Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
УСИЛИТЕЛЬ ИМПУЛЬСНЫЙ.DOC
Скачиваний:
0
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
2 Мб
Скачать
☆

Семейство выходных характеристик транзисторов кт610а, б.

Семейство входных характеристик транзисторов кт610а, б.

Справочные данные транзистора кт339а.

Таблица 2. Электрические параметры транзистора КТ339А

Значения

Режимы измерения

Наименование

Обозначение

Минимальное

Типовое

Максимальное

Uк, B

Iэ, мА

f, Мгц

Обратный ток коллектора, мА

Iкбо

0,001

0,002

0,004

40

Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ :

h21э

25

50

100

10

7

то же, в другом режиме

15

2

20

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОЭ, Мгц

fгр

550

10

5

Коэффициент усиления по мощности, dB

Kup

24

16,6

7,2

35

Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте

|h21э|

3

5,8

8

10

5

100

Емкость коллекторного перехода, пФ

Ск

0,55

0,65

2

5

10

Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, пС :

Тк

3,5

4,8

25

10

7

5

Прямое напряжение на базе, В

Uбэ

0,9

10

7

Максимально допустимые параметры. Гарантируются при температуре окружающей среды .

- постоянное напряжение коллектор – эмиттер ( <100 Ом), В 25

- постоянное напряжение эмиттер - база, В 4

- постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт :

при 260

при 60

- постоянное напряжение коллектор – база, В 40

- температура перехода, 175

Допустимая температура окружающей среды,

- постоянный ток коллектора, мА 25

Семейство выходных характеристик транзистора КТ339А.

Семейство входных характеристик транзистора КТ339А.

Приложение В. Режимы работы транзисторов.

Режим работы выходного каскада.

Режим работы промежуточного каскада.

Режим работы входного каскада.

РТФ КП.468740. 003 Э3

Усилитель импульсный

схема электрическая принципиальная

Лит.

Масса

Масштаб

Изм.

Лист.

N0 докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Ведерников С.В..

Провер.

Шарыгина Л.И

Лист

Листов

Поз. обозн.

Наименование.

Кол-во.

Примечание.

Конденсаторы

С2,С5

0.5 мкФ (+80 -20)%25В К50-6 ОЖ0.460.099 ТУ

4

С1, С3, С4, С6 С7, С9,

20 мкФ (+80 -20)% 25В К50-6 ОЖ0.460.099 ТУ

3

2

Резисторы постоянные ГОСТ 7113 - 77

R12, R17

МЛТ - 0.25 – 5.1 кОм 10 %

2

R13, R18

МЛТ - 0.25 – 1.8 кОм 10 %

3

R14, R16

МЛТ - 0.25 – 300 Ом 5 %

22

R15

МОН – 0.5 – 68 Ом 10 %

1

R2

МОН – 0.5 – 22 кОм 10 %

1

R3

МЛТ - 0.125 - 13 кОм 10 %

1

R4

МЛТ - 0.125 – 1.6 кОм 10 %

1

R5

МОН – 0.5 – 3 кОм 10 %

1

R6

МОН – 0.5 – 3.9 Ом 10 %

1

R7

МОН – 0.5 – 6.2 Ом 10 %

1

R8

МОН – 0.5 – 15 кОм 10 %

1

Резисторы переменные

R1

СПО – 2-2- 0,5 – 510 Ом ОЖ0.468.051ТУ ТУ

1

Приборы полупроводниковые

VT1, VT2

Транзистор КТ339А

2

VT3, VT4

Транзистор КТ610Б Я53.36.005ТУ

2

РТФ КП. 468740. 003 ПЭ3

Изм.

Лист.

N0 докум.

Подп.

Дата

Разраб.

Денисов В.С

Импульсный усилитель

перечень элементов

Лит.

Масса

Масштаб

Провер.

Шарыгина Л.И