- •Курсовая работа выполнена в текстовом редакторе Microsoft World.
- •1 Введение
- •2 Расчет структурной схемы усилителя
- •2.1 Определение числа каскадов
- •2.2 Распределение искажений по каскадам
- •3 Расчет оконечного каскада
- •3.1 Расчет требуемого режима транзистора
- •3.1.1 Расчёт параметров резистивного каскада
- •3.1.2 Расчёт дроссельного каскада
- •3.2. Расчет термостабилизации.
- •3.2.1 Расчет эмитерной термостабилизации
- •3.2.2. Расчет пассивной коллекторной термостабилизации
- •3.2.3. Расчет активной коллекторной термостабилизации
- •3.3 Выбор транзистора
- •3.4 Расчёт эквивалентной схемы замещения
- •3.5 Расчет коэффициента усиления
- •4 Расчет промежуточного каскада
- •4.1 Расчет рабочей точки для промежуточного каскада
- •4.2 Выбор транзистора для промежуточного каскада
- •4.3 Расчёт эквивалентных схем замещения
- •4.4 Расчёт эмиттерной термостабилизации
- •4.5 Расчет коэффициента усиления
- •4.6 Расчет промежуточного каскада с эмиттерной коррекцией
- •5. Искажения, вносимые входной цепью
- •6 Расчёт разделительных ёмкостей
- •7. Расчет результирующей характеристики
- •8. Заключение
- •Список использованных источников
4.4 Расчёт эмиттерной термостабилизации
Применим термостабилизазию такую же, как и в оконечном каскаде.
Рассчитаем параметры элементов данной стабилизации:
1) Необходимое напряжение питания:
Еп=URэ+Uкэ0+Iк0*Rк (4.18)
Значение источника питания необходимо выбирать из стандартного ряда поэтому выберем напряжение URэ с учетом того, что Еп=10,2В:
2) Напряжение на резисторе Rэ:
URэ = Eп-Uкэ0 = 10,2В-5,2В = 5В (4.19)
3) Сопротивление эмиттера:
(4.20)
4) Напряжение на базе транзистора:
Uб = URэ+0,7В=5,7В (4.21)
5) Базовый ток транзистора:
Iб=
(4.22)
6) Ток делителя:
Iд =5Iб = 1мА, (4.23)
где Iд - ток протекающий через сопротивления Rб1 и Rб2.
Сопротивления делителей базовой цепи:
7)
(4.24)
8)
(4.25)
4.5 Расчет коэффициента усиления
1)
,
(4.26)
где
-
статический
коэффициент передачи по току транзистора.
2)
(4.27)
3) Постоянная времени транзистора:
(4.28)
4)
(4.31)
(4.32)
5) Коэффициент усиления транзистора по напряжению в ОСЧ:
(4.33)
6) Выходная ёмкость:
(4.34)
7) Постоянная времени в ОВЧ:
(4.35)
8) Входная ёмкость:
(4.29)
9) Входное сопротивление каскада:
4.30)
При заданном уровне частотных искажений =0,5дБ, верхняя граничная частота полосы пропускания каскада равна:
Y=0,944
=
=1,36МГц,
(4.36)
Т.к. полученная верхняя частота получилась намного ниже требуемой (40МГц), следовательно, необходима ВЧ коррекция с большой глубиной. Выберем ВЧ эмиттерную коррекцию.
4.6 Расчет промежуточного каскада с эмиттерной коррекцией
Принципиальная
схема каскада с эмиттерной коррекцией
приведена на рис. 4.5,а, эквивалентная
схема по переменному току на рисунке
4.5,б, где
- элементы коррекции. При отсутствии
реактивности нагрузки эмиттерная
коррекция вводится для коррекции
искажений АЧХ вносимых транзистором,
увеличивая амплитуду сигнала на переходе
база-эмиттер, с ростом частоты усиливаемого
сигнала.
а) б)
Рисунок 4.5 Схемы корректированного каскада
Коэффициент передачи каскада в области
верхних частот, при выборе элементов
коррекции
и
соответствующими оптимальной по Брауде
форме АЧХ, описывается выражением:
1) Возьмем F=13, тогда
(4.37)
2)
Т.к.
,
то
(4.38)
3) n = K0*R1*Cвх/τв=19,394∙30Ом∙816,2пФ/40,92нс=11,61 (4.39)
4)
(4.40)
5)
(4.41)
6)
(4.42)
7)
,
(4.43)
где
.
(4.44)
Т.к. верхняя частота корректированного каскада получилась больше требуемой, то искажения, вносимые каскадом будут не более 0,5дБ.
Входное сопротивление каскада с эмиттерной коррекцией может быть аппроксимировано параллельной RC-цепью:
8)
=
(4.45)
9)
(4.46)
10)
(4.47)
