроводников, 1999. – Т. 33, № 16. – 367 с.

21. Продольный фотоэффект в р-n переходах на основе МoGaAs / С. В. Слободчиков [и др.]. - Физика и техника полупроводников, 1997. – Т. 31, № 7. – 124-155 с.

22. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника CdS_xSe_1-x при введении PbS / А. Г. Роках [и др.]. - Неорга­нические материалы, 1999. – Т. 35, № 5. – 35-38 с.

23. Электриче­ские свойства фотодиодов на основе Hg_1xMn_xTe / П. А. Косяченко [и др.]. - Физика и техника полупро­водников. – 1999. – Т. 33, №12. – 47-55 с.

24. Ерофейчик, В. Г. Инфракрасные матрицы на основе фотодиодов Hg_xCd_xTe и фотоприемников с квантовыми ямами. // Оптическая техника. – 2000. – № 1. – 5 с.

25. Перспективный метод получения эпитаксиальных пленок и р-n структур в сверхвысоком вакууме / И. Р. Нуриев [и др.]. - Прикладная физи­ка. – 1996. – № 23. – 12-13 с.

26. Андреев, И.Ю. Длинно­волновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga_1-xIn_xAs_ySb_1y с составом вблизи границы области несмешиваемости / И. Ю. Андреев. - Физика и техника полупроводников. – 1999. – 55 с.

27. Дороган, В.В. Фотодиоды на основе гетероструктур InP-InGaAsP / В. В. Дороган. – Кишинев.: Тех­нический университет Республики Молдова, 1999. – 14-48 с.

28. Нойсебауэр К. А. Технология тонких пленок / К. А. Нойсебауэр [и др.]. – М.: Мир, 1977. – 768 с.

29. Холлэнд, Л. Пленочная микроэлектроника / Л. Холлэнд. – М.: Мир, 1968. – 366 с.

30. Данилин, Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок / Б. С. Данилин. - М.: Энергия, 1967. – 311 с.

31. Александрова, Л. Н. Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок / Л. Н. Александрова. – Новосибирск: Наука, НИС, 1975. – 238 с.

32. Стенин, Б. Д. Методы получения особо чистых неорганических веществ / Б. Д. Стенин [и др.]. – Л.: Химия, 1961. – 480 с.

33. Маделунг, О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп / О. Маделунг. – М.: Мир, 1967. – 477 с.

34. Колешко, В. М. Поликристаллические пленки полу­проводников в микроэлектронике / В. М. Колешко, А. А. Ковалевский. – Мн.: Наука и техника, 1978. – 343 с.

35. Курносов, А. И. Технология производства полупроводнико­вых приборов и ИС / А. И. Курносов. – М.: Высш. школа, 1978. – 367 с.

36. Достанко, А. П. Технология интегральных схем / А. П. Достанко– Мн.: Высш. школа, 1982. – 206 с.

37. Андреев, В. М. Жидкофазная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьякова. – М.: Сов. радио, 1975. – 328 с.

38. Бубенников, А. Н. Моделирование интегральных микротехнологий, при­боров и схем / А. М. Бубенников. – М.: Высш. школа, 1989. – 320 с.

39. Баталов, Б. В. Основы математического моделирования БИС на ЭВМ / Б. В. Баталов, Ю. Б. Егоров. – М.: Радио и связь, 1982. – 168 с.

40. Бубенников, А. Н. Физическое моделирование и технология полупроводниковых приборов и ИМС / А. Н. Бубенников. – М.: Высш. школа, 1989. – 360 с.

41. Соломатин, В. А. Фазовые оптико-электронные преобразо­ватели / В. А. Соломатин, В. В. Шилин. – М.: Машиностроение, 1986. – 144 с.

42. Якушенков, Ю. Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов / Ю. Г. Якушенков. – М.: Машиностроение, 1989. – 360 с.

43. Полупроводниковые фотоприемники / Н. Д. Анисимова [и др.]. – М.: Радио и связь, 1984. – 216 с.

44. Постановлении Минздрава РБ №211 от 28.12.2012 г. Санитарные нормы и правила «Гигиеническая классификация условий труда»

45. Санитарные нормы и правила «Перечень регламентированных в воздухе рабочей зоны вредных веществ» № 240 от 31. 12. 2008 г.

46. Санитарные нормы, правила и гигиенические нормативы «Шум на рабочих местах, в транспортных средствах, в помещениях жилых, общественных зданий и на территории жилой застройки» Постановление Министерства здравоохранения РБ 16 ноября 2011 г. № 115

106