Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Зуев.DOC
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
845 Кб
Скачать
☆

4.1.2 Расчет параметров транзистора

Для дальнейшего расчета необходимо определить параметры транзистора. Для этого воспользуемся эквивалентной моделью транзистора.

Рисунок 4.1.2 — Эквивалентная модель транзистора

(4.1.6)

(4.1.7)

(4.1.8)

,

где взято в миллиамперах.

(4.1.9)

При расчете необходимо учесть, что выходной каскад работает в режиме больших сигналов и, следовательно, для импульсных сигналов с большой скважностью параметры транзистора необходимо определять на половинном размахе выходного сигнала. Из указанного выше соображения следует, что ток коллектора теперь будет находиться как

,

где —эквивалентное сопротивление нагрузки.

(4.1.10)

Подставляя справочные данные в формулы (4.1.6)—(4.1.10) получаем:

Крутизна транзистора определится из формулы [1]:

,

где —

(4.1.11)

Правильность расчета значения крутизны проверим графическим способом, с помощью входных и выходных динамических характеристик. Действительно, из рисунка 4.1.3 видим, что ток коллектора изменяется в пределах , чему соответствует изменение базового тока . По входной характеристике (рис. 4.1.4) определяем изменение напряжения , которое равно . Исходя из того, что крутизна есть приращение коллекторного тока, вызванного изменением напряжения на базовом электроде, находим . Как видим, результат оказался довольно близок к рассчитаному по формуле (4.1.11).

Рисунок 4.1.3 — Выходная характеристика транзистора КТ610Б

Рисунок 4.1.4 — Входная характеристика транзистора КТ610Б

Оценим коэффициент усиления данного каскада. Для этого воспользуемся формулой, приведенной в [1]:

(4.1.12)

;

4.1.3 Расчет усилителя в области малых времен

Оценим искажения в области малых времен. Для этого определим все слагаемые, которые вносят вклад в .

(4.1.13)

(4.1.14)

,

где = — ёмкость монтажа.

(4.1.15)

(4.1.16)

Подставляя ранее расчитанные значения, получаем:

Определим входную динамическую ёмкость и входное сопротивление транзистора по формулам, взятым из [1]:

(4.1.17)

(4.1.18)

4.1.4 Расчет цепей питания и термостабилизации

Из входной характеристики (рисунок 4.1.4) найдем значение напряжения . Оно равно . Ток базы при этом равен . Зададимся током делителя . Значения элементов схемы найдутся из формул [1]:

,

где — ток в рабочей точке на постоянном токе

(4.1.19)

(4.1.20)

(4.1.21)

Воспользовавшись формулами (4.1.19)-(4.1.21) найдем значения элементов каскада.

Приведем значения элементов схемы к стандартному ряду радиодеталей, выполняемых с допуском 5%.

; ;

С появлением делителя в базовой цепи транзистора изменяется его входное сопротивление. Это сопротивление становится равным входному сопротивлению каскада.

(4.1.22)